中子平面晶体谱仪的分辨宽度

本文分析了中子平面晶体谱仪的分辨宽度,给出它的近似表示式为:△θ=((α₁²α₂²+α₁²β²+α₂²β²)/(α₁²+4β²+α₂²))^1/2;同时对几种常见情况也作了简略的讨论。为了确定计算参量△θ,又给出了晶体摇动曲线半宽度的近似表示式为:△γ=1/2(α₁²+4β²+α₂²)^1/2。以上两式中的α₁,α₂是第一、第二准直器的散开角;β是晶体单色器嵌镶结构(mosaic)分布半宽度。最后,依据上述结果,计算了我们仪器的分辨宽度,另外从该仪器测量的中子共振截面估计了它的分辨宽度,并作了比较。     

雷姆计在屏蔽墙内测量高能中子的修正因子

在中能重离子反应中出射的E_n>20MeV中子在出射总中子中占有相当大的比例,因此,当用雷姆计测量剂量当量时,由于仪器的能量响应,雷姆计的直接读数低于真实的中子剂量当量值,本文从重离子反应出射中子能谱入手,理论上计算了在屏蔽墙内用10in,直径单球雷姆计和标准A-B雷姆计测量41.7MeV/u ¹²C+Fe和100MeV/u ¹²C+C反应出射中子剂量当量的修正因子. 它可以近似应用于中能重离子反应出射中子的剂量当量测量.     

轻丰中子核反应中子集团产生截面的理论研究

采用Boltzmann-Langevin方程研究了能量为35MeV/u的¹⁴Be, ⁸He,⁶He,¹¹Li,¹⁷B,¹¹Be,¹⁹C与¹²C靶的反应,计算了产生中子集团的截面, 发现^14,Be与¹²C靶反应产生⁴n的截面与实验值符合得很好. 通过这几个入射核与¹²C靶形成中子集团截面的对比, 发现核的晕中子越多产生中子集团的截面越大, 晕中子数相同时, 质量数越大产生中子集团的截面越大.中子集团可能主要来自晕核子.     

50MeV/u 18O离子轰击Be、Cu和Au厚靶的中子产额和中子发射率

用阈探测器中子活化法测量了50MeV/u ¹⁸O离子轰击Be.Cu和Au厚靶的总中子产额和前向中子发射率. 实验结果表明,中子产额对靶核原子序数有一定的依赖性,较轻靶子的中子产额和中子发射率高于较重的靶子;当靶核(Cu)和入射离子单核能(50MeV)相同时,¹⁸O离子的中子产额约为¹²C离子的4倍.     

用于凝聚态物质研究的旋转晶体中子飞行时间谱仪

本文介绍了我所自行设计和制造的一台旋转晶体中子飞行时间谱仪。该仪器对凝聚态物质的各种动力学研究是一个有效的工具。我们通过选取适当的锗单晶(111)平面旋转轴的办法消除了仪器单色束中多晶面反射的“污染”(contamination)。该谱仪的入射初始中子能量范围可为10—100meV,对应的初始中子能量分辨率为2.5—7.2％。本文根据Brockhouse理论对散射中子的分辨率作了详细的理论计算,并将计算结果与实测结果进行了对比。介绍了标准钒样品的非弹性散射中子谱的测量结果并与国外几个同类型谱仪的基本特性作了比较。     

自由和随机介电弛豫

本文介绍一种傅里叶变换介电谱仪方法,它可简化解谱过程,并节省数据内存量,使用这台仪器证明了同一电介质样品在不同条件下自由或随机弛豫可出现于10⁶至10^-4s的时间范围,这和唯象理论的预言一致,弛豫时间与连接样品两个电极的测量电路的电阻R有关,大的R值给出开路弛豫时间,小的R值导致短路极限,开路弛豫时间比短路值可以大10⁶倍,给出了从开路到短路情况复介电常数频域谱的变化。     

28.7MeV/u的14,16,18O+7,9Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann-Langevin方程研究了在入射能量为28.7MeV/u下,不同弹核¹⁴O,¹⁶O和¹⁸O轰击不同靶核⁷Be和⁹Be的反应,计算了生成碎片的产生截面,发现用丰中子(缺中子)炮弹或丰中子(缺中子)靶进行反应,所得到的产物均有丰中子(缺中子)的碎片出现.同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数,则同位素分布的宽度越大,峰位偏离β稳定线值越远,其同位旋效应越明显.     

17C反应截面和去中子截面

利用日本理化学研究所的放射性束流线RIPS, 测量了能量为79A MeV的¹⁷C在¹²C反应靶上的反应截面, 并同时得到了¹⁷C的移去1个、2个及3个中子的截面; 分别利用有限力程Glauber模型和少体Glauber模型结合壳模型的谱因子分析了反应截面和移去1个中子截面, 研究了¹⁷C的密度分布、结构和价中子布居. 反应截面和中子移去截面是两个相互独立的量, 通过对两者的分析, 都可以得出¹⁷C由芯核¹⁶C和价中子组成, 并且价中子主要处于d_5/2轨道的结论. 总结了现有的碳同位素的反应截面和相互作用截面的工作.     

同步辐射X射线成像光束线劳厄双晶单色器设计

上海光源X射线成像光束线采用多极扭摆器(wiggler)作为辐射光源, 提出一种劳厄双弯晶单色器的设计方案. 计算结果显示, 可获得固定出口的平行单色光束, 能量调谐范围覆盖19—120keV, 在33keV时, 输出光子通量及通量密度分别为1.9×10¹³phs/s和3.8×10¹⁰phs/s/mm². 分析了劳厄晶体的聚焦及单色化性能, 计算了输出光子通量及单色器的热负载情况. 与传统的双平晶方案相比, 本设计在获得高通量和解决热负载等方面有明显的优越性, 并能有效控制热形变.     

冷中子与冷中子源

 一九八八年十月,我国的重水反应堆冷中子源建成并投入使用.这使我国重水反应堆外围的实验设施进一步完善,为冷中子研究和应用提供了一定的条件.冷中子是些什么样的中子?冷中子源是一个什么样的装置?这里向大家做一简单介绍.（一）中子与冷中子中子是英国科学家查德威克于1932年发现的,是原子核的组成粒子之一.研究测量得到:中子所带的电荷不大于1.6021892×10（-37）库仑,可以认为是不带电的中性粒子;中子的静止质量为1.674954×10^-27千克;中子的磁矩为负9.6651855×10^-27焦耳·特斯拉^-1.     

丰中子核105Mo单中子带结构的识别

通过对重核²⁵²Cf自发裂变产生的瞬发γ谱的测量, 对丰中子核¹⁰⁵Mo的能级结构进行了研究. 除确认与扩展了基带转动带外, 新识别了3个转动带, 它们分别被指定为建立在Nilsson能级3/2⁺[411], 1/2⁺[411]和5/2⁺[413]轨道上的单中子激发带, 并对这些集体带的特性进行了讨论.     

用中子球测量重离子碰撞中单举中子我重性

本文介绍用中子球探测器测量重离子核反应中的单举中子多重性分布.给出在27、35、44和77MeV/u四个轰击能量下⁴⁰Ar+¹⁹⁷Au,⁴⁰Ar+²³²Th两个反应体系的实验结果.单举中子多重性分布反映了在反应过程中不同耗散程度的碰撞的相对贡献.     

用于反应堆中子/γ 射线混合场测量的涂硼电离室性能

近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一. 研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得: 当涂硼电离室的工作电压在700 V以下时,漏电流小于1.0 pA; 用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500 V, 坪斜为3.72×10^-4 V^-1;当涂硼电离室的工作电压为400 V时, 对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关, 将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA. 用¹³⁷Cs和⁹⁰Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为 1.0---2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显. 电离室中子探测灵敏度达1.0×10^-15 Acm²s量级, γ射线探测灵敏度达9.0× 10^-22 Acm²s·eV^-1量级. 这种涂硼电离室漏电流小、灵 敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.     

新重丰中子同位素239Pa

用50MeV/u ¹⁸O离子同天然铀靶反应产生了新重丰中子同位素²³⁹Pa.用放射化学法从反应产物中分离Pa活性,通过观测²³⁹Pa及子体²³⁹U衰变所得到的结果显示:首次合成和鉴别了新重丰中子核素²³⁹Pa,并测定出²³⁹Pa的半衰期为106±30min.     

描述中子辐射俘获截面非统计效应的统一表象

基于对俘获态及终态波函数的自洽描述,建立了计算核子辐射俘获反应非统计效应的统一表象.应用这一模型对²⁷Al、⁵⁵Mn、⁸⁹Y和²⁰⁸Pb等四个核素在中子能量为0。1—20MeV能区计算了中子辐射俘获截面,并与实验值进行了比较.     

用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式及其应用

根据人工放射性的生长与衰变规律, 推导出一个在特殊情况下用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式, 并据此公式用活化法以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准对¹²⁸Te(n,2n)^127mTe反应截面进行了测量. 由能量为(14.1±0.2)和(14.6±0.3)MeV的中子引发的¹²⁸Te(n,2n)^127mTe反应截面值分别为(737±69)和(853±82)mb. 单能中子用T(d,n)⁴He反应获得, 其能量用铌锆截面比法测定. 为减小热中子的(n, γ)反应的影响, 在辐照过程中对样品进行了包镉处理.     

25MeV/u 6He在9Be靶上引起的双中子转移

报道了经仔细设计的150MeV ⁶He+⁹Be实验,并在质心系大角度处测量¹⁰Be和¹¹Be同位素产物的实验数据.鉴别得到相应于单中子转移的371个¹⁰Be事件,同时观测到了相应于双中子转移的5个¹¹Be事件.由此得到相应微分截面分别为(0.11±0.02)mb/sr(θ_cm≈137.4°)和(1.0±0.7)μb/sr(θ_cm≈133.4°),结果表明在所研究的反应体系中,单中子转移截面要比双中子转移截面约大100倍.在⁶He由⁵He-n和α-2n组成的集团模型下,利用零力程扭曲波玻恩近似(DWBA)的计算程序,在数量级上重现了单、双中子转移反应的实验数据     

Tm3+/Yb3 :LiYF4单晶的高效近红外量子剪裁及其在光伏电池中的应用

采用改进的坩埚下降法成功地生长了Tm/Yb共掺氟化钇锂单晶. 该单晶体具有每吸收一个蓝色光子并能发射出2个1000 nm近红外光子的下转换发光效应. 测定了样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减曲线. 在465 nm蓝光激发下观察到由Yb³⁺：²F_5/2→²F_7/2能级跃迁所致的960～1050 nm 波段的发射带,此发光带源于Tm³ 对Yb³ 离子的能量下转换过程. 应用Inokuti-Hirayama模型,研究了晶体的能量转换过程,结果表明Tm³ 向Yb³ 的能量传递是一个电偶极子相互作用机制过程. 当Tm³ 与Yb³ 离子的掺杂浓度为0.49mol%与5.99mol%时,单晶的量子剪裁效率达到最大值167.5%.     

透射法测量丰中子核8He的去中子截面

利用HIRFL提供的50MeV/u ¹³C束流轰击Be靶, 通过RIBLL选择出丰中子放射性核⁸He. 利用透射法测量了⁸He的去双中子截面和去四中子截面. 利用Ogawa等人的理论结合原有⁸He的反应总截面数据, 得到⁸He的核芯为⁴He的结论.     

153Dy高自旋态的能级结构及缺中子Dy核的形状随中子数与自旋态的变化

通过在束γ谱的实验研究,建立了¹⁵³Dy的非常高的自旋态的能级图,最高自旋态为81/2.所用核反应为¹²²Sn(³⁶s,5n),束流能量165MeV.在同质异能态(I=47/2)以上,能级结构展示出极端复杂的单粒子跃迁特性.对缺中子Dy核的形状随中子数N及自旋态I变化的系统性进行了讨论