HL—1M装置内壁锂涂覆实验

Li是原子序数最小的金属元素,具有非常活泼的化学活性,是最有希望的第一壁材料。TFTR装置经过锂化后提高了等离子体存储能量、中心离子温度和密度的峰化以及聚变反应速率,表明了原位锂化的巨大优越性。原位硅化已成为HL－1M装置常规壁处理手段,与此同时,HL－1M装置也正在探索先进的锂化工艺技术。本文介绍了HL－1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。     

HL—1和HL—1M装置抽气孔栏的研制

本文介绍了用于ＨＬ－１和ＨＬ－１Ｍ装置的抽气孔栏（ＰＬ－１，ＰＬ－１Ｍ），着重于ＰＬ模件的工程设计，简要叙述了ＰＬＣ的制造和在装置上运行的实验结果。     

HL—1M托卡马克中的硼化

用碳硼烷加氢直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ硼碳比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻能力。硼化显著了改善了等主子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。     

HL—1M装置第一壁的硅化和锂涂覆

用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉放放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。     

HL—1M装置器壁硅化对电子速率分布的影响

在欧姆加热和低混杂波电流驱动条件下,利用磺化汞半导体探测器和碘化钠和探测器测出了ＨＬ－１Ｍ装置的Ｘ射线能谱,研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点,给出了Ｘ射线辐射强度与ＬＨＣＤ能量沉积的关系。     

HL—1装置表面分析站的研制

等离子体与表面相互作用的重要性是人们公认的。我们试图在HL-1装置上原位测量表面状态,本文叙述了为HL-1研制的表面分析站及测得的一些结果。为装置提供了实验数据。     

中国环流器新一号（HL—1M）装置研制

ＨＬ－１Ｍ装置是由ＨＬ－１托卡马克改建成的，从１９９４年１０月起，已成功地投入运行。它们是一个中型圆截面托马克装置，但去掉了铜导体壳，以 便以地等 体进行高功率辅助加热，低杂波电流驱动和弹丸注入等研究。     

HL—1M装置托卡马克放电的进展

本文给出了ＨＬ－１Ｍ装置托卡马克放电的一些结果。在最初调试阶段，得到了ＩＰ＝３１０ｋＡ，ＶＬ≤１．２Ｖ，持续时间τＰ≥１０４０ｍｓ的等离子体。随着实验技术的改进，等离子体参数不断提高，等离子体存在时间成倍增长，密度极限也在提高。     

HL—1M装置硼化,硅化和锂涂覆壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化和Ｌｉ涂覆壁的出气特性的对比实验研究。     

HL—1M装置多发弹丸加料实验观测

首次在ＨＬ－１Ｍ装置上投放使用的多发弹丸加料系统，能一次注入多达４粒Φ１．０ｍｍ的氢弹丸，弹丸速度在５００－８００ｍ．ｓ＾－１之间。弹丸注入后，得到离子体密度峰化系数ｎｃ（０）／〈ｎｃ〉＝１．８能量约束时间与喷气加料放电的相比提高３０％以上的实验结果。观察到了弹丸注入等离子体引起弹丸消融物沿磁力线流动的图像变化，电子温度分布和ＭＨＤ行为的演变过程以及新的边缘等离子体特性。     

HL—1M装置的真空进展

总结了１９９４ 至１９９８ 年度ＨＬ－１Ｍ 装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展、影响壁条件的主要因素及其控制指标等     

HL—1M装置ICRH天线设计及最佳耦合研究

本文对HL-1M装置离子回旋共振加热(ICRH)天线设计及最佳耦合研究所采用的数值计算公式进行了推导。对天线耦合有重要作用的特征电阻R、特征电感L和特征电容C进行了数值计算。讨论了天线几何尺寸,等离子体参数对ICRH的影响,比较了3维和2维数值计算的结果,从中得到了HL-1M条件下最佳功率耦合的天线几何参数和设计的指导原则。     

HL—1装置交流放电碳化实验

一种交流放电原位碳化技术首次在HL-1装置环形真空室内壁进行了试验。碳沉积膜样品作了扫描电镜,俄歇电子能谱和二次离子能谱深度轮廓和成分分析。壁碳化前后托卡马克放电杂质可见光谱和真空紫外光谱强度对照分折表明,碳化壁状态下,孔烂和金属壁材料Mo和Cr等在等离子体中含量下降80％左右,而C,O等轻杂质量有所上升;氢粒子约束时间τ_p和再循环率系数R较裸金属壁状态大致增加20％。碳化壁经惰性气体He或Kr放电锻炼后,在托卡马克放电中壁表面显示出明显的抽吸作用。     

HL—1M托卡马克装置的DC辉光放电清洗

本文简要叙述了ＨＬ－１Ｍ的ＤＣ辉光放电清洗技术和放电结果。实验表明，类似ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置的真空室，经过烘烤，Ｔａｙｌｏｒ放电和ＤＣ放电清洗后，有可能得到高品质的等离子体。     

HL—1装置屏蔽板效应研究

本文描述HL-1装置屏蔽板对欧姆变压器杂散场屏蔽效应的实验研究和理论计算,模拟实验结果与HL-1装置的理论计算值符合较好。     

HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后遥ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响。     

HL—1M装置锁模不稳定性研究

在大型托卡马克装置中,各种线圈安装的微小偏差将会引起严重的误差场不稳定性,导致锁模类在大破坏,因此,锁模不稳定性是研究误差场不稳定性的基础。本文分析了H-1M装置锁模不稳定性的产生条件及其特点,并提出抑制锁模不稳定性的参考建议。