a－S1∶H CCD的转移特性分析

本文从ａ—Ｓｉ∶Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ—Ｓｉ∶Ｈ带隙态分布模型计算了ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料参数对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的动态特性影响的数值分析结果．理论结果表明，ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料带隙中的局域态分布对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响．而且在高频下，ａ－Ｓｉ∶Ｈ中的带尾态对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大．     

a—Si：H中第二类亚稳缺陷的观察

我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅带隙态密度及其分布的亚稳变化效应，实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系。首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点，定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系。     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

PINIP结构a—Si：H多色光电探测器电路模型研究

本文以ＰＩＮＩＰ结构各区载流子速率方程为基础,综合考虑了各区的多种物理过程,在适当的近似条件下,给出一个完整的ＰＩＮＩＰ多色光电探测器电路模型。该模型的模型参数直接与的几何及电学参数相联系,对于器件的优化设计尤其方便。该模型可在开发ＯＥＩＣ电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中,它可用于直流,交流,瞬态分析。     

a—SiN：：H的退火自理及其对a—Si：HTFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响，实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－ＳｉＮ：Ｈ ＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性变坏。     

带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用

研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。     

a—Si：H磷掺杂机理

Ｓｔｒｅｅｔ的自动补偿模型不是ａ－Ｓｉ：Ｈ中磷掺杂的唯一机理，它略去了带尾态电子密度ｎＢＴ，实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Ｗｉｎｅｒ ｅｔ ａｌ的磷杂质结合模型，可以推广到ｎＢＴ≠０情形，其反应常数仍满足Ｈｅｎｒｙ定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数，其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。     

关于a—Si：H电池稳定性的实验

本文对辉尤放电法(GD法)制备的非晶硅(a-Si:H)太阳电池样品进行了光致效应的实验,研究其暗电导、光电导及在不同光强、光照温度下的变化规律,较深入地讨论现象和产生机理。     

一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析

运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在(2.5~5.5)×1016 cm-3,结深应控制在5.5~6.5μm的结论。     

氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究

报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。     

一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析

运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析.结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450～550 keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200～600 keV,剂量控制在4.0×1012～8.0×1012 cm-2,器件弥散特性最佳.     

用改进的调制光电流相移分析技术研究氢化非晶硅的隙态分布

本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法，在此基础上，采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应．实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的．除了核准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本身电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1～2个数量级；经严格校准的光电流相移测试，a－Si：H的隙态分布在导带边以下约0．43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D-中心引起的．光照引起浅态减少，深态增加，引起了隙态重新分布．