交流磁场对高温超导体交流损耗的影响

本文报道交流磁场对高温超导体交流损耗Q的影响.基于对数型位垒的巨磁通蠕动模型,我们进行的数值计算证明,交流损耗与交流振幅的关系在定性上是和临界态模型相同的,即与振幅的m次方成正比:Q∝(Bac)m.但是,m不是像Bean模型预言的那样只有m=1和m=3的两个值,而是渐变的,MgB2和Ag/Bi2223样品的实验结果支持我们的结论.     

高温超导线圈交流损耗测试研究

超导线圈交流损耗的测量,能为研究超导线圈交流损耗提供重要方法,并对应用中超导线圈的优化提供重要依据。通过测量电流电压得到功率、再对时间积分的方法,来计算交流损耗,实验中可采用电容补偿降低电源功率负荷,电感补偿降低采集信号噪音,调整采样周期进一步提高采集效率和信噪比等方法来进行。将超导单带在88 Hz及小线圈在90 Hz的实验结果,与理论公式、经典锁相放大器测试结果对比,实验结果中交流损耗从小电流到大电流的差别为17%～1%,证明用该方法测量超导线圈交流损耗,准确、合理。     

高温超导线圈的交流损耗

本文在液氮温度下,用电测法测量了高温超导双饼线圈通以工频(50Hz)交流电时的交流损耗,利用所建立的短样损耗的各向异性理论公式,给出了高温超导线圈的交流损耗的数值计算模型,并对交流损耗的理论计算结果与测量数据进行了比较分析.     

传输交流的Bi2223/Ag高温超导带在不同取向交流外场下的交流损耗

在高温超导的电力应用中，如超导电机、变压器等，多数情况下，高温超导带材在通以交流传输电流的同时还处于交变磁场中。此时，超导体的交流损耗不仅依赖于磁场的大小，还与磁场相对于超导带面的取向有关。本文在77K及工频50Hz情况下，实验研究了单根多芯Bi2223/Ag高温超导带及两带并联时的交流损耗随着外磁场与带面夹角的变化情况；以及交流磁场对临界电流的影响情况；并对单根带及两带并联的实验结果进行了比较与分析。     

高温超导体中的交流损耗

考虑到陶瓷高温超导体的颗粒物性 ,详细研究了 Bean- london模型及 Anderson- kim模型在分析高温超导体交流损耗方面的缺陷 ,提出了一种新的计算方法。用这种方法预期的损耗规律与文献报道的实验结果一致。另外 ,分析了超导体尺寸、晶间临界电流、晶粒尺寸和晶内临界电流对高温超导体交流损耗的影响     

超导混合态椭球的交流磁化率

本文研究了处于混合态非均匀磁化的高温超导椭球在线性响应区的交流磁化率，给出了不同离心率的非均匀磁化椭球在直流磁场和小交流磁场中的交流磁化率的解析解析阐明了样品几何形状（退磁因子）对交流磁化率的影响文中研究了处于超地椭球的交流磁化率。     

交流感应电动机的教学

今天,由于交流感应电动机的构造简单、价格便宜、使用方便、保护容易等优点,因此它在工业上获得了极其广泛的应用。作为一个高中毕业生,是应该懂得有关交流感应电动机的基础知识的。我们在讲授“三相交流电”的基础上,又进行对交流感应电动机作了补充讲授。尽管感应电动机的构造比直流电动机简     

CICC导体交流损耗数字模拟研究

C ICC超导体是大型低温超导磁体的首选导体,它运行在大电流和磁场快速变化的环境中,磁通进出超导体以及外界磁场的变化会产生交流损耗,而交流损耗对C ICC超导体稳定性运行有很大的影响,这样开展C ICC超导体交流损耗的研究就显得非常重要。因此,文中针对C ICC导体运行条件和几何结构,提出交流损耗数字模拟的想法,并将数字模拟结果与工程计算值进行了比较和分析,二者基本吻合。     

高温超导YBCO线圈交流损耗的频率特性

YBCO线圈的交流损耗直接关系到YBCO设备的运行成本及稳定性。实现对YBCO线圈交流损耗的快速、准确测量,对于开展YBCO涂层导体的应用研究具有重要的意义。文中采用电测量法,在77K、零场和不同频率条件下,对YBCO线圈通以不同运行电流时产生的交流传输损耗进行测量。构建了YBCO线圈交流损耗的数值计算模型,对YBCO线圈交流损耗进行理论研究,最后将实验数据与理论计算结果进行比较,两者结果基本一致。可以发现,YBCO线圈在频率低于75Hz时,交流传输损耗随频率的增大而减小,当频率从75Hz增加到195Hz时,交流传输损耗随频率的增大而增加。     

圆筒形高温超导体的交流损耗研究

针对高温超导电缆、限流器等电力设备中常应用的圆筒形高温超导体进行交流损耗特性研究.本文对单根Bi-2223带材以及由十根该带材制作的十边形高温超导体样品的交流损耗特性进行实验测量,并应用有限元软件研究单根带材、理想圆筒形高温超导体和十边形高温超导体的二维有限元计算模型,基于有限元的数值模型对交流损耗进行仿真计算,最后将数值计算结果、实验测量结果以及基于mono-block模型的理论计算值进行比较并详细的分析讨论,结果表明,圆筒形高温超导体的交流损耗最少.     

含有单相铁芯变压器的铁磁混沌电路的分析及控制

对一个含有单相铁芯变压器的三阶非自治铁磁混沌电路进行了理论研究和计算机仿真分析.研究表明,仅含由磁通链控制的非线性电感器件的三阶非自治电路可以作为一个四阶自治改进系统来分析.数值仿真和电路实验证实了此系统确实存在混沌动力学行为.同时,还提出了一种通过改变线性电容参数控制混沌的方法.     

The Analysis and Calculation on ECRH Anode Circuit on the HL-2A Tokamak

In the last year, ECRH system has been built in the HL-2A and the testing of gyrotron is also finished. In the project testing, one of the problems is current-peak occurring in the anode circuit of gyrotron. The current-peak is much larger than that of the value set in protection circuit. The frequent current-peak frequently occurring in the rising of anode-voltage often caused the protection circuit to mistaken trigger. The mistaken triggering often halted the normal gyrotron-testing. A set of equations of anode circuit are derived for analysis the phenomena of the current-peak. The calculation based on the deduced formula shows that value of the current-peak strongly depends on the inductance L, capacitance C and the ramp-time of anode voltage in the anode circuit. The conductance L and capacitance C are the characteristic inductance and capacitance of the cable that is used for anode HV power supply. The numerical calculation is exactly consistent with waveform of the current peak recorded by oscillograph, that means the derived formula are correct. In order to decrease the value of the current-peak, we should decrease capacitance C, and increase inductance L and ramp-time of anode voltage.     

一阶RC电路时间常数测量的难点及解决方案

RC电路是最基本的一阶动态电路,在电路中由于受电阻和电容元件参数的限制,电路的时间常数通常很小,测量过程难于实现.本文对RC电路进行了改进型设计,提高了RC电路时间常数值,使测量过程得以实现。     

Analysis of the effect of stray capacitance on a charge/discharge-based electrical capacitance tomography system

The measurement circuit of electrical capacitance tomography (ECT) system mainly includes CMOS switches, C/V conversion circuit and Data processing circuit. In order to improve the image reconstruction quality, conversion circuit is very necessary to the small capacitance measurement circuit. A charge/discharge measurement circuit is one of the most suitable for the C/V conversion circuit in ECT. The stray capacitance between the measurement electrodes and earth can be large and have an effect on the capacitance measurement. This paper analyzes this effect, taking into account the ON-resistance of the COMS switch, the unit gain frequency of op-amp, and gain error in the measurement circuit. Finally, it is shown that if the range of stray capacitance is 150 ± 60 pF, overall error would be estimated. Comparing the effects of the circuit parameters, this charge/discharge-based capacitance is effectively stray-immune. It is a more efficient analysis to C/V circuit in ECT and offers a great benefit to information processing.     

外电路在电磁脉冲对双极型晶体管作用过程中的影响

借助自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了电磁脉冲从发射极注入双极型晶体管时,外电路的影响,分析了共基极接法晶体管的电流分配系数,然后在此基础上研究了3种典型外电路元件的影响。结果表明：当脉冲从发射极注入时,基极外接电阻对器件烧毁过程影响不大;集电极外接正电压源等效于削减电磁脉冲的幅度,有延缓器件烧毁的作用;集电极外接电阻能明显提高器件对电磁脉冲的耐受性。     

强激光能源系统新型放电回路研究

从理论上分析了强激光能源系统新型放电回路能量传输效率和氙灯能量分配均匀性问题,给出了预电离回路的实验研究结果,此外还介绍了新型大尺寸氙灯爆炸能量的测试情况。     

强激光能源系统新型放电回路研究

 从理论上分析了强激光能源系统新型放电回路能量传输效率和氙灯能量分配均匀性问题，给出了预电离回路的实验研究结果，此外还介绍了新型大尺寸氙灯爆炸能量的测试情况。     

一个新的五阶超混沌电路及其研究

提出一个新的五阶超混沌电路. 该电路由三个线性电感、两个线性电容、一个线性负电阻和二个非线性元件组成,并具有π形的电路结构. 其主要特征是,利用非线性元件的作用来切换电路中的时间常数,使其电压和电流发生急剧变化. 利用负电阻可满足电路局部发散的条件,并且这种电压和电流的急剧变化以及局部发散是该电路产生混沌与超混沌的两个前提条件. 分岔和李雅普诺夫指数计算结果表明,随着分岔参数的改变,电路的振荡机理由周期态演变为混沌态,再由混沌态演变为超混沌态. 设计了五阶超混沌电路,给出了硬件实验结果. 关键词： 超混沌电路 超混沌吸引子 电路实验     

The voltage-current relationship and equivalent circuit implementation of parallel flux-controlled memristive circuits

A flux-controlled memristor characterized by smooth cubic nonlinearity is taken as an example, upon which the voltage-current relationships （VCRs） between two parallel memristive circuits - a parallel memristor and capacitor circuit （the parallel MC circuit）, and a parallel memristor and inductor circuit （the parallel ML circuit） - are investigated. The results indicate that the VCR between these two parallel memristive circuits is closely related to the circuit parameters, and the frequency and amplitude of the sinusoidal voltage stimulus. An equivalent circuit model of the memristor is built, upon which the circuit simulations and exper/mental measurements of both the parallel MC circuit and the parallel ML circuit are performed, and the results verify the theoretical analysis results.     

交流源作用下介观RLC电路系统量子态随时间的演化

根据量子不变量理论，同时考虑介观电容器极板间电子波函数的耦合作用和电路的耗散,研究介观RLC电路系统在交流电流源作用下动力学的演化过程，并且得到描述系统量子态随时间的演化算符.进一步的分析结果表明，介观RLC电路系统的波函数将由任意的初态演化到一般的压缩态. 关键词： 介观RLC电路 交变电源 不变量理论 时间演化算符