厚膜α—Fe2O3气敏材料的研制

α－Ｆｅ２Ｏ３厚膜的成型与玻璃实的选取及玻璃料含量有很大关系，α－Ｆｅ２Ｏ３厚膜的敏感特性与Ｓｎ＾４＋的掺入量以及烧成温度有很大关系，找到了最佳的配方及烧成温度。     

厚膜α-Fe_2O_3气体传感器的研制

本文叙述了α-Fe_2O_3厚膜气体传感器的制造工艺,用湿法制成的α-Fe_2O_3粉体作为敏感材料,研制成了厚膜型的气体传感器。结合电子显微分析,对气体传感器的烧结温度、保温时间、热处理时间等进行了选择,最后研究了厚膜浆料中的玻璃对气敏性能的影响。     

ZnLiFeO_3高温热敏厚膜材料的研究

ＺｎＬｉＦｅＯ３（ＺＬＦ）高温ＮＴＣ热敏厚膜材料，是以尖晶石结构的ＺｎＬｉＦｅＯ３导电陶瓷作厚膜浆料的导电相，以Ａｌ２Ｏ３瓷为基体，用厚膜工艺制成的。实验表明，在氮气中烧结的ＺＬＦ厚膜材料，室温方阻１０３Ω／□级，Ｂ值约１０００Ｋ。在高温５００～７００℃范围内，方阻降为１０２Ω／□级，Ｂ值仍小于１０００Ｋ。是一种很有前途的高温热敏材料。     

ABO_3型厚膜酒敏器件的研制

采用厚膜技术研制了一种带有加热器的La_(1-x)Sr_xCo_(1-y)Fe_yO_3酒敏器件。介绍了器件性能测试结果,讨论了材料的气敏机理。     

氧化铁气体传感器研究II.α- Fe_2O_3气敏特性

本文通过对α-Fe_2O_3,基半导体陶瓷材料的气敏效应、催化效应、磁性和X光电子能谱的测定,探讨了该材料的气敏特性和气敏机制.此类材料,可通过掺杂和控制其晶粒大小,以及控制陶瓷的孔隙度来提高灵敏度;纯态α-Fe_2O_3的气敏机制属体控制型为主.     

薄膜气敏元件响应与膜厚的关系

建立了薄膜气敏元件响应与膜厚的关系。指出随着膜厚减小，元件响应呈上升、下降、再上升的规律，且较好地解释了实验发现的响应与膜厚的关系对还原性气体种类的依赖。     

厚膜型气敏器件膜厚影响气体检测灵敏度的研究

利用化学深沉法制备ＳｎＯ２纳米材料，再利用平面丝网印刷技术制备不同膜厚的ＳｎＯ２厚膜型气敏器件试样，测量不同厚膜气敏器件试样对甲烷气体检测灵敏度和阻温曲线，并进行复阻抗分析。实验表明试样膜厚对检测灵敏度的影响是明显的，试样膜厚在５３μｍ左右对甲烷气体有最大灵敏度。     

制备工艺对厚膜SnO_2气敏元件性能的影响

采用平面丝网印刷技术制备不同厚度的 Sn O2 厚膜气敏试样 ,在不同温度下进行热处理后 ,测量试样对乙醇气体的灵敏度 ,研究热处理温度及敏感膜厚度等对元件性能的影响。结果表明 ,热处理温度和膜厚的均匀性会影响元件的电阻值和灵敏度 ,准确控制热处理温度和膜厚能显著改善元件的灵敏度和一致性。     

厚膜压力传感器温度补偿用厚膜热敏电阻的研制

对过渡金属氧化物CoO、MnO、NiO厚膜热敏电阻进行了掺杂改进和重复性烧结试验,可较好地实现厚膜热敏电阻与厚膜力敏电阻一体化的温度补偿。     

PLZT厚膜研究

研究了用Sol-Gel法制备PLZT-7.5/70/30微粉的工艺,进行了相应厚膜的制备.探讨了微粉团聚问题及防止团聚的有关措施.由X射线衍射分析可知,在700℃下制备的PLZT-7.5/70/30厚膜为纯钙钛矿相.从铁电与热释电性测量结果可知,纯钙钛矿相PLZT-7.5/70/30厚膜的矫顽场Ec在28℃和43℃下分别为24.25kV/cm和18.13kV/cm,热释电系数p=0.46nC/cm2@℃.以上数据表明,PLZT-7.5/70/30厚膜材料是一种优选的热释电材料.     

Sol-gel法制备ZnO-TiO_2厚膜及其气敏特性研究

以钛酸丁酯的水解反应制备了ZnO掺杂的纳米TiO2厚膜。通过XRD和SEM对不同退火温度下制备出的不同掺杂量的ZnO-TiO2粉体进行物相分析和表面形貌比较,并利用气敏测试系统检测其气敏特性。讨论了掺杂量和退火温度对ZnO-TiO2厚膜气敏特性的影响,同时分析了其气敏机理。结果表明:700℃退火,w(ZnO)=4%的ZnO-TiO2结晶尺寸达到26.8 nm,体现出对丙酮蒸气单一的选择性,灵敏度为8 913,响应和恢复时间均为2 s。     

厚膜混合集成电路中电阻器的研制

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器的设计、生产、及材料的选择。其中重点介绍了厚膜电阻器材料的主要性能。     

钢基板厚膜环形电位器的研制

传统的陶瓷基板厚膜环形电位器不能承受高过载。选用不锈钢板作为基板材料,被覆绝缘介质,在其上印制厚膜电路,然后烧结,制作了钢基板厚膜环型电位器。该电位器经过温度循环、抗过载、机械强度和动态射击试验,结果表明:被覆绝缘介质不锈钢基板厚膜环型电位器具有过载值高(18000~20000g)、动态电阻装定精度高(误差小于1%)等优点,满足高过载使用要求。     

厚膜铂电阻浆料的研制

本文简述了配制厚膜铂电阻浆料应考虑的问题,包括这种浆料中各组分的性质和作用。叙述了浆料的制备方法。并研究了各组分中不同试剂时其性质的作用机理,以及对元件性能和制作工艺的影响。     

厚膜材料和技术的发展及在MCM—C中的应用

为增强和扩展ＭＣＭ－Ｃ技术的能力，近年来已有许多种新型的厚膜材料和厚膜加工工艺被研究开发成功。充分体现这些材料，新工艺特点的各种高密度电路－－ＭＣＭ－Ｃ已经开始从研究阶段走向大批量生产阶段。本文重点介绍了厚膜材料和技术的最新发展动态及其在ＭＣＭ－Ｃ中的应用。讨论了其发展趋势。     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。     

SnO_2厚膜与基板附着强度及气敏性能研究

通过溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米粉末,用丝网印刷法制备了以氧化铝陶瓷为基板的SnO2厚膜。分别采用SEM、XRD及电化学工作站表征了SnO2的结构与形貌并测试了其气敏性能。结果表明,所制备的SnO2平均颗粒粒径约为60 nm,为四方相结构。与SnO2直接附着在氧化铝基板的厚膜(样品A)相比,以玻璃粉作为SnO2和氧化铝基板粘结剂的厚膜(样品B)附着强度更高,解决了SnO2与氧化铝基板附着强度差的问题;以玻璃粉为粘结剂制备的厚膜对H2具有稳定的气敏性能。