一种制备LiNbO3周期性畴反转的新方法

本文对质子交换然后快速热处理在ＬｉＮｂＯ３上产生畴反转进行了实验研究。研究了畴反转的形成及发展，畴反转深度与快速热处理条件之间的关系。并用此方法制备了周期性畴反转结构，反转区呈弧形。     

Mg：LiNbO3及Nd：Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究

本文对Ｍｇ；ＬｉＮｂＯ３及Ｎｄ：Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究；报道了主要晶面的畴结构特征；确定了合适的极化温度和电流密度。     

Ce：Pr：LiNbO3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。     

铁电畴反转机理的研究

从铁电畴极化反转的动力学出发,针对铁电畴反转过程中的新畴成核和畴壁运动两个过程,对用外加极化电场实现铁电畴反转的机理进行了理论分析研究,并就低电场和高电场两种条件下的开关时间进行了实验验证.结果表明,实验值与模型计算值吻合较好.     

LiNbO3晶体的坩埚下降法生长

通过选择合适的原料配比(Li2O 48.6mol;,Nb2O5 51.4mol;),控制固液界面处的温度梯度为20～40℃/cm,晶体生长速度为0.6～1.5mm/h,采用密闭条件下的坩埚下降法工艺成功地生长出了具有良好光学均匀性的完整LiNbO3单晶.用X射线粉末衍射表征获得的LiNbO3晶相,讨论了若干工艺条件对晶体组分与质量的影响.测定了未密闭条件下生长的LiNbO3晶体不同部位样品的紫外可见光谱,发现其吸收边沿生长方向发生红移,并讨论了产生此现象的原因.     

Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究

ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱，抗光损伤能力，光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。     

铁杂质对LiNbO3晶体折射率的影响

测定了纯LiNbO3晶体和两种掺铁的LiNbO3晶体的折射率和晶格常数,并对三种样品的折射率和晶格常数进行了比较,发现了掺铁后的LiNbO3晶体折射率及晶格常数都有微小的变化,讨论和分析了引起这些变化的原因。     

近化学计量比LiNbO3晶体的生长及其组分测定

铌酸锂晶体（LiNbO3)是一种典型的非化学计量比晶体,通常所使用的同成分LiNbO3晶体中的锂铌比([Li]/[Nb])约为48．6／51．4。我们利用提拉法,从掺入11mol%K2O的同成分LiNbO3熔体中生长出了高光学质量的近化学计量比LiNbO3单晶。与同成分LiNbO3晶体相比,其吸收边向短波方向移动;E模（153cm^-1)喇曼谱线宽从9．4cm^-1降低到了7．0cm^-1,A1模（876cm^-1)喇曼谱线宽从25．5cm^-1降低到了20．0cm^-1;产生532nm-1064nm2次谐波的相匹配温度从室温增加到了155．5℃;OH^-红外吸收谱线宽明显变窄,波形也有明显的变化。这些结果表明这种LiNbO3晶体中的LiO2含量为49．6mol%, 即[Li]/[Nb]为0．984,接近其化学计量比。     

铌酸锂晶体及其应用概述

铌酸锂晶体历史悠久,物理效应最为齐全,被用于制备声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等器件,在电子技术、光通信技术、激光技术等领域得到了广泛应用,并且在第五代无线通信技术、微纳光子学、集成光子学及量子光学等近期快速发展的领域中展示了重要的应用前景。本文简要综述了铌酸锂晶体的基本性质、晶体制备以及应用情况,对铌酸锂晶体未来的应用发展进行了简要分析。     

Sc:Fe:LiNbO3晶体的生长和光学性能研究

研究双掺Fe(0.03wt;Fe2O3)和Sc(0,1,2,3mol;)铌酸锂晶体全息存储性能.通过晶体红外光谱测试发现:Sc:Fe:LiNbO3晶体中Sc的掺杂浓度超过3mol;时,Sc:Fe:LiNbO3晶体的O-H吸收峰的位置从低掺杂时的3484cm-1移动到3508cm-1.采用光斑畸变法测得(3mol;)Sc:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力为3.3×103 W/cm2,比Fe:LiNbO3提高了二个数量级.晶体的红外吸收光谱和抗光损伤能力显示:Sc的掺杂浓度为3mol;时具有明显的阈值特征.采用波长为632nm的He-Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能.实验表明:在一系列Sc:Fe:LiNbO3晶体中,Sc(2mol;):Fe:LiNbO3晶体能获得最佳的光折变灵敏度和动态范围.     

γ射线辐照Ce：LiNbO3晶体光折变增强的研究

通过吸收光谱的研究，确诊γ射线辐照引起民的ＬｉＮｂＯ３晶体内出现Ｖｏ等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高，我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大，使载流子的电离和迁移运动更为有利。     

液相外延法制备LiNbO3薄膜的研究和进展

讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中,衬底和助熔剂的选择对LiNbO3薄膜制备的影响及掺杂改性问题,简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能及光学应用.研究表明,目前可用液相外延法在LiTaO3、掺镁(5mol;)的同成分LiNbO3及纯的同成分或近化学计量比LiNbO3单晶衬底上制备出具有较高光学质量的LiNbO3薄膜.讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向.