利用DIP技术测定荷质比

将数字图像处理(DIP)技术用于汞546.1nm谱线塞曼分裂横效应π谱线、σ谱线的图像处理,建立了CCD实时测量系统。通过多图像平均,图像细化,取样分析,快速方便地测量计算了电子的荷质比。结果表明,直接测量无法分辨的σ谱线可以通过数字图像处理测量;测量π谱线引起的相对误差小于1%,比直接测量法降低了近一个数量级。     

基于普通汞灯光源的横向塞曼效应背景校正大气汞检测方法研究

精确的背景校正决定着冷原子吸收法检测痕量汞的检测下限,研究了基于普通汞灯光源的横向塞曼效应背景校正大气汞检测方法.汞灯光源253.65 nm共振谱线在磁场中垂直于磁场方向产生σ-,σ+和π三个线偏振光.利用超高分辨率光谱仪获取不同磁场强度下汞样品池对σ-,σ+和π线偏振光的吸光度,分析横向塞曼效应背景校正方法所需的最小磁场强度;在1.78 T强磁场强度下,分析了窄带吸收气体苯、宽带吸收气体丙酮对横向塞曼效应背景校正大气汞检测方法可能存在的干扰;利用σ-,σ+作为背景光,π线偏振光作为吸收光,对不同长度的饱和汞蒸气样品池测量,精确背景校正后,吸光度拟合曲线R值达到0.99.实验结果表明基于普通汞灯光源的横向塞曼效应背景校正大气汞检测方法可以实现精确背景校正,能够应用于大气环境痕量汞检测.     

氦原子高激发态的塞曼效应

利用塞曼哈密顿的球张量形式以及塞曼哈密顿在耦合表象中的矩阵元公式,在考虑磁场二次项作用的基础上,研究了氦原子n3P(n=4,5)高激发态的塞曼效应,给出解析解,并绘出了塞曼能级分裂图.     

从分裂波数差谈塞曼效应实验之电子荷质比的测量

从分裂波数差概念出发,理清塞曼效应电子荷质比测量实验中关于观测的对象及其波数差的确定、错序法等容易混淆和不易理解的问题;基于标准具自由光谱范围,利用分裂谱线波数差分布图对汞546.1 nm塞曼分裂错序花样进行了推演。以增进学生对电子荷质比测量方法的理解,并为塞曼效应实验教学提供参考。     

塞曼（Zeeman，Pieter，1865-1943）荷兰物理学家（Physicist，Notherland）

塞曼曾在莱顿大学读书，是卡麦林一翁纳斯和洛伦兹的学生。1893年获得博士学位。在洛伦兹的指导下，他完成了证明置于强磁场中的单一谱线分裂为二条的实验。这种现象称为塞曼效应，它证实了洛伦兹关于原子是由带电粒子所组成的，因而会受到磁场影响的看法。这一效应的本质，可用于推导关于原子的精细结构的详细情形。于是，人们从单一谱线分裂为三条这样一件区区小事，立即领悟到微观世界的奥秘。     

塞曼谱线的偏振特性

根据光子角动量的量子数等于1，以及光子角动量的方向与光的偏振态的关系，详细地解释了塞曼谱线的σ偏振和π偏振是如何形成的。     

塞曼效应对正常金属/d波超导结中微分电导的影响

通过外加塞曼磁场在d波超导中,研究磁场对d波超导及其正常金属/d波超导结中隧道谱的影响。研究表明(1)塞曼磁场能使能隙变小,且随着磁场变大,超导态会变为正常态,产生一级相变;(2)塞曼磁场可导致零偏压电导峰劈裂,劈裂宽度为2h0(h0为塞曼能)。     

Hg的Zeeman效应相对强度实验观察与朗德g因子测量

利用气压扫描式Fabry-Perot标准具测量置于磁场中Hg原子激发态的塞曼光谱,观察谱线404.66 nm,435.83 nm,546.07 nm,579.07 nm的Zeeman分裂,定量测定了各谱线的相对强度,并由此得到各能级的朗德g因子.     

汞原子塞曼效应分裂谱线相对强度的测量

为了研究塞曼效应分裂谱线的相对强度,分析了Hg(546.1 nm)谱线能级在外磁场中的分裂情况,详细给出了分裂能级的量子数分布和理论相对强度;在此基础上采用CCD拍摄了分裂谱线干涉圆环的图像,并对其进行了强度分析,通过图像强度处理得到各分裂谱线相对强度与理论分析结果十分接近;表明采用CCD图像技术能较好的分析塞曼效应现象和规律.     

氦原子1snp组态的塞曼效应

利用塞曼哈密顿的球张量形式,采用将微扰理论与里兹变分方法相结合的方式,导出了氦原子1snp组态塞曼哈密顿矩阵元的一般形式,给出了氦原子1s3p组态塞曼效应之解,并绘出了不同磁场强度下氦原子1s3p组态的塞曼能级分裂图.