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采用分子动力学模拟方法研究了β-BaB2O4晶态和熔态的结构。模拟得到的径向分布函数与配位数和已报道的实验结果相符。在模拟产生的一系列瞬态构型型基础上,采用键序参数方法研究了熔体结构,结果表明,熔体中大量存在BO3平面三角形基团,而BO4四矶体基团也少量存在。同时也对熔体中的环和链进行了统计分析,分析表明,体系中B原子和O原子构成一一种网络结构。此外,对BO3基团、BO4基团和网络结构对晶体生长的 相似文献
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溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合 总被引:10,自引:4,他引:6
根据对晶体生长溶液、熔体拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔体中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔体中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律.在靠近晶体的边界层处已出现与晶体结构相同或相似的大维度生长基元.实验表明,生长基元的分布和缔合与溶液过饱和度和熔体过冷度密切相关,从而提出用拉曼光谱进行实时监控,寻找最佳生长物化条件,优化晶体生长边界层的厚度和大维度生长基元的数量,为选择最佳工艺条件提出理论依据. 相似文献
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Ce:Fe:LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道了Ce:Fe:LiNbOe晶体的生长,采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应,在632.8nm和488.0nm波长的非简并四波混频中,获得了变频相位共轭光,具有温度增强效应。 相似文献
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本文研究了热液条件下BGO(Bi12GeO20.Bi4Ge3O12)微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型,设计了生长BGO晶粒时Bi-O6八面体和Ge-O4四面体的比例和生长工艺,制备出结晶完好的晶粒,提出Ge-O4四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Bi12GeO20晶体中(111)面族顽强显露,晶粒呈三次对称,表现出极性晶体的生长特征。Bi4Gg 相似文献
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研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征.结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失.说明[GeO4]和[BiO6]结构基团在晶体及边界层中都存在,边界层中的结构已接近晶体结构;但在熔体中[GeO4]结构基团和Bi3+却是两种独立的存在,长程有序的晶体结构消失.并首次报道了BGO晶体固/液边界层的厚度约为50μm. 相似文献
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水热条件下BaTiO3晶粒中OH^—缺陷的形成 总被引:7,自引:0,他引:7
本文研究了水热条件下制备的BaTiO3晶粒中OH缺陷的形成。实验表明,随着中的损钛摩尔比增大,产物中的OH缺陷减少,四方相BaTiO3的含量增多。从结晶化学的角度剖析了BaTiO3与锐钛矿结构的相似性,两种晶粒中的Ti-O6八面体的结晶方位一致,其顶角分别指向晶轴a,b和c,因此锐钛矿的生长基元可以往BaTiO3晶粒上配向生长,在结构失配处即可形成缺陷,在缺陷部分TiO6八面体自由端处保留了OH结 相似文献
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本文提供了实时观察高温熔体晶全生长的新方法。此方法是将休伦(Schlieren)技术和微分干涉显微镜(DIM)技术相结合,能同时观察到晶体生长中表面动力学过程和生长界面处的输运现象。在KNbO3熔体晶体生长中的生长图案和输运现象首次被同时观察到。改变熔体层厚度和熔体平面方向与重力场方向的夹角,得到了不同的流动形貌。通过阻抑浮力对流,对表面第力对流也进行了观察研究。 相似文献
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Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的生长及其四波混频位相共轭效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的生长,利用简并四波混频测试了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的位相共轭反射率、响应时间、光电导、位相工轭温度效应。并且测试了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的非简并四波混频变位相共轭反射率和抗光散射能力。研究和探讨了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体提高响应速度和抗光散射的机理。 相似文献
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本文首次报告使用KF助熔剂生长大尺寸优质β-BaB2O4(BBO)晶体的研究结果。适合的生长条件为;熔质与熔剂摩尔百分比为BaB2O4:KF在66:34到70:30范围内,籽晶方向平行c轴;晶体转速0-15r/min;生长周期为120天。 相似文献
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BBO晶体助熔剂提拉法生长过程中的等径控制 总被引:1,自引:1,他引:0
本文从BaB2O4-Na2O赝二元体系的相图和杠杆原理出发,研究了助熔剂提法法生长β-BaB2O4晶体的等径条件,得出了生长过程中降温速率的数学表达式,解释了助熔剂法生长晶体出现缩径的实验现象,为进一步提高等径生长BBO晶体的质量提供了理论依据。 相似文献
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采用FLUENT软件对分离结晶Bridgman法生长CdZnTe晶体进行了全局数值模拟.模拟对象为:熔体上部边界条件分别为固壁和自由表面时两种晶体生长系统.重点考虑坩埚和晶体之间狭缝宽度e和重力对分离结晶过程的影响.在计算中分别取e=0 mm、0.5 mm和1 mm三种狭缝宽度,得到了在微重力和常重力条件下的温度分布、结晶界面形状以及流函数分布图.结果表明:在微重力条件下,当熔体上部为固壁时,随着狭缝宽度的增大,热毛细力作用增强,流动强度增强;当熔体上部为自由表面时,则与之相反.在常重力条件下,由于浮力-热毛细对流的共同作用,随着狭缝宽度的增加,流动强度逐渐减弱,有助于提高晶体生长质量. 相似文献
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三硼酸锂(LBO)晶体生长基元与形貌 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用称重法研究了LBO晶体中的生长速率与溶液过饱和度之间的关系,在盯同过饱和度的条件下,同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制,这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定,证实了溶液中存在着B-O3三角形和B-O4四面体结构。它与晶体中的配晶位结构相同喧两种配位体形成的(B3O7)^5-与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离有两个非对称分布的 相似文献
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本文采用助熔剂法,从Fe2O3-B2O3-pbO/PbF2系统中生长出片状弱铁磁性FeBO3晶体。用磁光调制倍频法测出FeBO3单晶在可见光区的法拉第旋转谱,并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱,得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系,并对FeBO3晶体生长与磁光性能作了讨论。 相似文献
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采用反应气氛法(Reaction Atmosphere Precess,简称RAP法)生长KBr单晶,选取CCl4与CH2Br的混合物作为纯化KBr熔体的试剂。探讨CCl4,CH2Br2在纯化过程中的反应机理。分析纯化试剂与含氧阴离子进行反应的可能性。采用RAP法生长KBr单晶的吸收系数比用普通方法生长的单晶吸收系数降低了两个数量级。 相似文献
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杂质对SnO2纳米小晶粒生长的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了杂质对SnO2纳米晶粒生长的影响。结果表明,掺入Li2O有利于SnO2晶粒的生长,NiO对SnO2晶粒的生长没有明显的影响,Al2O3、Cr2O3、ZrO2、Fe2O3在800℃以下阻碍SnO2晶粒的生长;在更高温度时,杂质相结晶,它们将不再阻碍SnO2晶粒的生长。 相似文献
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碘酸锂晶体生长过程的实时原位观察研究 总被引:2,自引:0,他引:2
应用Mach-Zehnder干涉法原位实时观察了α-LiIO3的晶体生长过程。以He-Ne激光为光源,用阿贝折射仪测定了碘酸锂过饱和溶液的折射率。Mach-Zehnder干涉条纹的图像数据处理表明:在静态条件下,α-LiIO3晶体生长过程中固-液界面边界层厚度约为0.3mm,其边界层厚度随溶液对流强度而减弱。折射率测定揭示出碘酸锂晶体饱和溶液的折射率随浓度和温度的变化呈现线性关系。 相似文献