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采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
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石油醚中的叶绿素聚集体在照光后数分钟内会发出微弱的光来。这延迟发光的衰减曲线包含两个相:持续十秒左右的快速相和持续数分钟的慢速相。在四氯化碳中的叶绿素聚集体的延迟发光的衰减曲线和石油醚中的不同。延迟发光的强度在电子供体或递体存在时减弱。当聚集体解聚后,延迟发光现象消失。 相似文献
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等组分(浓度)溶液晶体生长方法是研究晶体生长动力学、生物体结晶和工业结晶的有效手段,它是七十年代末期发展起来的晶体生长新技术.其理论基础是电解质溶液的热力学平衡和动力学反应原理.其方法要点是:根据生长体系的内参量和外参量,建立溶液体系各类离子的反应方程;用德拜-许克尔理论计算各类离子的活度系数;根据质量和电荷平衡原理决定在某一过饱和浓度б条件下的生长驱动力;技术上保证结晶过程中驱动力不变,从而保持反应过程中组分和浓度的恒定. 相似文献
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本文利用Judd-Ofelt理论求得PrP_5O_(14)晶体的振子强度参数Q_2,比较了计算和实验的振子强度,计算了~3P_1,~3P_0,~1D_2和~1G_4能级的电偶极和磁偶极辐射跃迁几率及~1D_2→~1G_4和~3H_4→~3F_4能级对间的多极矩耦合的无辐射迁移几率。讨论了~1D_2能级发射强度的浓度效应。并且,给出~1D_2能级发射强度的表达式和强度随着浓度和单位时间内激发光引起的~3H_4到~1D_2跃迁的诱导跃迁几率的变化图。 相似文献
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为了有效降低GaAs表面态密度,获得稳定的高性能钝化膜,使用联氨溶液钝化GaAs(100)表面。通过光致发光对联氨溶液浓度、Na_2S浓度和钝化时间进行了优化。联氨溶液钝化后GaAs样品的PL比未处理的增加了1.22倍。采用X射线光电子能谱和原子力显微镜分析了联氨溶液钝化前后GaAs的表面成分和形貌。结果表明,联氨溶液钝化GaAs表面可以有效地去除表面氧化物,形成均匀、平整的GaN钝化层。通过表面稳定性测试发现,钝化后的GaAs表面在空气中放置数天,光致发光强度未见明显的退化(30 d内PL强度降低7%),说明钝化后GaAs表面的稳定性良好。 相似文献
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三棱镜偏向角与棱镜顶角的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
从几何光学理论系统地讨论了棱镜偏向角与顶角的关系,并由Matlab绘出棱镜顶角A与棱镜最小入射角、材料折射率n的关系曲线.结果表明,在测量三棱镜折射率及使用棱镜光谱仪时,对棱镜的顶角是有一定要求的. 相似文献
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制备了纯的、掺0.005、0.01、0.2和0.5wt%Cr2O3的钛酸锶单晶.测量了不同退火条件下的室温透射光谱及6.5K以上的荧光光谱.对晶体的氧化和还原热处理诱导吸收及退火和掺杂浓度对晶体发光的影响进行了较为详细的研究. 相似文献
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铜化合物ESR g张量和A张量的相关性及其与结构的关系 总被引:8,自引:0,他引:8
对于某些含有特定配位原子的钢化合物,找出了钢的ESR g‖和A‖之间的线性相关性;总结了相关性与钢化合物的分子结构间的联系;认为相关性与分子对称性及分子轨道性有关,分子对称性的提高和钢-配体间成键分子轨道共价性的降低引起g‖的增大和A‖绝对值的减小,对某些钢化合物,g‖与β12,A‖与β12之间存在线性关系.总结出由实测的g‖和A‖估算分子轨道系数β12值的方法. 相似文献
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分析了微观结构和热处理工艺对矫顽力的影响,发现在矫顽力一定的情况下,磁体的微观结构越“差”,则保证不同批次磁体矫顽力变化不大于某一给定值所需的工艺条件就越严格;反之则越宽松.就同一炉产品而言,微观结构越好的磁体,其矫顽力受烧结(热处理)炉温度梯度的影响越小,其结果是该炉产品的一致性越高.反之,受温度梯度的影响越大,磁体的一致性也就越低.该研究结果说明:在条件许可的情况下,应首先考虑通过改善磁体的微观结构来提高磁性能一致性.
关键词:
Nd-Fe-B永磁体
微观结构
内禀矫顽力
一致性 相似文献
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在忽略空气阻力的情况下,抛射体运动的飞行路径长度与抛射初速度的平方成正比;运用Matlab可比较容易地证明,当抛射角为56.49°时,飞行路径最长. 相似文献
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将空间—时间守恒(STC)格式应用于求解N-S方程,并对激波—边界层相互作用问题进行了计算。结果表明,该方法可捕获激波与边界层相互作用的各种现象,显示了优良的数值模拟性能。 相似文献
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谱线强度(I)与物质浓度(C)之间的定量关系是定量光谱分析的物理基础。由于实际光源中的谱线或多或少地都有自吸收现象,所以在实际情形下,I与C的关系是较为复杂的。本文中应用迁移取样法进行铸铁中的硅的光谱分析,选择了适当的条件,使Si 2516多重谱线系中的Si 2519线在光源中不发生自吸收,因而可以用它的强度代表光源中的物质浓度,同时测定了多重谱线系中发生自吸收最严重的Si 2516线的定标曲线斜度b与物质浓度C的关系(b=klogC+β+1),从而得出I与C的关系式如下:logI=k/2(logC)2+(β+1)logC+α,这里β与α是试验条件下的两个常数;k是b与logI2519的关系直线的斜度。在理想的情形,当谱线没有自吸收时,b=1,k=0,所以logI与logC之间便有直线的关系;当谱线有自吸收时,谱线的强度与物质的浓度有抛物线的关系。这个关系式所描述的与在较大浓度范围内一般实验中所观察的一致。 相似文献