交流场致发光薄膜显示器

据美国《电气与电子工程师协会会报》1973年7期报导,美国西马闯公司制造的交流场致发光薄膜显示屏的结构如图所示。 场致发光薄膜材料主要是ZnS:Mn蒸发膜,膜的下面有一层黑色的电介质,上面有一层透明的电介质。黑色介电层的反射率仅为0.25％。在实验室正常照明条件下,反差比可达30:1。据称,当显示器表面亮度     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

稳定的高亮度薄膜场致发光屏

以前的场致发光屏,在实际应用中,一般有寿命短、亮度低的缺点。 最近,在我们的实验室中,研制成稳定的高亮度薄膜场致发光屏。此屏在250伏(有效值),5千赫电压下,亮度为1000呎朗伯,连续工作10000小时以上,没有变坏的任何表现。也研制出了用于显象的有矩阵结构的屏。     

薄膜场致发光文字数字图象显示

在信息处理技术中使用各种信息显示装置,如数字钟表、台式电子计算机等显示方面大量使用数字显示元件。在图象显示中最有代表性的是电视阴极射线管。这种显示今后将进一步扩大应用。在一些专门技术领域     

室温下KBr和KI晶体薄膜的场致发光

在低温下(<80°K)硷金属卤化物晶体被交流电场激发的本征发光在最近几年已进行了研究。在室温下也曾观察到预先被X射线照射过的KBr晶体在直流激发下的光发射。 现在观察到五色的KBr和KI的室温场     

磁场对ZnS—Cu场致发光粉结构和光学性质的影响

在本工作中研究了室温条件下,强脉冲磁场对ZnS-Cu场致发光粉结构变化的影响。表明磁场强度为50,100和150千奥时,给场致发光粉的作用基本由二个稳定相组成,该作用影响到他们的有序过程和相变β→α-ZnS-Cu。磁场强度为150千奥时,会观测到整个六角结构的有序化和有ZnS-Cu相的中间状态存在。本工作列出了室温条件下磁场作用后ZnS-Cu光学性质、伏安特性和结构性质间的变化关系。     

Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件

日本J.Appl.phys.11(10)72,发表一篇短文,介绍Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件,内容如下: 利用离子注入技术制造薄膜场致发光元件是卓有成效的。我们研究了Mn注入的ZnS薄膜的场致发光性能及有关特性。这种技术有如下一些引入注目的优点:(1)通过反复交替地注入激活剂(Mn,Cu,Al,     

CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究

1.引言 Ⅱ—Ⅵ族粉末磷光体的直流场致发光(DCEL)还没有像交流场致发光(ACEI)研究得那样深入。几乎所有作过的这方面的工作都是关于ZnS:Cu、Mn粉末磷光体的DCEL的。这个事实使我们有理由对CdS粉末的DCEL感兴趣,因为CdS是著名的发光体和光导体。     

ZnS:Mn、Cu粉末直流场致发光(DCEL)形成过程的可逆性质

DCEL的形成过程一向被认为是不可逆的,对这一点从未有人提出过疑义。目前,人们普遍地把形成过程归结为是由于Cu+迁移所引起的一系列物理过程(主要表现为发光屏的电阻急剧增加,激发电流急剧下降;在首次激发时光辐射的产生比激发有一时间延迟以及特有的亮度衰减等)。但我们在实验中也看到了与形成过程相反的过程,即一定程度上电阻的下降,电流的增加以及亮度上升和发光屏状态某种程度的恢复。这些现象可以用Cu+的反向迁移很好地加以解释。     

(Li,Cu)掺杂ZnO薄膜的发光性质

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在n型si(100)衬底上制备(Li,Cu)掺杂ZnO薄膜,研究了室温下薄膜的结构、形貌和光致发光性能.研究结果表明,随着Li掺杂浓度的增加,可见光发光强度增加,可见光发射可能是源于单电离氧窄位到价带顶以及单电离氧空位到Li替位Zn(Lizn)受主跃迁的双重作用.与此类似,Cu掺杂Zn...     

ZnS:TbF_3薄膜的直流场致发光

D.kahng等人报导过ZnS:TbF_3或者其他稀土氟化物薄膜的场致发光,这些稀土氟化物薄膜在交流激发下能产生发光。在这篇文章里这些发光电容器被称为Ⅰ类发光盒。我们已经制成不仅在交流激发下发光而且也能在直流激发下发光的电容器。在直     

场致发光磷光体

综述了硫化锌一类场致发光磷光体的性质。过去,这些磷光体由于材料的限制而带来的亮度低、寿命短以及驱动的问题,仅有少数可以应用的器件。对交流激发的ZnS:Mn蒸发薄膜和直流激发的ZnS:Mn、Cu粉末层这两种特殊的结构形式的性质进行了仔细的讨论。它们表现出高效率、可在低占空因数下使用、具有高反差度、高对比度和可供使用的寿命这样一些特性。此外,基本工艺能够提供廉价而结实的器件,这些器件可以作成各式各样的符号组合以及各种大小。可以得出结论,这一技术对显示系统提供了潜在的优越性,为了满足今后对显示的要求,特别是在成本和坚固性受到苛刻限制的那些场合,它应被看作是一种很有生命力的候选方案。     

场致发光ZnS:Mn,Cu,Cl薄膜对直角脉冲激发的响应

用Cu和Mn激活的ZnS,对于直流电场激发是重要的场致发光磷光体。这样磷光体的发射光谱是由于Mn激活所产生,峰值大约在5850A。Mn发光中心的激发,一般认为是没有中心的离化。在激发过程中,Cu激活剂所起的作用还不完全了解。 Thornton最先报道了ZnS:Mn,Cu,Cl蒸发薄膜的场致发光。有些人研究了这     

氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响。实验结果表明,当氧压从10Pa升高到100Pa时ZnO(002)衍射峰的半峰全宽(FWHM)增大。可以认为这是由于较高的氧压下,到达衬底表面的离子动能减小。这样部分离子没有足够的能量迁移到生长较快的(002)面,c轴取向变差,导致(002)衍射峰的强度降低,半峰全宽增大。随着氧压增大,紫外发光强度增强。这可能是氧压变大,薄膜的化学配比升高,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变氧气压强对薄膜的表面形貌也有较大的影响。     

场致发光显示

1.引言 虽然今天对场致发光显示器件很感兴趣,然而在过去几年里,对它的重视程度是有过很大起落的。早在1937年,Destriau在磷光体粉末上进行了实验,发现直接施加电场可以产生发光。遗憾的是,在科学     

场致发光器件

场致发光屏作为大面积屏或显示器,由于种种原因,没有获得广泛的应用。一个主要的原因是,要获得命人满意的亮度,就要很大的功率。卽使功率损耗不是重要问题,但大量的功耗产生大量的热,就使得屏的各种成分迅速老化,因而使寿命缩短。所以除了一些像夜间光源一类的低功率、低亮度的器件外,其他器件未能成为市售商品。 把发光屏当作一个电容来处理,把它和正好匹配的电感接成谐振回路,并调到谐     

半导体的场致发光

半导体场致发光现在作为商品已肯定是很有吸引力的了。发光二极管的,显示已很普通。一般常见的是新式的手表和袖珍计算机。科学工作者和工程师则经常在各种各样的微小型计算机和台式计算机以及新型电子仪器的读出装置上碰到发光二极管。据权威     

氧化锌的场致发光

其中L_o～an_o,a是电子离化到位置X的激活剂浓度,n_o是在表面(X=0)自由电子浓度,W离子是激活剂离化能量,N是空穴施主浓度,e是元电荷,ε是介电常数,I是电子平均自由程,U是所用电压。 场致发光氧化锌粉沫燐光体,由于它们是采用还原退火制备的,所以具有高量值n的传     

GaN的场致发光

Zn掺杂的GaN场致发光峰在2.6电子伏。认为发光是由于内边界击穿而产生空穴注入的结果。     

埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光

用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合