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1985年9月,我们测试了云南天文台进口的两套InSb光伏型红外探测器系统。并利用这两套系统做了许多红外天文课题的测量工作。InSb系统由三个主要部份组成:InBb探测器、金属杜瓦瓶和固定子杜瓦瓶一侧的前置放大器。InSb器件与场镜、滤光片和孔径滑块以及作为第一级前放的JFET均安装在致冷 相似文献
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文中着重介绍了InSb红外焦平面探测器薄技术工艺以及精抛对器件性能的影响。目前已较好的掌握了减薄至20μm的磨抛技术。 相似文献
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红外焦平面探测器技术是一种通过摄取景物热辐射分布图像,并将其转换为人眼可见图像的技术。近年来红外探测器技术发展迅速,在军事、工业、农业、医学等各领域显示出越来越重要的应用。本文对锑化铟红外焦平面探测器的应用及发展情况进行了分析,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
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随着大规模InSb 红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb 红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2 系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2 气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb 器件的漏电流,提高了电性能。 相似文献
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对InSb红外探测器钝化前清洗工艺进行了研究。在传统清洗方法的基础上增加专用清洗液进行清洗,以优化钝化前InSb材料的表面质量。飞行时间二次离子质谱仪(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS)质谱检测表明,增加专用清洗液清洗工艺后,InSb材料表面的Si杂质浓度降低了约85%,主要有机物杂质浓度降幅约为30%~60%,表面整体杂质含量显著降低。经流片验证,增加专用清洗液进行钝化前表面清洗,I-V性能更优,InSb光伏芯片的长期可靠性显著提高。这说明钝化前InSb材料的表面质量对InSb红外探测器的性能和可靠性具有重要影响。本文提供的钝化前清洗优化方向具有一定的指导意义。 相似文献
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InSb红外探测器芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合质量直接决定着光电信号输出的可靠性,对于引线键合质量来说,超声功率、键合压力、键合时间是最主要的工艺参数。从实际应用出发,采用KS公司4124金丝球焊机实现芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合,主要研究芯片镀金焊盘第一焊点键合工艺参数对引线键合强度及键合区域的影响,通过分析键合失效方式,结合焊点的表面形貌,给出了适合InSb芯片引线键合质量要求的最优工艺方案,为实现InSb芯片引线键合可靠性的提高打下了坚实的基础。 相似文献
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在-196℃到-96℃范围测量了PVInSb红外探测器的信号,噪声和阻抗数据。给出了信号,噪声,信-噪比和阻抗随温度变化的曲线族。分析讨论了器件结构设计时,选择PV-InSb红外探测器工作温度的有关问题。 相似文献
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早在1952年资料[1]就开始发表Ⅲ-Ⅴ族半导体InSb的研究报告,特别是单晶InSb在中红外区域里灵敏度高,大大提高了这种材料的应用价值。以后虽然发表了许多研究报告,但作为红外探测器的资料还是不多的。InSb属于窄带半导体,在 300°K时带宽为0.17电于伏,77°K时带宽为0.23电子伏。红外吸收端是7微米(300°K)和 相似文献
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对于半导体器件来说,金属电极的制备工艺是必不可少的。而组件较之单元尤为重要。其电极质量的优劣,直接关系到器件性能是否能充分发挥。然而,电极质量的优劣,又是与电极材料的选择和电极的制备工艺密切相关。本文主要论述了InSb光伏多元红外探测器件的电极材料选择和电极制备工艺。 相似文献
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光伏型InSb红外探测器表面的阳极氧化 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了阳极氧化InSb MOS结构的界面特性以及光照对经阳极氧化保护的光伏型InSb红外探测器性能的影响。实验指出,对于p-n结器件,光照使短路电流增加,器件阻抗的降低是由于光敏面扩大,而对于n~ -p结器件,短路电流不随光照变化,但I-V曲线出现了明显的软击穿,器件阻抗的降低来自于结区二边电子的隧道穿透。文章对器件性能蜕变的机制以及克服的方法进行了分析与讨论。 相似文献
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借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应力最大值始终保持在15.7MPa左右,且分布几乎不变.S i读出电路上的应力小于InSb芯片上的应力值,变化趋势类同于InSb芯片上应力的变化趋势.铟柱直径取30μm时,InSb芯片和S i读出电路上的应力均达到最小值260MPa和140MPa,整个器件的应力分布在接触区呈现明显的集中性、均匀性,分布更合理. 相似文献
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在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。 相似文献