热处理硅中的新施主(Ⅱ)

本文继续研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。在n型样品中,同样观察到新施主,其性质与p型的相同,但生成率和浓度较p型的低。新施主与热施主有密切关系,在300～800℃间预热处理都可以促进新施主的产生,其中450℃预热处理的促进作用最大。大于800℃预热处理则减少新施主的产生。新施主比热施主稳定,经1050℃、30小时的热处理,浓度约为1.33×10~(15)cm~(-3)的新施主只消除了68％。本文还较详细地讨论了新施主的本质和产生机理。     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过650℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2气氛下高温RTP的样品,650℃退火后仍有部分施主存在,经950℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致.     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过6 5 0℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2 气氛下高温RTP的样品,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在,经95 0℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散     

硅中的氮氧复合物及其施主行为

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅,研究表明,含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型,并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．     

热处理NTD CZ Si中的两个氧施主

本文用Hall效应、电阻率和红外吸收测量研究了热处理NTD CZ Si中的热施主TD和新施主ND的形成和退火行为。中子辐照使表观TD浓度显著下降,而促使ND的形成。在NTD CZ Si中,氧因辐照增强扩散在无序区处聚集成大尺寸复杂硅-氧集团是ND形成的主要原因。     

微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究

利用低温（８Ｋ）远红外吸收技术，研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响，指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力，而微氮硅中的浅热施主和氧－氮复合体直接相关。     

硅微波控制器件及电路产品介绍(Ⅰ)

南京电子器件研究所二中心从事微波控制器件及电路的研究开发和生产已有近30年历史。目前，产品已由单一品种形成多品种系列化。采用玻璃钝化技术及金一金属化多层电极的多种封装和无封装（芯片）PIN二极管的使用频率覆盖范围为0.5—40GHz，已广泛应用于相控阵雷达、微波和卫星通信、射电天文、电子工程、微波测量仪器等设备中。新近开发的硅微波二极管批生产技术与国内引进的后道封装生产线挂钩，可生产玻封（DO-35）（DO－41），塑封（M204），表面贴装（SOT－23）等封装形式的微波控制器件。这种适宜高密度组装和自动化生产的小体…     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展(Ⅰ)

主要介绍以硅为衬底的非本征硅、金属硅化物（Ｐｄ２Ｓｉ，ＰｔＳｉ和ＩｒＳｉ）肖特基势垒红外探测器、ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结内光电发射红外探测器、硅基红外图象传感器、硅微测辐射热计等红外探测器焦平面阵列的新进展     

硅中锰施主能级Mn_i~(0/+)的光学性质研究

本文利用光电容瞬态技术,在不同温度下,首次测得了N型掺锰(Mn)硅中与Mn相关的Mn施主能级Mn_i~(o/+)(Ec-0.416eV)的绝对电子光电离截面谱图.对实验点的理论拟合表明:电子光电离截面(σ_n~o)可用简单的、作了修正的Lucovsky公式来描述.该能级的空穴光电离截面(σ_p~o),在实验系统灵敏度范围内,未检测到讯号.这意味着σ_p~o的极大值也不大于10~(-21)cm~2.该中心的热激活能E_t和电子的光电离截面闽值能量E_(10)的很好一致,以及σ_n~o不依赖于温度的实验事实说明了电子通过该能级跃迁时,不存在着同晶格的强耦合作用.     

热处理硅中的氧、碳沉淀

利用红外吸收、x射线形貌照相、x射线反常透射、俄歇电子能谱和高压透射电子显微镜研究了在450℃、700℃和1050℃热处理后无位错CZ-Si单晶中的氧、碳沉淀.从X射线反常透射强度的结果,证明甚至在较低温度 450℃热处理,沉淀即已产生.由红外吸收可以证明,在700℃热处理已有大量沉淀产生.但是由于沉淀颗粒太小,无法用X射线形貌相观察这种沉淀.沉淀物的大小估计为数埃至500埃.氧沉淀决定于氧含量和单晶的热历史.但是,碳和低高温两步热处理都可以促进氧沉淀.测定了700℃和1050℃经不同时间热处理所产生的氧、碳沉淀率.对于碳对氧沉淀的作用,沉淀图样和机理进行了讨论.     

硅中新施主的光测顺磁共振研究

对硅中新施主特征发光谱K线(hv=0.902eV)的顺磁共振研究表明,它的发光中心是分子型等电子中心,发光跃迁是两个S=1/2的电子和空穴构成的束缚激子的辐射复合,观察到gh=1.997±0.001,且为各向同性,这说明等电子中心具有空穴吸引性的局域势。本文的结果进一步支持了作者关于K线发光机制的建议。     

a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)

报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。     

热处理硅中缺陷对室温光致发光的影响(详细摘要)

用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光强度增强,热缺陷减少了非辐射复合中心。高于550℃时,光致发光强度减弱,热缺陷增加了非辐射复合中心。光致发光强度与热缺陷腐蚀斑密度有关。     

在GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱结构中的施主束缚能

对由夹在两个半无限Ga_(1-x)Al_xAs块中的单GaAs层中的量子阱中浅施主基态束缚能做了变分计算.施主束缚能是作为GaAs层厚度和杂质位置的函数来计算的.研究了两种成分x=0.1和x=0.4.计算是在真实导带差额所决定的有限势垒情形下进行的. 计算结果与前人结果作了比较.结果表明,对杂质处于阱中心和x=0.4的情形,当阱厚L<50A时,束缚能的修正是显著的.例如峰值修正超过15％.此外,还研究了由于GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs具有不同有效质量而对基态束缚能的影响.     

三毫米硅P~+NN~+崩越二极管(Ⅰ)

——本文叙述了三毫米硅P~+NN~+崩越二极管的参数设计考虑及结果.根据这一考虑而研制的用超小型陶瓷管壳封装的硅P~+NN~+崩越二极管在90到126GHz范围内功率输出大于30mW,效率η≥1.5%.最佳结果为103GHz下输出115mW,η为3.6%.     

硅中金施主和受主光电性质的系统研究

本文利用光电容和光电流瞬态技术结合 DLTS 测量对P和N型掺金硅(不同补偿比K=N_(Au)/N_s=0.02～0.9)中金施主和受主的行为进行了全面、系统地实验研究.得到如下结果:1.进一步证实了硅中金施主和受主是同一个缺陷的两个不同能态(Au~(+/0)和Au~(0/-)).2.金受主和施主对应的深中心不是金同浅杂质的络合物(Au-Ds).3.实验结果拟合运算得到的金施主电子和空穴光电离截面阈值能量之和基本等于硅的禁带宽度表明:载流子通过金施主激发和俘获时不存在明显的晶格弛豫效应.金受主空穴光电离截面阈值能量大的温度依赖关系可能与空穴通过金受主激发态的光热激发相关.此外,本文还研究了接近阈值能量附近的金施主和受主能级光发射率的电场依赖关系.     

回线天线(Ⅰ)

<正> 前言在线天线中,为了改善天线匹配,缩短天臂长度,或简化馈电形式和提高天线的增益,常常把天线全部或局部做成廻线的形式,例如各种折合振子,廻线式富兰克林天线等等。我们把这种天线统称为廻线式天线。在线天线中廻线天线占有重要位置,得到广泛应用。分析这种天线时除了需要应用天线技术以外还需借助廻路分析技术,两者结合起来形成一种特殊的分析方法。本文的目的不是提供或介绍这种夭线的新成果,而是介绍这种天线和廻路相结合的分析方法,为读者提供研究廻线天线的必要的理论知识。     

稳健统计(Ⅰ)

本文是根据哈佛大学统计学教授皮特J·胡伯所著稳健统计而编译的。文中指出稳健统计理论是近些年来发展起来的新兴学科,是因实际的需要而产生的。人们在许多实际应用问题中所研究的系统受到了随机干扰,但是有关干扰分布的先验信息并不完备,那么通过稳健统计方法都能得到有效的解决。本文主要介绍了弱拓朴及其度量化;稳健估计的基本类型;位移参数估值的渐近极小化极大理论;尺度估计;位移和尺度参数的联合估计;回归问题;稳健估值协方差及相关矩阵;设计的稳健性;严格有限样本结果等内容。     

Pb_(0.8)Sn_(0.2) Te-PbTe异质结结区附近净施主浓度分布

测量了用液相外延技术制备的(P)Pb_(0.8)Sn_(0.2) Te-(n)PbTe异质结二极管的电容-电压特性,据此计算了结区附近PbTe外延层中的净施主浓度分布。发现零偏压下PbTe外延层中空间电荷区边界的净施主浓度(N_o)强烈地依赖于液相外延的生长温度(T_(ep)),认为它是由于液相外延生长过程中缺陷的互扩散所造成。