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作为信息转换接口,模数转换器已成为模拟电路不可或缺的部分,广泛用于通信等技术领域,存内计算的兴起,给模数转换器提供了新的应用场景。同时存内计算作为低功耗,高速度的处理单元,对模数转换器的功耗、精度、速度等提出了新的要求。利用Matlab对电路进行初步建模仿真,然后基于SMIC55nm CMOS工艺设计了一款10bit 50Ms/s的逐次逼近型模数转换器进行验证,仿真结果表明,该款ADC可以得到9.27bit有效位数(ENOB),无杂散动态范围(SFDR)为70dB,功耗仅为0.56mw。 相似文献
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设计了一种精度可编程的低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。采用电阻电容混合结构的数模转换(DAC)阵列,通过对低位电阻阵列的编程控制,实现了12,0,8位的转换精度,对应不同的精度,电路支持1,5,10 MS/s的转换速率。采用一种改进的单调开关控制逻辑以降低功耗和面积,同时避免了原有单调开关逻辑存在信号馈通的缺点。根据不同的精度要求,对比较器所用预放大器的个数进行编程控制,进一步提高了ADC的功耗效率。电路基于0.18 μm的CMOS工艺设计,在1.8 V电源电压下,精度从高到低对应的功耗分别为0.56,0.48,0.42 mW;SNDR分别为73.2,61.3,48.2 dB;SFDR分别为96.3,84.6,62.8 dB。芯片内核面积仅为(0.6×0.9)mm2,适用于通用片上系统(SoC)。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(1)
提出了一种模拟域的前台校准技术,据此设计了一款12位精度的模数转换器(ADC)。芯片采用全定制叉指电容来实现电容阵列,并在TSMC 65nm工艺下进行了流片验证。芯片的内核面积仅为0.2 mm2,测试数据显示,在5kHz转换速率时信噪失真比(SNDR)为62dB,无杂散动态范围(SFDR)为76dB,在1.2V电源电压下功耗仅为112nW。 相似文献
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逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)中,数模转换器单元(DAC)是能耗和面积的主要来源之一。为了降低DAC的能耗和面积,提出了一种低开销电容开关时序,以此设计了DAC的结构,并进行逻辑实现。相比于传统型开关时序,该电容开关时序使得DAC的能耗降低了98.45%,面积减小了87.5%。基于该电容开关时序实现了一种12位SAR ADC。仿真结果表明,在1.2 V电源电压、100 kS/s采样速率的条件下,该ADC功耗为12.5 μW,有效位数为11.2位,无杂散动态范围为75.6 dB。 相似文献
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基于TSMC 180 nm CMOS工艺,设计了一款12位100 KS/s低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).为克服高精度下比较器失调与参考电压抖动对SAR ADC性能的影响,采用二进制缩放重组的方法实现电容加权,提高了SAR ADC的性能.与传统冗余校准技术相比,在未增加额外的冗余电容的情况下实现了校准的功能,并且保证了输入信号的摆幅.另外,采用低功耗开关切换方式、动态比较器和动态SAR逻辑有效降低了功耗.仿真结果表明,在0.7 V电源电压下,采样率为100 KS/s时,SAR ADC的有效位数为11.79 bit,功耗只有0.95μW,FOM值仅2.68 fJ/conv. 相似文献
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提出了实现具有温度传感功能的RFID无源标签芯片电路设计思路,针对900MHz超高频EPC Class0协议,采用多电压设计思想提出电子标签结构及参考电路,包括射频前端接收电路、数字逻辑控制部分、温度传感及量化、存储器四部分.采用Chartered0.35μm CMOS工艺库仿真.芯片工作电流15.4μA(不包括存储器),温度量化采用一个低功耗8位逐次逼近模数转化器实现,输出温度量化误差在-10~120℃范围内为±2℃. 相似文献
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介绍了一种基于剪枝神经网络的后台校准算法,能够对高精度单通道SAR ADC的电容失配、偏移、增益等多个非理想因素同时进行校准,有效提高SAR ADC的精度。本算法不仅可以达到全连接神经网络校准效果,而且同时对贡献小的权重进行剔除,降低了校准电路的资源消耗,加快了神经网络校准算法速度。仿真结果表明,信号频率接近奈奎斯特频率的情况下,对16 bit 5 MS/s的 SAR ADC进行校准,校准后ADC的有效位数从7.4 bit提高到15.6 bit,无杂散动态范围从46.8 dB提高到126.2 dB。 相似文献
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Based on a 5 MSBs(most-significant-bits)-plus-5 LSBs(least-significant-bits) C-R hybrid D/A conversion and low-offset pseudo-differential comparison approach,with capacitor array axially symmetric layout topology and resistor string low gradient mismatch placement method,an 8-channel 10-bit 200-kS/s SAR ADC(successive-approximation -register analog-to-digital converter) IP core for a touch screen SoC(system-on-chip) is implemented in a 0.18μm 1P5M CMOS logic process.Design considerations for the touch sc... 相似文献
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采用“5MSBs (Most-Significant-Bits) + 5LSBs (Least-Significant-Bits)”C-R混合式D/A转换方式以及低失调伪差分比较技术,结合电容阵列对称布局以及电阻梯低失配版图设计方法,基于0.18µm 1P5M CMOS Logic工艺,设计实现了一种用于触摸屏SoC (System-on-Chip)的8通道10位200kS/s逐次逼近型A/D转换器IP核。在1.8V电源电压下,测得的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.32LSB和0.81LSB。在采样频率为200kS/s,输入频率为91kHz时,测得的无杂散动态范围(SFDR: Spurious-Free Dynamic Range)和有效位数(ENOB: Effective-Number-of-Bits)分别为63.2dB和9.15bits,功耗仅为136µW。整个A/D转换器IP核的面积约为0.08mm2。设计结果显示该转换器满足触摸屏SoC的应用要求。 相似文献
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A power efficient 96.1 dB-SFDR successive approximation register(SAR) analog-to-digital converter (ADC) with digital calibration aimed at capacitor mismatch is presented.The prototype is fabricated in a 0.18μm CMOS.The charge redistribution(CR) design and an extra△∑modulator for capacitance measurement are employed. With a 1.1 MS/s sampling rate,the ADC achieves 70.8 dB SNDR and the power consumption is 2.1 mW. 相似文献
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Traditional and some recently reported low power,high speed and high resolution approaches for SAR A/D converters are discussed.Based on SMIC 65 nm CMOS technology,two typical low power methods reported in previous works are validated by circuit design and simulation.Design challenges and considerations for high speed SAR A/D converters are presented.Moreover,an R–C combination based method is also addressed and a 10-bit SAR A/D converter with this approach is implemented in SMIC 90 nm CMOS process.The DNL and INL are measured to be less than 0.31 LSB and 0.59 LSB respectively.With an input frequency of 420 kHz at 1 MS/s sampling rate, the SFDR and ENOB are measured to be 67.6 dB and 9.46 bits respectively,and the power dissipation is measured to be just 3.17 mW. 相似文献
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Traditional and some recently reported low power, high speed and high resolution approaches for SAR A/D converters are discussed. Based on SMIC 65 nm CMOS technology, two typical low power methods reported in previous works are validated by circuit design and simulation. Design challenges and considerations for high speed SAR A/D converters are presented. Moreover, an R-C combination based method is also addressed and a 10-bit SAR A/D converter with this approach is implemented in SMIC 90 nm CMOS process. The DNL and INL are measured to be less than 0.31 LSB and 0.59 LSB respectively. With an input frequency of 420 kHz at 1 MS/s sampling rate, the SFDR and ENOB are measured to be 67.6 dB and 9.46 bits respectively, and the power dissipation is measured to be just 3.17 mW. 相似文献
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在分析液晶触摸屏的工作原理基础上,分析触摸屏专用控制器RA8806的工作原理与控制方式。通过RA8806与单片机PIC16F877的接口设计,给出系统中触摸屏的显示画面,以及触摸控制的程序流程图,同时写出了具体程序。实践证明该设计方法完全能够满足实际应用的需要。 相似文献
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