共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
用GSMBE(GasSourceMolecularBeamEpitaxy)技术在国内首次研究了应变Si1-xGex/Si异质结材料的生长.并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析.对于Si(0.91)Ge(0.09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层,其半宽度FWHM分别为100”和202”;对于Si(0.89)Ge(0.11)/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上.三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见.结果表明,用GSMBE技术生长的Si1-xGex/Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面. 相似文献
3.
在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的.阱中发光峰的压力系数比GaAs势垒的小约10%左右.发现对应于导带第二子带的发光峰的压力系数略大于第一子带的.此结果与GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱的情况正好相反. 相似文献
4.
在国产CBE设备上,用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs/InP应变多量子阱P-i-N结构材料,阱层中的设计In组分从0.39变化到0.68,用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析,并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟,确定出了该组样品阱层中的In组分,阱宽及垒宽。结果表明,每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐 相似文献
5.
In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激 相似文献
6.
在垂直于异质界面电场存在的情况下,用光电流光谱学研究了分子束外延生长的应变 In_xGa_(1-x)As/Al_0.15Ga_0.85As 多量子阱的光学吸收性质。在体 GaAs 衬底透明的波长范围内,观察了量子限定斯塔克效应。室温下无须去除 GaAs 衬底,显示出自电光效应器件的光学双稳性。 相似文献
7.
用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66. 相似文献
8.
9.
10.
用GSMBE方法生长出了高质量的具有不同阱宽(l~11nm)的In0.63Ga0.37As/InP压应变量子阱结构材料.通过双晶X射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的In组份.对材料进行了低温光致发光谱测试,确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量.半高宽数值表明,量子阱界面具有原子级的平整度.与7nm和9nm阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为4.5meV. 相似文献
11.
报告了多薄层质结构材料X射线衍射模拟摇摆曲线和压应变,张应变量子阱材料的实测摇摆曲线,指出了计算机模拟分析实测摇摆曲线是精确求得失配率,量子阱周期的科学方法,分析和讨论了与失配率,量子阱周期有关的简单计算公式的适用性。 相似文献
12.
In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 总被引:2,自引:0,他引:2
用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场. 相似文献
13.
在77K下测量了不同阱宽(30-160A)的In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的静压下光致发光谱.静压范围为0-60kbar.发现导带第一子带到重空穴第一子带的激子发光峰的压力系数从 160A阱的 9.74meV/kbat增加到 30A 阱的 10.12meV/kbar.计算表明,阱变窄时电子波函数向压力系数较大的势垒层中的逐步扩展是压力系数随阱宽变小而增加的原因之一.在压力超过50kbar后观察到两个与间接跃迁有关的发光峰. 相似文献
14.
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长.在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs/AlzGa1-zAs/GaAs/AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此,合理地解释了样品的光学测试结果. 相似文献
15.
在国产CBE设备上,用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽(1~18nm)的高质量的In0.53Ga0.47As/InP匹配量子阱结构材料,低温光致发光谱测试结果表明:量子阱材料发光谱峰强且锐,每个阱的激子跃迁峰清晰可辨.当阱宽大于6nm时,阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好;当阱宽小于6nm时,实验值小于理论值;对阱宽相同的窄阱而言,我们样品的实验值高于Tsang的实验值,当阱宽小于4nm时,阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值,表明量子阱的界面具有原子级的平整度;与1nm阱相应的低温光致 相似文献
16.
17.
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As及晶格失配InP/In_(0.82)Ga_(0.18)AS两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究.SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大.SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义. 相似文献
18.
19.
用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
20.
用X射线双晶衍射法测定了在GaAs衬底的(001),(110),(111)和(113)方向上生长的Ga_(1-x)Al_xAs外延层的应力状态。算进了立方晶胞化合物的各向异性的弹力以后,测定了松弛晶格常数以及外延层的组分。本文提出了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结构的双晶旋转曲线。它们允许非破坏性地、独立地确定激光结构的两个Ga_(1-x)Al_xAs外延层的铝含量,并且 相似文献