从表观结构来研究不同温度下的预形变对铝单晶体范性形变的影响

用光学显微镜和电子显微镜研究了:在某一温度(-180℃,-80℃,20℃)下的预先拉伸对铝(纯度为99.99％)单晶体以后继续在另一温度(80℃,20℃,-80℃,-180℃)下拉伸时形变结构变化的影响。预形变量为10％,后来的形变量为1％,10％,40％。形变速度约为1％/秒。将得到的一些结果,在它们彼此间以及与形变过程中温度不改变的情形(20℃,-80℃,-180℃)作了比较。此外,并用在每拉伸0.3％后即照一次光学显微镜相的方法,研究了单晶体表面形变结构变化的动态过程。结果的分析指出,形变单晶体的结构也和流变应力一样,不是形变瞬时温度的单值函数,而是和预形变温度有关的。以预先的形变中和后来的形变中的硬化及回复过程的效果,对所观察到的单晶体形变表观结构的特点作了解释。     

铁在范性形变过程中的低频内耗

在改装了的拉力试验机上测量了纯铁在范性形变过程中的内耗。研究了拉伸速率(在0.73×10^-6-50×10^-6/秒范围内)、测量频率(在0.3—3.6/秒范围内)、应变退火及含碳量等对纯铁范性形变过程中内耗的影响。所得结果表明,在屈服平台上,范性形变过程中内耗基本不变,且其值随范性形变速率的增加和测量频率倒数的增加而线性增加。将实验结果与范性形变过程内耗的位错动力学模型所得出的定量关系式进行了对比,得到了满意的符合。求得了退火纯铁在屈服平台上的位错动力学指数为10 关键词：     

金属范性形变低频内耗的位错动力学模型

本文从位错理论及内耗理论的最基本图象出发,推导出一个能表达金属范性形变内耗与范性形变速率、屈服应力及测量内耗的频率等因素的定量关系式,并与实验结果进行了比较,得到了较满意的符合。     

钼单晶体的冷轧及再结晶织构

本文研究了(110)[001]和(111)[112]取向的钼单晶体,在经过70％、80％和85％冷轧后的加工織构,以及退火后的再结晶織构。分析了(111)[112]取向晶体在轧制变形时,由于各组滑移系间的交互作用而引起晶体取向的转动,从定向生核的观点,能够比较满意地解释这类取向的晶体随着压下量从70％增加到85％,再结晶織构从(221)[114]、(110)[001]向着(320)[001]和(210)[001]逐渐变化的现象。 关键词：     

范性形变对NbTi合金超导转变温度的影响

研究了时效热处理的Nb50wt％Ti和Nb46.5wt％Ti合金在经历不同程度最终冷变形后,它们的超导转变温度的变化。研究发现:当最终真应变≥2.5时,NbTi合金(420℃×40h三次热处理)的超导转变温度随最终真应变增加而线性下降。针对该实验结果,本文在理论机制上进行了探讨。     

铝铜合金在范性形变过程中的低频内耗

在小型拉力试验机上测量了几种铝铜和铝镁合金试样在拉伸形变过程中的低频内耗,观测到在内耗-应变曲线上出现一系列的跳跃现象。研究了测量温度和一些冶金因素对于这种跳跃现象的影响。实验结果指出,出现这种现象的温度范围与铝铜合金中出现台阶状或锯齿状应力-应变曲线的温度范围相对应。这表明,这种现象与在范性形变过程中所进行的应变时效过程有关,是由于位错气团在形变过程中的更迭形成和解脱所引起。 关键词：     

钼单晶体中亚晶界位错结构的研究

本文应用蚀象法对电子束浮区区熔法制得的原生态钼单晶体中的亚晶界位错结构进行了直接观测。对于实验结果进行了细致的分析,并与亚晶界的Frank公式的一些预期结果比较,全面地证实了理论预测。对(111)面上平行蚀线方向的测量表明,它们大体沿着1/2〈111〉刃型位错的滑移面及攀移面的交线,从而证实了它们是这种位错所组成的一组位错倾侧型晶界。通过对蚀斑三叉亚晶界的分析,检验了推广后的Read-Shockley公式,同时表明存在着两组位错的倾侧晶界。对于(111)面上观察到的15组蚀线网络进行了分析,结果表明其中5组是1/2〈111〉/〈100〉网络,9组是〈100〉/〈110〉网络。分析中,除去应用Carrington等所发展的极图分析法以外,我们还根据Frank公式所规定的网线间距的关系式,提出了进一步定量检验的分析方法。实践证明,当极图分析不能获得唯一的结果时,这种定量检验法可以有效地确定位错网络的Burgers矢量。此外,我们还观察到奇位错和亚晶界交互作用的事例,特别是奇位错在亚晶界上引起“台阶”以及夹杂物和亚晶界交互作用的迹象。不同类型的亚晶界交接以及非平衡态的亚晶界也是经常可以观察到的。以上结果表明,蚀象法对于定量地研究原生态晶体中的亚晶界位错结构是极其有效的,其能力并不亚于电子显微镜薄膜透射法。     

镍碳固溶体在范性形变过程中的位错内耗

在小型拉力试验机上测量了含有不同碳量的镍在范性形变过程中的低频内耗,观察到当含碳量在某一适当范围以内时,内耗-应变曲线上出现了一系列的峯值。研究了不同热处理条件、预先冷加工以及测量温度对于这种内耗现象的影响。初步认为这一系列峯值是由于位错气团在形变过程中的更迭形成和解脱所引起的。     

利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体

本文简单介绍自制的1.5千瓦电子束浮区区熔装置及其工作情况。应用这种装置我们制备了直径4毫米、长2—5厘米的钼单晶体,并掌握了制备定向单晶体的实验技术。制备的钼单晶体没有择优取向;显微镜观察发现晶体表面有大量的台阶(高度在2.3×10^-5—6.3×10^-4厘米),初步推断为蒸发台阶。 关键词：     

铁硅合金(110)[001]单晶体的形变和再结晶

本文研究了含硅3.25％铁硅合金(110)[001]的单晶,在压下量为5—50％范围内的形变和再结晶。沿样品轴向冷轧2—16％后,测出的滑移面为(101),(101),(011)和(011),孿生面为(112)和(112),这很好地解释了本文所得冷轧机构的来源。样品经过35％和50％冷轧后,在退火时再结晶晶粒形成的部位和生长的情况有所不同:前者在孿晶界上领先形成,并沿孿晶界择尤生长;而后者除了观察到在孿晶界和形变带附近形成外,还观察到一种通过亚晶粒长大而成的晶粒,它们择尤生长的趋势也不如前者明显。     

钼晶体中的位错线蚀象的研究

实验结果表明,应用甲醇、硫酸、盐酸的混合液为电解浸蚀剂,可以在钼晶体的{100},{111}及{110}面上显示位错蚀斑,而在{111}面及{110}面上同时可以显示出排列成平行线或六方网络的蚀线,这些蚀线被证明为位错线的蚀象。根据观测结果,总结出解释位错线蚀象的经验规律:观测到的蚀象相当于一定深度内位错线在观察面的投影;蚀象的宽度决定于位错线段到原始表面的距离,距离愈远,宽度愈细,类似于一种夸张的光学透视效应,因而根据蚀象就可以直接推出位错线在空间的位置,采用多次浸蚀的方法,对于一些位错空间排列组态的实     

掺Ba的Bi-Sr-Cu-O单晶Raman散射研究

利用Ｒａｍａｎ散射研究了Bi₂Sr_2-xBa_xCuO_y（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在Bi₂Sr_2-xBa_xCuO_y体系的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ^－１；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ^－１<     

ON THE PROBLEM OF AXIAL-SYMMETRIC PLASTIC DEFORMATION

In the usual treatment of plane deformation problems in plasticity,the assumption ofstatic determinacy is frequently made,with the advantage of obtaining stress distributionswithout reference to stress-strain relations.In the present paper,we consider the problemof axial-symmetric defomation,where this advantage is no longer existing.The materialis assumed to be incompressible and entirely in a plastic state.The equations of equilibriumare     

轴对稱塑性变形问题

一.引言 在理想塑性体的一般理论中,虽然有数类问题(例如平面变形问题)在一般理论方面业已获得相当的发展,并且被应用到特殊的具体情况的计算中,但一般的问题是很难化为适当的边值问题的。在苏联力学家索珂洛甫斯基所著“塑性理认论”中,所谓静定的平面变形及平面应力问题得到极为详尽的叙述。在这     

在ZnSxSe1-x单晶中自由激子光谱的研究

在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子激发光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构.激发光谱的结构,激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分x密切有关.x=0.125和x=0.02样品相比较,随着X的增加而增加自由激子的发光效率,同时在激发光谱的振荡结构中增加光滑成分和背景,亦即减少光学声子形式的能量弛豫,增加声学声子形式的能量弛豫.这些现象归结于在混晶中非均匀势垒引起的激子迁移率的减小.     

在ZnSxSe1-x单晶中本征缺陷的研究

本文用气相法生长ZnSxSe1-x(x=0.03)单晶,解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300-800℃范围内进行热处理,在4.2K激子发射光谱中观察到与VZn(Zn空位)有关的I1deep谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时,未观察到I1deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I1deep谱线强度的变化。由此研究了VZn浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征VZn缺陷和掺杂的实验依据。     

钼酸铅晶体弹性常数的测量

由描述各向异性固体中弹性波的Christoffel方程,推导了确定钼酸铅晶体（PbMoO₄,简称PMO）弹性常数所必需的完整关系式。使用五种不同取向的晶体样品,用脉冲回波重合技术测量了十四种不同模式声波的传播速度,由这组声速数据通过计算得到了它的七个独立的室温弹性常数。以10¹¹dyn/cm²为单位,C₁₁=10.459,C₃₃=9.244,C₄₄=2.608,C₆₆=3.522,C₁₂=5.473,C₁₃=5.201,C₁₆=1.802。