激光电离飞行时间质谱法研究Al原子与卤代甲烷气相化学反应

利用分子束和飞行时间质谱技术研究了激光烧蚀金属Ａｌ原子与４种不同的卤代甲烷：ＣＣｌ４，ＣＦ３Ｃｌ，ＣＦ３Ｂｒ，ＣＦ４的气相反应，由激光电离飞行时间质谱检测的结果表明，Ａｌ与ＣＦ３Ｃｌ反应生成ＡｌＣｌ，而与ＣＦ３Ｂｒ反应生成ＡｌＢｒ，与ＣＣｌ４及ＣＦ４反应分别生成ＡＣｌ及ＡｌＦ。     

静高压下非晶（Fe0.09,Mo0.01）74Si9B13合金晶化过程的热力学研究

在６００－９３０Ｋ，常压到７ＧＰａ的范围内，对非晶（Ｆｅ０．９９，Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３合金等温等压退火３０ｍｉｎ。实验表明；其晶化产物α－Ｆｅ（Ｍｏ，Ｓｉ）Ｆｅ３Ｂ和Ｆｅ２Ｂ相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３合金的晶化温度和亚稳Ｆｅ３Ｂ相的析出温度下降，在一定的压力和温度下，亚稳Ｆｅ３Ｂ相半向稳定Ｆｅ２Ｂ相转变其转变温度随压力而变化。     

BF3的同步辐射光电离研究

利用同步辐射光源在超声射流条件下对ＢＦ３进行了光电离研究。在５０～８０ｎｍ内，观测到ＢＦ２＾＋和ＢＦ３＾＋的光电离效率曲线（ＰＩＥ）呈现丰富的自电离结构，分析表明，它们对应于ＢＦ３分子的ｎｓ、ｎｐ和ｎｄ系列的高Ｒｙｄｂｅｒｇ结构，经光谱分析获得了相应的Ｒｙｄｂｅｒｇ态参数。     

一个新的拓扑指数F2及其对ABn型分子键能的研究

建议了一种新的拓扑指数Ｆ２，并用Ｆ２研究了ＡＢｎ（ｎ＝２，３，４，５）型分子的平均键能，研究表明，Ｆ２与ＡＢｎ型分子的平均键能呈良发的线性关系，并得出ＡＢ３，ＡＢ４，ＡＢ５型分子键长与平均键能效关系的数学表达式。     

用LB膜技术组装α—Fe2O3超微粒的研究

用超声分散的方法将α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒分子用于硬脂酸／正己烷／氯仿溶液中，用ＬＢ膜进行有序组装。结果显示：α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒能均匀地分散在有机溶剂中，α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒／硬脂酸单分子膜的成膜性能良好，复合膜中的α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒有一定的有序性，α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒硬脂酸复合ＬＢ膜具有层状结构。     

BaFBr，BaFBr：Eu~（2＋）和BaFBr：Ce~（3＋）晶体在X射线辐照和光激励过程中发光和光电导的实时原位测量

在自建的多功能实时原位测量发光特性和光电导的实验装置上，测量了ＢａＦＢｒ，ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋和ＢａＦＢｒ：Ｃｅ３＋单晶在Ｘ射线辐照和光激励过程中的发光强度和光电导。首次从光电导的角度测量到Ｘ射线辐照时，Ｅｕ２＋并没有被离化，而Ｃｅ３＋被离化，离化电子经导带被Ｆ＋心俘获；明确证实了光激励过程中Ｆ心电子的隧穿效应。     

激光驱动内爆低产额中子探测

采用新研制的BF_3计数管阵列测量激光驱动(包括间接驱动和混合驱动)充DT玻璃微球靶内爆中子产额。着重介绍BF_3计数管阵列的设计及特点,高压门电路的研制和1990年在上海“神光”装置上的测量结果。     

热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能

采用高温溶液法，以Ｂｉ２Ｏ３／Ｂ２Ｏ３为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石（ＴｂＹｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２（简称ＴｂＹｂＢｉＩＧ）晶体。晶体外形规则，最大尺寸为７×６×４ｍｍ３，Ｘ射线衍射分析证实，生长的晶体为ＴｂＹｂＢｉＩＧ单相单晶体，扫描电镜能谱分析其组成为Ｔｂ２．０６Ｙｂ０．４６Ｂｉ０．４８Ｆｅ５Ｏ１２。在１．０μｍ～１．７μｍ波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ＝１．５５μｍ时，在１０°Ｃ～８０°Ｃ温度范围内测得法拉第旋转θＦ的温度系数为ｄθＦ／ｄＴ＝－２．３×１０－２ｄｅｇ·ｍｍ－１Ｋ－１。研究结果表明，ＴｂＹｂＢｉＩＧ单晶体在近红外波段θＦ约为ＹＩＧ单晶的３倍，温度系数小，是制作高性能光隔离器的一种好材料     

等色染料离子对浮选光度法测定铂

提出了等色染料离子对浮选光度法、向罗丹明６Ｇ（Ｒ６Ｇ）和Ｐｔ（ＳｎＣｌ３）５＾３－的异丙醚浮选物Ｐｔ（ＳｎＣｌ３（５（Ｒ６Ｇ）３中，加入ＰＨ＝５．５的醋酸－醋酸铵缓冲溶液，使Ｒ６Ｇ离子进入水相，并向其中加入与Ｒ６Ｇ颜色相同的四溴荧光素（ＴＢＦ）〉形成等色染料等离子对Ｒ６Ｇ，ＴＢＦ，再被甲茉浮选，将浮选物溶于丙酮，于５３０ｎｍ处进行光度测定，由于６个染料分子（Ｐｔ：Ｒ６Ｇ：ＴＢＦ）＝（１：３：３）ｅ     

Fe：BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，ＢＳＯ）晶体中掺入少量Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｆｅ：ＢＳＯ晶体，由于Ｆｅ杂质在ＢＳＯ晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位于共轭反射率等光折变性能指标有较大提高，文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

高效率BF3正比探测器阵列探测中子技术

针对中子产额范围宽、下限低，研制4个具有高中子探测效率的正比探测器，由置于慢化体内的BF3正比计数管阵列和电压前置放大器组成。每个探测器内共包括12支BF3正比计数管，并根据不同的数目分为两组。在图l所示的实验中，利用这种多管的正比探测器，可以对产额变化范围宽、下限低的不同脉冲中子源产额进行测量。     

Ce3+,Tb3+氟化物磷光体的发光性质比较

采用溶液反应和固相反应分别合成了Ｋ３ＡｌＦ６基质化合物及ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体,研究了它们的光谱特性,并与ＫＡｌＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ、ＣａＦ２：Ｔｂ和ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体的发光特性进行了比较。结果发现,ＣａＦ２：Ｃｅ,Ｔｂ、ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ、ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递不能有效进行,有时Ｔｂ＾３＋起     

Fe掺杂的LaBa2Cu3O7的晶体微结构

本文应用Ｒｉｅｔｖｅｌｄ精修方法对高浓度Ｆｅ掺杂的ＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏｄ（ＬＢＣＯ）超导体的Ｘ射线衍射谱进行了仔细的分析，得到了各掺杂样品的品格参数和原子结构参数，结果表明，Ｆｅ掺杂诱导了ＬＢＣＯ晶格的结构相变，随着Ｆｅ浓度的增加，出现了从正交到四方再到正交的结构震荡。     

与Al发生扩散反应的非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13晶化

高压下与Ａｌ发生扩散反应的非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３（ＦＭＳＢ）的不同。与Ａｌ反应的ＦＭＳＢ非晶在３．０￣５．０ＧＰａ,７８０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ａｌ）和次亚稳非晶合金;在这一压力范围以外,７２０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ｓｉ）,Ｆｅ３Ｂ或Ｆｅ２Ｂ。与Ａｌ发生反应的ＦＭＳＢ非晶可能通过与Ａｌ的扩散反应在Ａｌ／ＦＭＳＢ界面开始晶化。压力和温度对晶化过程     

［（μ－CF＿3CO＿2）＿2Ln（μ－CF＿3HCO＿2）Al（i－Bu）＿2·2THFl＿2（Ln＝Nd，Y）配合物的NMR和X－射线衍射研究

对［μ－ＣＦ＿３ＣＯ＿２）＿２Ｌｎ（μ－ＣＦ＿３ＨＣＯ＿２）Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）＿２·ＴＨＦｌ＿２（Ｌｎ＝Ｎｄ，Ｙ）配合物单晶结构的Ｘ－射线分析指出，配合物具有中心对称性，配位中心由两个稀土和两个Ａｌ离子组成，稀土由两个ＴＨＦ和６个ＴＦＡ分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构，Ａｌ由两个ＴＦＡＧ和两个ｉ－Ｂｕ配位形成四面体结构。桥连Ａｌ与两个稀土的ＴＦＡ分子的羧基发生歧化加氢，其碳原子由ＳＰ￣２型转变为ＳＰ￣３型．ＮＭＲ研究表明，在ＴＨＦ溶液中，该配合物保持了它在单晶中的配位结构，所不同的是两个ｉ－Ｂｕ在溶液中有两种异构形成，二者间为慢交换过程。     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

17dBm功率,46dB增益和3.3dB噪声系数的掺铒光纤放大器

１７ｄＢｍ功率、４６ｄＢ增益和３．３ｄＢ噪声系数的掺铒光纤放大器唐平生刘小明刘丹彭江得范崇澄周炳琨（清华大学电子工程系，北京１０００８４）运转于１．５５μｍ波段的掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）是光纤通信系统中理想的光放大器，在光纤传输与网络系统中的应用为...     

YBCO超导薄膜的等离子体氟化研究

本文利用ＣＦ４气体，对ＹＢＣＯ薄膜表面进行可控的ｒｆ等离子体氟化处理，ＡＦＭ与ＸＰＳ的分析结果表明：适当的氟化所起的作用主要为化学反应作用。氟化可造成Ｙ（３ｄ）与Ｏ（１ｓ）诸元素的本征峰相对强度减少，甚至消失；对Ｂａ（３ｄ），Ｂａ（４ｄ）和其它元素也有影响。本文的研究为利用等离子体氟化ＹＢＣＯ膜形成弱化势垒层提供了初步结果。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，