以慢原子束方式进行原子转移的双磁光阱系统

建立了一套用于玻色-爱因斯坦凝聚实验的铷原子双磁光阱装置.从低速强源中获得慢原子束，向超高真空磁光阱进行原子转移.低速强源磁光阱与超高真空磁光阱之间可维持3个量级的压强差,超高真空磁光阱的真空度最高可达1×10^-9 Pa. 慢原子束的束流通量达1×10⁹/s. 约4×10⁸个⁸⁷Rb原子被装载到超高真空磁光阱中.还讨论了两种典型情况下磁光阱中装载的最大原子数.     

电单极子和磁单极子的统一模型

证明磁单极子和电单极子可以在Hopf丛(S³=S²×S¹)的基础上统一生成,该丛有结构群U(1).它在底流形S²上的联络可以分为电单极型和磁单极型两类.磁荷有量子化条件而电单极子就是磁量子数n=0时的解.这样,电单极子和磁单极子在理论上具有同一性.它们是同一事物的两种不同的形态.通过映射的伦移引入时间坐标,从而使电单极子成为Minkowski空间中的一个〈活化〉的模型.它具有Lorentz变换下的不变性.     

巨单极共振和对称能

基于带有混合同位旋标量-矢量非线性耦合的有效拉格朗日量, 在完全自洽的相对论无规位相近似的框架内, 通过单极压缩模式讨论了核物质的不可压缩性. 比较核²⁰⁸Pb,¹⁴⁴Sm,¹¹⁶Sn和⁹⁰Zr实验和计算的巨单极共振能量, 给出了核物质不可压缩系数的取值范围. 新的同位旋标量-矢量非线性耦合软化核物质的对称能, 但无损于基态性质与实验的一致性. 讨论了对称能的软化对巨单极共振的影响.     

单极巨共振的相对论平均场计算

利用最近完成的相对论平均场理论的计算程序,研究了原子核单极巨共振.计算了¹⁶O,⁴⁰Ca和²⁰⁸Pb的同位旋标量和同位旋矢量单极巨共振.得到的结果与实验符合较好.     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(1020cm-3)掺杂

材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素, 变温Hall测试结果证明杂质掺杂AlGaN中的载流子浓度和迁移率随温度 降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘 的GaN体材料作为衬底, 在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度 仅仅在10¹⁷ cm^-3数量级甚至更低. 本研究采用载流子浓度为10¹⁶ cm^-3量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底, 用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高 达10²⁰ cm^-3 量级的超高电子浓度. 准绝缘的体材GaN半导体作衬底时, 只有表面自由电子作为极化掺杂源, 而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场 提供更多的自由电子"源", 从而实现超高载流子浓度的n型掺杂.     

宇宙线超高能相互作用的QCD部分子模型产生器

在pQCD的部分子模型和独立碎裂方案的部分子强子化模型基础上,建立了用于超高能宇宙线与空气核相互作用的产生器.通过拟合PP散射和e⁺e^－对撞实验数据来决定产生器中的参数.再现了从s=546GeV到1800GeVpp散射中喷注的产生和从s=14GeV到91GeV e⁺e^－对撞等实验的基本特征,并外推到≤22TeV的超高能区.     

含磁单极电动力学的电磁对偶对称性自发破缺问题

首先提出了一种认为磁单极的存在将导致电动力学电磁对偶对称性自发破缺的新观点,指出了和这种对称性自发破缺相关联的零质量标量粒子即Goldstone玻子存在的可能性.然后通过对含磁单极电动力学作用量描述困难的分析,提醒读者磁单极的存在给电动力学带来的复杂性和不对称.最后为非高能物理背景的读者提供了两类磁单极即经典场扩展位形类磁单极和点粒子磁单极的概念.     

极端相对论性重离子碰撞横能分布的Glauber理论

提出了一个极端相对论性重离子碰撞横能分布的几何模型,并表明它可以从高能碰撞过程的Gauber理论推出.对于60和200AGeV ¹⁶O+¹⁹⁷Au的横能分布dσ/dE_T计算的结果与CERNNA35组的测量符合得很好.还简单地讨论了与其它几何模型的关系.     

栅漏间表面外延层对4H-SiC功率MESFET击穿 特性的改善机理与结构优化

本文提出了一种带栅漏间表面p型外延层的新型MESFET结构并整合了能精确描述4H-SiC MESFET工作机理的数值模型,模型综合考虑了高场载流子饱和、雪崩碰撞离化以及电场调制等效应. 利用所建模型分析了表面外延层对器件沟道表面电场分布的改善作用,并采用突变结近似法对p型外延层参数与器件输出电流(I_ds)和击穿电压(V_B)的关系进行了研究.结果表明,通过在常规MESFET漏端处引入新的电场峰来降低栅极边缘的强电场峰并在栅漏之间的沟道表面引入p-n结内建电场进一步降低电场峰值,改善了表面电场沿电流方向的分布.通过与常规结构以及场板结构SiC MESFET的特性对比表明,本文提出的结构可以明显改善SiC MESFET的功率特性.此外,针对文中给定的器件结构,获得了优化的设计方案,选择p型外延层厚度为0.12 μupm,掺杂浓度为5× 10¹⁵ cm^-3,可使器件的V_B提高33%而保持I_ds基本不变.