共查询到16条相似文献,搜索用时 203 毫秒
1.
为了研究离子束刻蚀抛光过程中离子源工艺参数对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,采用微波离子源为刻蚀离子源,以BCB胶为主要研究对象,研究了离子束能量、离子束电流、氩气流量、氧气流量对BCB胶刻蚀速率及表面粗糙度的影响,获得了离子源工艺参数与刻蚀速率及表面粗糙度演变的关系。研究结果表明,离子束能量在从400 eV增大到800 eV的过程中,刻蚀速率不断增大,从3.2 nm/min增大到16.6 nm/min;离子束流密度在从15 mA增大到35 mA的过程中,刻蚀速率不断增大,从1.1 nm/min增大到2.2 nm/min;工作气体中氧气流量从2 mL/min增大到10 mL/min的过程中,刻蚀速率会整体增大,在8 mL/min处略有下降。表面粗糙度变化不大,可以控制在1.8 nm以下。 相似文献
2.
3.
多层介质膜光栅是高功率激光系统的关键光学元件. 为了满足国内强激光系统的迫切需求,首先利用考夫曼型离子束刻蚀机开展了HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀实验研究. 采用纯Ar及Ar和CHF3混合气体作为工作气体进行离子束刻蚀实验,获得了优化的离子源工作参数. 结果表明,与纯Ar离子束刻蚀相比,Ar和CHF3混合气体离子束刻蚀时的HfO2/光刻胶的选择比大. HfO2的离子束刻蚀过程中再沉积效应明显,导致刻蚀光栅占宽比变大. 根据刻蚀速率分布制作的掩模遮挡板可以提高刻蚀速率均匀性,及时清洗离子源和更换灯丝,可保证刻蚀工艺的重复性. 利用上述技术已成功研制出多块最大尺寸为80 mm×150 mm、线密度1480线/mm、平均衍射效率大于95%的HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅. 实验结果与理论设计一致,为大口径多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀提供了有益参考.
关键词:
光栅
多层介质膜
离子束刻蚀 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
离子束刻蚀软X射线透射光栅实验研究 总被引:3,自引:2,他引:1
利用全息-离子束刻蚀方法研制出了聚酰亚胺薄膜为衬底的金软X射线透射光栅.研究了光栅制作中曝光量、显影条件和离子束刻蚀工艺等因素对光栅参数的影响,并给出了在惯性约束激光核聚变实验研究中的应用结果, 相似文献
9.
亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作 总被引:3,自引:3,他引:0
采用软光刻技术中的微接触印刷(μCP)技术、表面诱导的水蒸气冷凝、表面诱导的去湿行为,在金基底上制作出了亚微米的环状周期结构聚合物掩膜.通过对离子束刻蚀过程中各个参量对刻蚀元件的表面光洁度、轮廓保真度和线宽分辨的影响分析,结合掩膜的实际情况选择出了合适的离子束入射角、离子能量、束流密度和刻蚀时间等参量.依照这些参量刻蚀出了高质量的亚微米尺寸环状周期结构元件.通过对刻蚀出的元件的检测发现,刻出的元件表面光洁度、轮廓保真度和侧壁陡峭度都非常好. 相似文献
10.
采用不同的方法裁剪高定向热解石墨(HOPG),制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用 电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50 nm的纳米石墨图型 (nano-size d graphite pattern,纳米尺寸的多层石墨结构).采用了三种不同的方案制备反应等离子刻 蚀过程中需要的掩膜,分别是PECVD生长的SiO2掩膜,磁控溅射的方法生长的Si O2掩膜和PMMA光刻胶掩膜,并将三种方案的刻蚀结果做了对比.
关键词:
高定向热解石墨
聚焦离子束刻蚀
电子束曝光
反应离子刻蚀 相似文献
11.
12.
离子束平动刻蚀工艺衍射光学元件的设计及制作 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种用于制作二维光束整形衍射光学元件的新方法———离子束平动刻蚀工艺。分别介绍了利用这种新方法设计衍射光学元件的原理、设计过程以及刻蚀工艺系统的构成和掩模板的设计方法。结果表明 ,这种新的工艺方法不拘泥于圆对称系统 ,不但继承了离子束旋转刻蚀工艺的位相真正连续分布的优势 ,而且所制作出的衍射光学元件 ,即使对于半导体激光器所产生的两个方向发散角不同的激光束来说也仍然可以进行整形 ,并最终能得到矩形焦斑。这种工艺方法的理论设计也可以从二维化简为两个一维的设计 ,从而大大简化了设计计算的复杂程度 相似文献
13.
14.
The formation of in-plane texture via ion bombardment of uniaxially textured metal films was investigated. In particular, selective grain Ar ion beam etching of uniaxially textured (0 0 1) Ni was used to achieve in-plane aligned Ni grains. Unlike conventional ion beam assisted deposition, the ion beam irradiates the uniaxially textured film surface with no impinging deposition flux. The initial uniaxial texture is established via surface energy minimization with no ion irradiation. Within this sequential texturing method, in-plane grain alignment is driven by selective etching and grain overgrowth. Biaxial texture was achieved for ion beam irradiation at elevated temperature. 相似文献
15.
微透镜阵列反应离子束蚀刻传递研究 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种微透镜阵列复制的新方法-反应离子束蚀刻法(RIBE)它在工作原理和参数控制等方面较传统的蚀刻方法有很大的先进性,能够实现蚀刻过程的精确控制,本文详细阐述了反应离子蚀刻过程中的蚀刻选择性的控制方法,通过对各种蚀刻参数的控制,最终实现了微透镜阵列在硅等红外材料上面形传递的深度蚀刻,口径φ100μm的F/2微透镜阵列在硅基底上的传递精度达1:1.03,无侧向钻蚀。 相似文献