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半导体玻璃微通道板的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了半导体玻璃微通道板的主要性能,并与传统铅硅酸盐玻璃的相关性能进行了比较。阐述了半导体玻璃的研制工艺,研究了利用半导体玻璃材料制备微通道板的工艺途径,开发了靠玻璃本身体电导性质而无需氢还原工艺的微通道板,即半导体玻璃微通道板。研制出孔径为20μm、外径为12mm的半导体玻璃微通道板,实验利用紫外光电法测试了微通道板的增益、闪烁噪声和成像性能。结果表明新型微通道板具有明显的电子增益和低的闪烁噪声,并且通道表面稳定;利用磷硅酸盐玻璃材料可以实现体导电微通道板的制备。 相似文献
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对经制板后电阻偏高,正常和偏低三种微通道板之皮料玻璃分别进行性和定量的分析测试。用电子电导和离子电导原理进行分析,找出导致板电阻偏离正常值的主要原因,即PbO和Bi2O3的摩尔百分比不合适,杂质特别是Fe2O3和CuO的引入以及Na2,K2O的含量与比例不适中。 相似文献
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一种玻璃成分优化的微通道板 总被引:3,自引:1,他引:3
降低微通道板(MCP)的离子反馈噪声、提高像增强器的成像质量和工作寿命是MCP玻璃成分优化研究的主要目标,指出通过调整碱金属氧化物的引入种类和总量,并采用高温氢还原工艺获得一种玻璃成分得到优化的MCP,可提高玻璃的转变温度,耐500℃以上的高温烘烤且电性能相对稳定。该方法改善了通道内壁表面结构和MCP的耐电子冲刷能力,降低了气体吸附量且易于去除气体。文章最后给出了优化MCP玻璃成分所需开展的工作:在玻璃成分优化上增加SiO2的引入量,调整芯皮玻璃的温度粘度匹配及酸溶速率比,以及开展体导电玻璃MCP和硅MCP的研究。 相似文献
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微通道板玻璃的二次电子发射系数 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论微通道板玻璃的二次电子发射系数及其影响因素。通过将Rb^ 、Cs^2 离子部分或全部代替玻璃中的K^ 离子,调整玻璃网络结构参数以及PbO与Bi2O3的摩尔比例,使玻璃的二次电子发射系数从2.7增加到3.7,改善微通道板的增益稳定性和寿命。 相似文献
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微通道板增益疲劳机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
微通道板的增益疲劳是微通道板的主要问题之一,本文分析了微通道板的表面结构模型,同通道板活性表面上碱金属的逸出和碳的增加是导致微通道板的增益疲劳的主要原因,另外,探讨碱金属逸出的机理和碳污染的来源,介绍延长微通道板工作寿命的有效方法。 相似文献
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叙述预测微通道板工作寿命试验过程,指出微通道板工作寿命曲线服从负指数分布。着重利用回归分析方法,建立微通道板工作寿命回归方程,并利用它预测微通道板工作寿命。这种方法不仅适用于二代微通道板的工作寿命预测,也适用于三代微通道板的寿命预测。 相似文献
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由于微通道板探测器探测能量逐渐提高,使电子倍增器的应用范围日益扩大。技术上的新进展(超小孔径和高输出技术)使动态范围显著扩大。本文重点介绍微通道板探测器最佳动态范围的设计依据·所考虑的因素有尺寸,增益、温度、脉冲高度、分辨率和背景噪声等。 相似文献
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介绍微通道板电子透射膜在三代微光像增强器中的作用,推导电子透射膜死电压的理论表达式,测量电子透射膜的电子透过特性,并进行初步分析和讨论。 相似文献
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介绍微通道板(MCP)防离子反馈膜在Ⅲ代微光像增强器中的作用,指出微通道板防离子反馈膜的制备工艺对微通道板电性能的影响,提出清洗带膜微通道板的工艺方案,测量清洗前后带膜微通板的电学特性。 相似文献
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应用俄歇电子能谱对微通道板表面发雾区域进行分析。分析结果表明,发雾区碳含量比正常区高三倍。由此可推测出,发雾是由碳污染引起的,而这种碳污染很可能是残留于微通道板上的某些有机物在烧氢时碳化所致。 相似文献
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叙述微通道板的噪声,着重介绍微通道板固定图案噪声及其简便新颖而又实用的一种测试方法,给出测试结果并进行分析。 相似文献
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主要介绍二代近贴微光管MCP电子清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论. 相似文献
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一、前言 在激光等离子体物理的实验研究中,需要高时间分辨测量等离子体辐射的X射线的特征,以获得有关激光与物质相互作用物理过程的重要信息。X射线扫描相机是进行这种测量的最理想的设备,美国Livermore实验室使用的X射线扫描相机的时间分辨本领为15ps。 相似文献
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研究电子与薄膜的相互作用,给出电子通过薄膜后的角度分布表达式。利用弹性散射电子在薄膜中的空间几率分布密度表达式计算微通道板防离子反馈膜的调制传递函数。 相似文献