掺有K4Fe(CN)6/K3IrCl6/K4Ru(CN)6的AgClBr微晶的光电子时间分辨谱

微波吸收介电谱检测技术具有很高的时间分辨率 ,可用于固体中电子输运特性的无接触测量 ,是研究晶体中光生载流子寿命及其迁移行为的有效方法。本文利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱检测装置 ,测量了掺杂K4Fe(CN) 6,K3 IrCl6和K4Ru(CN) 6的AgClBr晶体在 35ps超短脉冲激光曝光后的光电子衰减的时间分辨谱。得到了不同的掺杂剂对AgClBr乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间特性的影响关系。试验结果表明 ,对于所用的 3种乳剂 ,在掺杂量为 1× 10 -6、掺杂位置为 30 %时 ,掺杂K4Fe(CN) 6的AgClBr乳剂的自由光电子衰减时间相对较短 ,感光度相对较高。利用此方法可进一步研究乳剂光电子时间特性与掺杂剂、颗粒形状、颗粒结构、光谱增感和化学增感剂等参数的依赖关系。     

光谱增感剂对AgBr微晶光电子衰减时间特性的影响

本工作利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,测量了菁染料光谱增感后的AgBr晶体在35ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的染料增感条件对材料光电子时间特性的影响关系,实验验证了吸附在T-颗粒(111)晶面上的染料比吸附在立方体(100)晶面上的染料更有效、更有助于形成潜影的论据。     

化学增感对光电子时间分辨谱的影响

利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测,并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱。实验结果表明,在加入Na₂S₂O₃相同的条件下S与S+Au增感中心所起的电子陷阱作用不同,S增感中心所起的作用为深电子陷阱,增感中心由于增加了对光电子的深束缚,从而造成自由光电子与浅束缚光电子的衰减加剧;S+Au增感中心所起的作用为浅电子陷阱,增感中心通过暂时束缚光电子有效降低了光电子与光空穴的复合,减缓了自由光电子与浅束缚光电子的衰减,可见加入KAuCl₄后形成的S+Au增感中心陷阱深度要比S增感中心的陷阱深度浅。从光电子时间分辨谱的变化可以看出S与S+Au增感中心在衰减曲线的不同时域中对光电子衰减的作用表现不同。     

卤化银微晶中光电子衰减谱的特性

光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用 ,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构。采用光学与微波双共振技术 ,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱 ,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布。以自由光电子寿命为纽带 ,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况 ,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度。     

飞秒时间分辨的能谱分析光电子显微镜：异质结超快载流子动力学测量

本文成功搭建了一套集成了能谱分析功能的时间分辨光电子显微镜系统(TR-PEEM),能够对电子密度分布进行时间分辨和能量分辨的成像.这套4D显微镜在空间、时间、能量多维度获取电子动力学信息提供了前所未有的手段.本文使用184 fs的时间分辨、150 meV的能量分辨和优于150 nm的空间分辨对半导体进行了测量,在Si(111)表面的Pb岛上获得了微区光电子能谱和能量分辨的TR-PEEM图像.实验结果表明,这套系统是进行异质结载流子动力学观察的有力工具,有助于在亚微米/纳米空间尺度和超快时间尺度上加深对半导体性质的理解.     

掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性

利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。     

卤化银材料光作用过程的时间分辨谱测量

卤化银材料是重要的光信息材料，对于信息科学与技术的发展具有非常重要的作用。光作用过程的时间特性在很大程度上决定了卤化银材料性能的优劣。本文采用微波吸收技术来测量卤化银材料光作用过程的时间特性。卤化银材料样品被放入微波谐振腔中，在准分子激光的作用下，卤化银材料中生成了光生载流子，光生载流子的产生改变了卤化银材料的介电函数。因此，介电函数的变化体现光生载流子时间特性的信息，同时，介电函数的变化引起微波谐振腔品质因数的改变，品质因数的改变使腔输出了一个反射波，反射波包含卤化银材料光作用时间特性的信息，通过测量反射波、我们能获得卤化银材材料光作用过程的时间分辨谱并研究光作用过程的时间特性。本文获得了卤化银材料光作用过程的时间分辨谱，并对黑白、彩色和X－光片的光作用时间特性进行了分析。     

碘分子离子对态的时间分辨谱

本文用激光脉冲多光子激发的技术获得了碘分子高激发态Ｆ＇（０＾＋ｕ）（Ｔｅ＝５１７０６．７ｃｍ＾－１）的布居，并对该态１０个荧光辐射（３１０ｎｍ带）的时间分辨谱进行了测量。采用二步三光子的非线性激发模型对荧光时间分辨谱的数据进行处理，得到了离子对态Ｆ＇（０＾＋ｕ）的３１０ｎｍ荧光带的辐射寿命。     

产生于双色脉冲与原子相互作用的光电子的时间相关谱

本文研究了双色激光脉冲与原子相互作用的过程.计算了光电子的时间相关谱.并对光电子的时间相关谱的特性以及脉冲强度对该谱的影响进行了讨论.     

掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了K₄Fe(CN)₆浅电子陷阱掺杂剂和S+Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂浓度为10-8～10-7 mol·mol-1Ag时,在增感之前,掺杂位置越接近表面时,光电子衰减过程会变慢,即衰减时间增加;S+Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快,说明了增感中心起深电子陷阱作用,当掺杂位置接近表面90%Ag时,光电子衰减时间突然减小,说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。     

一种新的时间分辨光谱测量方法

提出用汇编语言编制程序控制单片机(AT89C51)及外围电路组成的驱动电路驱动步进电机带动单色仪旋转,得到各个期望波长的光,然后使光信号经过光电倍增管(Hamamatsu 1P28)进行光电转换后得到电信号,把电信号传进数字示波器,通过数字示波器上带有的RS232串口把光谱数据传回计算机处理得到各个波长光的衰减曲线、然后用计算机编程绘图进行处理得到时间分辨光谱的方法。这种测量时间分辨光谱方法的特点是测量各个波长光谱时,在时间上是并行测量而在波长上是串行测量的。通过测量样品Tb(o-BBA)3phen中稀土元素Tb发光的时间分辨光谱验证了这种方法的可行性。介绍了所用测试系统的各部分硬件组成和测试技术,获得了样品Tb(o-BBA)3phen的荧光强度-波长-时间的三维立体图以及对时间积分的积分谱。     

Decay characteristics of SrS:Nd phosphors

The phosphorescence decay of a series of strontium sulphide microcrystalline phosphors prepared with varying amounts of neodymium as an activator has been studied at room temperature. The decay obeys the relationI =I ₀ t ^−b withb lying between 0·35 and 0·98. The trap depths have been evaluated by peeling off logI-t curves. The results show that the distribution of trap levels is likely to be quasi-uniform and the process of retrapping during luminescence is negligible.     

2-羟基吡啶S1态超快动力学

本文利用飞秒时间分辨的光电子成像技术研究了2-羟基吡啶分子在276.9∽250.0 nm波长范围的紫外光激发条件下S₁态的衰变动力学. 根据衰变动力学的泵浦波长相关性,提出了一种衰变机制. 在276.9 nm泵浦波长下,S₁态主要通过系间穿越到更低的三重态衰变. 在264.0 nm泵浦波长下,系间穿越到三重态和内转换到基态的通道同时存在. 在250.0 nm泵浦波长下,内转换到基态过程占据主导.     

Franck Condon Factors for the He(I) Photoelectron Spectrum of Methyl Radical

Computed Franck Condon factors pertinent to the photoelectron spectrum of methyl radical are discussed. The low frequency spacings in the observed spectra are assigned to transitions between the first and second (bending mode, v ₂′) excited states and thus correspond to differences in the bending frequencies of the cation and the radical. The high frequency spacing is assigned as 2v ₂′ of the cation. Any barrier to planarity of the radical is lower than the zero point energy of the bending mode.