液相外延生长的ZnSe—ZnTe异质结的绿色场致发光

以液相外延法制备的ZnSe—ZnTe异质结在77°K时呈现出绿色场致发光,谱峰为5350A。在77°K时由紫外激发源曾测出光致发光,并且发现绿色发光似乎是由于空穴注入所致,而不是由于电子注入。     

ZnO磷光体系统的场致发光

研究了ZnO—ZnSe:Cu,XAl;ZnO—CdSe:Cu,XAl 和ZnO—CdS:Cu,XAl 的场致发光(式中X=Cl,Br或l)。随着化合物组分的变化,谱峰逐渐从绿向红位移。描述了ZnO—ZnSe在外加电压和频率作用下的场致发光亮度波形。100％的 ZnO示出了第一和第二谱峰。而在ZnO—ZnSe化合物系统中只观察到第一谱峰。     

高纯汽相生长GaP的场致发光及电学性质

研究了以汽相外延法在整片单晶GaP衬底上生长的高纯GaP的场致发光、霍尔系数、电阻率同温度的关系。在77°K和300°K分别获得高达2370厘米~2/伏秒和189厘米~2/伏秒的霍尔迁移率。以Zn 扩散制成的二极管的场致发光表现为本征复合。在77°K时,除了由于在中性施主位置上的束缚激子复合而引起的狭的非声子谱线外,近边带场致发光还呈现出一组界线分明的谱峰,相应于自由激子的声子协助的复合(下文中简称为“声协”复合)。这些观察到的峰,既和 TA、LA、TO声子的吸收有关,也和它们的发射有关;它们的能量分别为12.5,31.0,44.0毫电子伏。和声子发射有关的谱峰强度对于TO、LA和TA声子来说,大概比率是1:3:1.5。这些能量和相对强度是和本征GaP的吸收及阴极射线发光数据一致。在氮和别的任意杂质浓度很低的器件中,场致发光和温度的关系表明:300°K的发射以本征复合占优势。     

近期外文资料索引

9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论

在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO₂加速后的电子能量可以到达10eV,这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。 关键词：     

在(Zn,Cd,Hg)S:Cu,In磷光体上加正弦电压的影响

1、引言:许多人都研究过交流和直流迭加的场致发光。有人报道可以增加250倍,而在这种条件下直流本身的场致发光约等于初始的交流场致发光。他们采用的发光盒含少量介质。他的结论是:交—直流场致发光的主要过程为俘获电子和直流离化发光中心的复合。当     

Kerr效应对非线性J-C模型辐射谱的影响

研究了Kerr介质腔中非线性J-C模型的辐射谱.导出了双模初始光场处于任意量子态时辐射谱的计算公式,给出了光场处于数态、相干态和压缩真空态时的数值结果,讨论了Kerr效应和初始场强对辐射谱的影响.发现在光子数态的情况下,Kerr效应使低频峰增强、高频峰减弱,并使各峰向右移动.在初始腔场为较强的相干态时,原子辐射谱明显地分成两个拱形的梳状峰群,Kerr效应的增强使左侧峰群增高,右侧的边峰受到抑制.在压缩真空态情况下,边带峰只出现在中心频率双峰的左侧,随Kerr效应和初始场的增强,边峰个数也随之增多.无论哪种情况都破坏谱结构的对称性,在强场条件下Kerr效应的影响更加显著.     

Kerr介质腔中非线性J-C模型的腔场谱

研究了Kerr介质腔中非线性J-C模型的腔场谱.导出了初始光场处于任意量子态时腔场谱的计算公式,给出了光场处于数态、相干态和压缩真空态时的数值结果,讨论了Kerr效应和初始场强对腔场谱的影响.发现在光子数态的情况下,n≠1时均为2峰结构,Kerr介质使得中心频率按x(2n-1)的规律向高频方向移动,并破坏谱结构的双峰对称性;在相干态和压缩真空态情况下,当Kerr效应较弱时,非线性J-C模型中腔场谱的非经典特性较为突出,Kerr效应较强时,呈现多峰结构,谱的结构特征主要由Kerr效应决定,由于原子与腔场的耦合被抑制,腔场谱的非线性特征趋于消失.     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

Stark效应对J-C模型腔场谱的影响

研究了计及Stark效应的J-C模型的腔场谱,通过求解本征方程导出了腔场谱的计算公式,给出了腔场处于光子数态时的数值结果,讨论了Stark效应和初始场强对标准J-C模型腔场谱的影响.发现在初始场为真空场时,两个Rabi峰的高度相等,随着Stark位移参数的增大,两峰都向低频方向移动,且频差逐渐增大;在初始场较强的情况下,Stark移动参数增大时会导致双峰的对称性消失,通过测量两峰的相对高度也可确定Stark位移参数的大小;在Stark效应较强初始场递增的情况下两峰仍向左移,但峰间距越来越小;在弱场情况下,Stark效应使两峰呈现左高右低或左低右高的峰结构.总之,改变Stark位移参数β1、β2的大小以及初始场强的强弱,可得到不同的谱线结构.     

对未来场致发光平板电视的设计考虑

从平板场致发光显示整个系统的各个方面看来,制作场致发光电视屏是可能的。这种考虑的基础是采用大面积薄膜晶体管矩阵组成的寻址和驱动线路,把它直接蒸着在场致发光层的背面上。低压直流的场致发光最为理想,而为实现这一点,提出一种Ⅱ—Ⅳ族多晶异质结新原理(半势垒注入场致发光)。不过,现行的交流场致发光也可使用,但有待得到某些改进。     

场致发光层的高温固化对其亮度的影响

目前作为场致发光层的介质粘合剂材料,其固化温度都不超过130—150℃,并且没有发现用这种条件制备场致发光层对场致发光粉的亮度特性有不良影响。由于发现介电常数大的新粘合剂,它能在200℃以下几小时内固化,所以弄清这种固化条件到底对场致发光粉的亮度及其稳定性有多大影响是重要的。 为此研究了用两种化学性质相同的有机硅粘合剂和场致发光粉—515制作的场致发光层,其一是—1在150℃时固化,其二是—2,它的固化温度仅在200℃。与此同时研究了漆BC—530和在200℃空气中予热5小时的场致发光粉—515及其普通粉制作的场致发光层。     

粉末材料的场致发光(3)——场致发光的应用

一、场致发光屏的制作 粉末场致发光应用的器件形式,就是做成各种不同类型的发光屏。这种屏的结构类似于一个平板电容器,所以有时候遇到场致发光电容器的称呼。它是由透明导电膜、发光粉和粘结剂、金属电极等主要部分组成的。目前已经实用的有两种,一种是以有机介质作粘结剂、导电玻璃作衬底的玻璃屏,一种是以无机介质作粘结剂、钢板作衬底的搪瓷屏。本文只就有机介质的玻璃屏作一初步介绍。 1.常用制屏工艺。在实验室和工厂中比较常用的制屏方法是刮印法和喷刷法。所谓刮印法,就是把发光粉和粘结剂(如发光     

GaN的场致发光

Zn掺杂的GaN场致发光峰在2.6电子伏。认为发光是由于内边界击穿而产生空穴注入的结果。     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

Kerr效应对原子与双模场Raman相互作用模型腔场谱的影响

研究了含Kerr介质高Q腔中单个二能级原子与双模量子化光场发生Raman耦合过程的腔场谱,给出原子初态处于基态而初始光场为数态时的数值结果.发现在一般情况下,两模腔场谱均为双峰结构.Kerr效应对真空场谱结构无影响.在弱场条件下,Kerr效应的增强会导致各模高频峰明显增高,而低频峰明显降低;在强场条件下,各峰峰位都随着Kerr效应增强明显右移,谱结构整体偏离原共振频率.     

Kerr效应对原子与双模场Raman相互作用模型腔场谱的影响

研究了含Kerr介质高Q腔中单个二能级原子与双模量子化光场发生Raman耦合过程的腔场谱,给出原子初态处于基态而初始光场为数态时的数值结果.发现在一般情况下,两模腔场谱均为双峰结构.Kerr效应对真空场谱结构无影响.在弱场条件下,Kerr效应的增强会导致各模高频峰明显增高,而低频峰明显降低;在强场条件下,各峰峰位都随着Kerr效应增强明显右移,谱结构整体偏离原共振频率.     

近期外文资料索引

一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末…