光MOS继电器的应用

继电器的发展继电器是一种能自动通、断的控制器件，广泛应用于自动控制、遥控遥测、通信、计算机、家电等各个领域，发挥控制、保护、调节和传递信息等作用。估计当今世界共约生产３０多亿只继电器，产值２０多亿美元，保持着稳定增长的态势。表１三类继电器的比较电磁继...     

超小型光MOS继电器的应用

PhotoMOS继电器是电子继电器中的一种，它体积小，导通电阻极低的优点是其它类型继电器所不能比拟的，文中介绍了一种Photo MOS继电器在实际工作中的应用。     

继电器故障的检修方法

为确保继电器动作可靠和延长其使用寿命，除要严格遵守其使用规定，包括工作温度、湿度及大气压力等环境条件，触点额定电压、电流等容量参数，选择合理的线圈匝数、线径、电阻、工作电压、电流、消耗功率、吸动及释放安匝力和时间等外，继电器的正确安装，也是保证其可靠工作的必要条件。     

国外MEMS继电器的发展

介绍了国外MEMS继电器的最新发展情况。以静电MEMS开关、电磁MEMS开关、磁保持MEMS开关和热MEMS开关为例,描述了MEMS开关的结构和工作原理。特别对静电MEMS开关和磁保持MEMS开关,给出了有关的理论计算。给出了各种类型MEMS开关的比较。介绍了MEMS开关制造方法和射频性能,最后介绍了MEMS开关的应用前詈。     

PhotoMOS继电器（中）

PhotoMOS继电器的输出采用光电元件和功率MOSFET，最初用于微小模拟量信号的SSR，即：高功能型的HF型，后又相继推出通用型的GU型、高频型的RF型等。本刊上期介绍了PhotoMOS继电器的概要，本期将介绍有关PhotoMOS继电器内置式、结构独特的控制电路的光电元件的特点、结构、典型电路等内容。FET型半导体继电器的基本电路图1为PhotoMOS 继电器所代表的FET型半导体继电器最基本的电路。该电路因输出元件的功率MOSFET是电压驱动型元件，因此，由于光电二极管阵列(P.D.A)供给电压，栅极容量被充电，通过使栅极电压上升到开启…     

PhotoMOS继电器（上）

松下电工的PhotoMOS继电器使用光电元件和功率MOSFET进行输出。该继电器通过光结合使输入输出间完全绝缘,与原来的机械继电器有所不同的是用LED和光电元件进行输入输出传送,其寿命可谓类似永久性的。本刊分上中下三部分对PhotoMOS继电器的概要、控制电路、可靠性进行介绍。本期介绍PhotoMOS 继电器概要部分。     

PhotoMOS继电器（下）

当今,随着微电子化的显著发展,在重视安全性方面,对装置的可靠性要求逐渐提高,器件的可靠性是决定系统可靠性方面重要的一点。PhotoMOS继电器用LED与光电元件进行输入输出传导,其寿命是半永久性的。本刊上期介绍了PhotoMOS继电器的控制电路,本期将讨论PhotoMOS继电器的寿命和可靠性。PhotoMOS继电器的寿命开闭寿命PhotoMOS继电器是由半导体元件构成的半导体继电器,与机械式继电器有所不同,若在通常额定条件内使用,不会因切换次数而影响寿命。LED发光效率随使用时间的变化PhotoMOS继电器的输入部分使用的是GaAs的LED,会因长时…     

MOS隧道结的光发射

介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施     

基于ZigBee的电风扇-继电器控制

基于目前家庭中电风扇的控制都是通过手动拨动电风扇档位开关实现的现状,结合继电器的优势,提出利用继电器控制电风扇相应档位的方法。利用ARM9开发板,借助Qt开发环境,设计电风扇控制界面,通过对界面操作,将信号通过ARM9的串口传给Zig Bee协调器,借助Zig Bee无线传输技术进行组网,将信号传送给Zig Bee终端节点,进而对档位-引脚进行控制,从而达到远距离、智能化控制电风扇的目的。对提出的方法进行了200次测试,并对结果进行记录和分析,使测试准确率达90%以上。     

同步交流馈电器的应用

目前在ＣＡＴＶ网络中,由于传输电缆供电中断而引起传输信号中断逐渐引起人们的重视,特别是当前ＣＡＴＶ逐渐向交互式的综合业务方向发展的情况下（如全场数据广播）,接收方是靠数字信号的存储完成信息的接收,只要短时间的中断就会造成信息的丢失,并由此给用户带来损失。因此,如何提高网络供电的可靠性,成了必须解决的问题。１ 目前ＣＡＴＶ网的供电构成目前ＣＡＴＶ电缆网的组成方式是：当光纤分离出ＲＦ电信号后,要通过一条由电缆和多级放大器组成的电缆干线将ＲＦ信号放大传送到各家各户,一般这条干线要经过城区的多片高压变压…     

MOS开关传输交流信号的误差分析

本文对MOS开关在传输交流信号时，由于导通电阻所产生的传输误差，结合MOS管的物理特性，进行了简捷实用的分析，提出了减少传输误差的措施。     

光MOS固体继电器抗电离辐射研究

分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式,并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品,并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性,结果表明,器件抗辐照能力大于30krad（Si）,能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。     

HgCdTe MOS结构势垒光电动势的研究

在已经报道过的有关Hg_(1-α)Cd_αTeMOS结构电物理特性的实验研究和理论研究的文献中,用作介质层的有简单的ZnS薄膜,也有由薄薄的自生氧化膜和ZnS薄膜组成的双层结构。有许多文献还引证了阳极氧化薄膜的参数及金属一阳极氧化薄膜一半导体(HgCdTe)电容电物理特性的研究结果。本文的目的是,获得具有阳极氧化薄膜的HgCdTe MOS结构,并研究其光电特性:势垒光电动势与偏压、温度之间的关系。实验所用的材料为n型及p型HgCdTe     

MOS型波导光学特性分析

本文分析了MOS型波导中金属包层对波导光学特性的影响,给出了TE模传播常数和吸收损耗系数的近似计算公式.为了消除由金属包层引起的吸收损耗,结合计算实例讨论了氧化物缓冲层所需厚度的选择.     

MOS功率晶体管特性的温度效应

已设计的实验能够在同一仪器上方便地测量MOS功率管的脉冲I-V输出特性、直流I-V输出特性和器件内部的温度。对实验结果进行的综合分析表明,阈值电压随温度的增加而减小将引起MOS功率管的热不稳定,而表面迁移率随温度的增高而下降使MOS功率管的直流I-V特性在大电流区域呈观负阻。本文提出了反映热特性的两个特征点,给出了这两点处的栅源电压与器件设计参数的关系,作为MOS功率管热特性设计的依据。     

MOS场效应晶体管特性与应用

一、MOS场效应晶体管导电机构及原理 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是 N沟导 MOS管芯结构原理图,即在 P型硅基片上有两个 N~+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用 D表示,在 D和 S间的硅片上覆盖了较薄的 SiO_2绝缘层和金属层,并引出一电极,     

高频MOS场效应管变换器工作特性

功率 MOS—FET 的漏极、源极间,存在着反向内部二极管,用MOS—FET 组成 PWM 型变换器时,由于其内部二极管的恢复电流而引起上下支路的短路现象。若采用电感来控制电流的上升能有效地防止这种现象,本文把紧耦合电感的短路电流控制电路用于100KHZ 左右的高载波频率上工作,做成功率1KW 的PWM 变换器。而且求出各元件上的损耗以及变换器的效率。依据理论值和实验值的比较研究,给出 PWM 变换器的设计指南。