复合棱镜整形半导体激光束

根据半导体激光束的特点，考虑到光学元件加工及光路调节的难易程度，提出用复合棱镜对半导体激光束进行整形     

半导体激光水准仪的设计

绍介半导体激光束的准直整形方法 ,阐述半导体激光水准仪的设计方案 .     

激光准直系统的设计

介绍长距离激光准直向系统的设计方法,阐述半导体激光水准仪的设计。     

分数Fourier变换域中Gauss光束整形的优化方法

在分数Ｆｏｕｒｉｅｒ变换域中从理论上说明了Ｇａｕｓｓ光束整形问题不能获得理想的均匀光束整形，只能探求它的最佳逼近解，因此，将该问题归结为一优化模型，并提出一有效的最优化方法实现Ｇａｕｓｓ光束整形。     

500mW半导体激光治疗仪的设计

介绍500mW半导体激光器性能和作为照射光源在治疗仪中的应用，以及激光器恒流源和控制保护电路设计，另外简要介绍了半导体激光器的制冷电路。     

光束通过棱镜的变换矩阵

利用光束斜入射到界面的变换矩阵，推导光束通过棱镜时在子午面和弧矢面的变换矩阵，并得出光束通过棱镜时所产生的像散与光束入射的位置、入射角及棱镜顶角相关的结论。     

半导体激光器激光光束的研究

分析了半导体激光器的特征,从激光束的半宽度和激光光束发散角两个方面分析了高斯光束的结构特性,研究了激光束通过薄透镜的变换规律,求出会聚后高斯光束腰的宽度和位置,根据束腰位置与焦距的大小关系讨论了高斯光束的聚焦问题.研究了利用柱面透镜对激光光束的准直整形实验原理及实验装置、方法,在此基础之上讨论了激光光束发散角的测量方法.     

压缩半导体激光器光斑的光路分析及数值计算

由于半导体激光器的发散角大，输出光束为椭圆高斯光束，若应用于实际必须解决半导体激光器高斯光束的准直和光斑校正的问题。利用高斯光束理论对压缩半导体激光器发散角的问题进行了讨论，并且给出了数值分析。     

半导体激光（红光）相干性的研究

通过实验研究分析了一种波长为６７０ｎｍ的半导体激光的相干性，证明这种激光器也可以作为一种相干光源加以利用。     

椭圆微透镜的制备及在LD光束整形中的应用

半导体激光器(LD)由于廉价和优越的性能已被广泛地运用于光通讯、医药、精细加工等领域,但其光束质量差极大地影响了LD的运用。介绍了一种基于按需滴定法制备的椭圆微透镜来对LD光束进行整形的方案。与LD和光纤直接耦合相比,可以有效地提高耦合效率。这种椭圆微透镜是利用有机胶体在表面张力的作用下形成所需形状,再利用表面张力进行高温下自修复,实验所得椭圆微透镜的相关参数值与理论值比较接近。与其他椭圆透镜的成形方法相比,这种方法成本低,工艺过程简单,是真正的一步成形。     

激光分子束外延制备薄膜技术

激光分子束外延制备薄膜是在传统分子束外延和普通激光淀积技术基础上发展起来的,以原子层、原胞层尺度研制薄膜的技术和方法．简要介绍了激光分子束外延的装置和工作原理、特点与优势及其研究内容,并对其应用前景进行了展望.     

激光二极管光束特性的研究

对激光二极管的光束特性进行了研究．基于二阶矩定义，对激光二极管光束的光束传输因子(M^2因子)、束宽、远场发散角和内禀像散不变量等光束特征参数作了理论推导和分析．激光二极管光束的光束特性与激光二极管运行时的多模模阶次和各阶模的权重因子成比例，模阶次越高或高阶模的权重越大，其光束质量越差．对激光二极管光束在自由空间中传输的模拟成像与实验结果相符．     

半导体激光器的激励源系统和温控系统

分析了半导体激光器的激励源系统和温控系统的设计原理,关于激励源,详细介绍了恒流源和软启动电路;在温控系统中,提出了采用恒流源来设定温度限的设计思想,最后分析了系统的试验结果。     

高功率激光二极管线性阵列光束特性的研究

该文对激光二极管线性阵列的光束特性进行了研究．基于二阶矩定义，对激光二极管线性阵列光束的光束质量(M＾2因子)、束宽、远场发散角和内禀像散不变量等光束特征参数作了理论推导和分析．对激光二极管线性阵列光束的近场光强分布的理论模拟与实验结果相符．     

半导体激光器稳恒功率控制系统的设计

设计一种半导体激光器的稳恒功率控制系统.该系统以3个高精度放大器OPA114,OPA602和OPA335为核心,采用滤波和慢启动电路,具有集成度高、元件少、性能稳定等优点;采用光功率负反馈控制,能为半导体激光器提供高稳定的、连续可调的驱动电流.实验结果表明,在该系统的驱动下,半导体激光器连续工作5 h,光功率稳定度可达0.048%,比开环时的稳定度提高了近5.5倍,达到设计要求.     

用于激光器选模的屋脊棱镜

本文提出一种用于激光器选横模的屋脊棱镜,其选模能力与交叉棱镜腔同。     

阵列半导体激光器的单元均匀性与器件的质量关系

本文通过电导数和光导数技术对阵列半导体激光器及单管并联模拟阵列进行了测试,通过对表征半导体激光器质量的h和Q参数的测试,研究了各单元器件均匀性与其组成的阵列器件的质量的关系。导数测试的h和Q参数可以给出阵列器件的均匀性,导数技术可以用来评价阵列半导体激光器的质量。     

激光二极管腔体有源区长度的优化设计

由激光二极管(LD)输入、输出的关系,得到激光器腔体参数与注入电流的关系,进而给出在设计激光器时遇到的相关限制的方程,以及LD电流与某种形式的电流增益转换因子的关系,根据增益曲线上的最佳工作点可优化腔体长度参数.讨论了共面LD在固定总腔长、固定无源区长度、固定有源与无源区的长度比等条件下有源区长度的优化.