化学复合镀Ni-P-SiO2镀层的XPS和AES分析

本文运用ＸＥＭ、ＡＥＳ和ＸＰＳ分析了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＯ２镀层的表面形貌及镀层组成。研究显示：Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＯ２镀层表面光滑、均匀、光洁度好;其相对原子百分数为Ｎｉ７４．５６％,Ｐ１２．３８％,Ｓｉ２．７７％,Ｆｅ２．３２％,Ｏ６．６５％,镀层厚度为６．４０ｕｍ,镀层耐１０％ＮａＣｌ溶液和１％Ｈ２Ｓ气体的腐蚀能力较强。     

阳离子表面活性剂与酚红的显色反应及其分析应用

研究了阳离子表面活性剂（ＣＳＡＡ）溴化十六烷基三甲铵（ＣＴＡＢ）、溴化十六烷基吡啶（ＣＰＢ）在水溶液中与溴酚红（ＢＰＲ）的显色反应。发现在ＰＨ５．０～６．０范围内,ＣＳＡＡ单体与ＢＰＲ形成离子缔合物（缔合比为３：２）,可用于微是ＣＳＡＡ及ＣＳＡＡ的临界胶束浓度（ＣＭＣ）的测定。本文还研究了显色２的适宜条件、分析特征,并讨论了反应机理。     

微波等离子体处理聚乙烯膜的表面结构分析

以ＥＳＣＡ和ＥＰＭＡ等主手段，探讨并比较了微波场下Ｎ２，Ｈｅ，ＣＯ２，Ｏ２，Ｈ２Ｏ及空气放电产生的等离子体对聚乙烯膜的表面改性与蚀刻作用，结果表明不同的等离子处理均使样品表面引入化学形式相同但含量有所不同的含氧（－Ｃ－Ｏ－，－ＣＯ－Ｏ－）和含氮（－ＮＨ－，－ＮＨ２）极性基团，没有生成羰基（Ｃ＝Ｏ）并使样品受到不同程度的蚀刻，处理后的样品表面亲水性增强，其中以Ｎ２和Ｈｅ等离子体处理的样品亲水性提高较     

SPAPT-CPB-AS光度法测定阴离子表面活性剂

在ＮａＯＨ介质中,新试剂１－（４－磺酸基苯基）－３－「４－（苯基偶氮）苯基」三氮烯（ＳＰＡＰＴ）和溴化十六烷基吡啶（ＣＰＢ）与阴离子表面活性剂（ＡＳ）发生显色反应,形成三元配合物。利用ＳＰＡＰＴ－ＣＰＢ－ＡＳ显色体系。研究了光度法有离子表面活性剂。最大吸收波长５９０ｎｍ,测定十二基苯磺酸钠（ＤＢＯＳＯ３Ｎａ）、十二烷基磺酸钠（ＤＯＳＯ３Ｎａ）、十二烷基硫酸钠（ＤＳＯ４Ｎａ）的表观摩尔吸光系数分别为     

硬脂酸与Mo(W)-S-Fe簇合物复合膜的XPS和AES研究

在钢铁表面获得了具有金属光泽和良好装饰效果的不溶性彩色Ｍｏ（Ｗ）－Ｓ－Ｆｅ族合物膜，采用加速化学腐蚀试验，ＬＳＶ，ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了多种钝化剂处理簇合物膜前后的耐蚀性能，结果表明，硬脂酸钝化处理后，不仅保护和稳定了膜层的颜色，而且提高了钢铁的抗腐蚀能力，硬脂酸与彩色膜表面的Ｆｅ＾２＋反应形成了一层致密的不溶性配合物膜。     

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明,ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ,分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因     

XPS研究聚苯胺的竞争掺杂行为

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法对不同反应体系下化学合成的聚苯胺（ＰＡＮ）的结构和掺杂状况进行了研究。发现盐酸（ＨＣｌ）掺杂的聚苯胺在样品后处理过程中易发生脱掺杂行为;在十二烷基苯磺酸钠（ＳＤＢＳ）和盐酸共存体系下合成聚苯胺时,对阴离子ＤＢＳ＾－和Ｃｌ＾－发生竞争掺杂行为。结果表明ＤＢＳ＾－与带正电荷聚苯胺链结合,起到了掺杂和诱导聚苯胺可溶性的作用,它的Ｎ１ｓ和Ｓ２ｐ谱图与单独采用十二烷基苯磺酸     

用显微红外光谱法研究高分子共混物溶液自组织形成的相组成分布

本文制备了ＰＳ／ＰＣ（７／３）和ＰＳ／ＰＭＭＡ（５／５）的四氢呋喃（ＴＨＦ）溶液,通过缓慢蒸发溶剂制得ＰＳ／ＰＣ和ＰＳ／ＰＭＭＡ的共混物薄膜。利用不同的ＦＴＩＲ测试方法检测了制得薄膜中的组成分布。将ＰＳ／ＰＣ薄膜超薄切片,通过显微投射红外方法检测了其纵剖面的组成分布（测试步长为１６μｍ）。结果表明：ＰＳ含量从膜底面到表面缓慢增大呈梯度分布,在膜表面附近急剧增大,即ＰＳ组分在成膜过程中向表面（与空气     

Ba,Sr,Ca在Co／γ—Al2O3催化剂上CO氧化的作用机制（II）

用硝酸盐水溶液等量共浸法制备了分别在７５０℃和９００℃焙烧的系列催化剂Ｃｏ－Ｍ／γ－Ａｌ２Ｏ３（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｏ３Ｏ４／Ａｌ２Ｏ３＝８ｗｔ％，Ｍ／Ｃｏ＝１５ｍｏｌ％）测定了ＣＯ氧化转化率，用ＢＥＴ表面，ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＤＴＡ和ＴＰＲ等手段研究了助剂Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ的作用，结果表明，加入助剂后，ＣＯ完全转化温度下降了２０～６０℃左右，助剂的作用顺序为Ｃａ＞Ｓｒ＞Ｂａ，实验表明，７５０℃和９     

在He和Ne的流动余辉中POCl3的解离动力学

本文利用流动余辉技术研究了亚稳态原子Ｈｅ（２＾３ｓ）和Ｎｅ（＾３ｐ０．２）与ＰＯＣｌ３分子的传能反应，获得了激发态碎片ＰＯ（Ａ）和ＰＯ（Ｂ）的发射光谱，测定了Ｈｅ（２＾３ｓ）与ＰＯＣｌ３反应中ＰＯ（Ａ）和ＰＯ（Ｂ）的形成速率常数，其数值分别为：ＫＰＯ（Ａ）＝３．６８×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃｕｌｅ＾－１Ｓ＾－１和ＫＰＯ（Ｂ）＝９．４０×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃｕｌｅ＾－１·Ｓ＾－１     

Improvement of Cu2ZnSnS4 thin film morphology using Cu–Zn–Sn–O precursor fabricated by sputtering

The new precursor of Cu–Zn–Sn–O (CZTO) was proposed for Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) thin film fabrication to improve film morphology. The CZTS thin film grown from Cu–Zn–Sn (CZT) precursors has many bumps. We deposited CZTO precursors on Mo/soda-lime glass (SLG) substrates by RF sputtering using a CZT (Cu:Zn:Sn = 2:1:1) target in Ar and O₂ atmosphere at various O₂ partial pressures (0%, 5%, 17% and 20%). Subsequently, the CZTO precursors were sulfurized in Ar and S atmosphere to fabricate CZTS thin films. The CZTO precursors were amorphous. The morphology of the CZTS thin films was improved by the CZTO precursors. All of the CZTS films fabricated in this study had the same crystal structure. Composition analysis revealed that 50% of O were detected in the CZTO precursor, but O was not detected after sulfurizing process, indicating that O was substituted by S. The CZTS thin film from the CZTO precursor fabricated at O₂ partial pressure of 20% had similar composition for solar cell absorber.     

太阳电池用Cu2ZnSnS4薄膜的反应溅射原位生长及表征

通过直流反应磁控溅射技术,原位生长制备了太阳电池用Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜.采用X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,原位生长的CZTS薄膜具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成.不同基底温度下生长所得薄膜的Cu/(Zn+Sn) 值均约为1,而Zn/Sn值均大于1且随着基底温度升高而减小.所得薄膜在(112)方向上择优取向明显,且结构特征受基底温度和Cu/(Zn+Sn)的共同影响.所得薄膜均具有高达10⁴cm^-1的光吸收系数,其带隙宽度随着生长温度的增加而降低,并且在500℃时为(1.51±0.01)eV.薄膜的导电类型均为p型,且具有与器件级Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)相当的载流子浓度. 关键词： 2ZnSnS₄')" href="#">Cu₂ZnSnS₄ 直流反应磁控溅射 原位生长 太阳电池     

Formation of the Cu6Sn5 Intermetallics in Cu/Sn Thin Films

Physics of the Solid State - The formation of the Cu6Sn5 intermetallic in Sn(55nm)/Cu(30nm) thin-film bilayers has been studied upon heating the film sample from room temperature to 300°C...     

Zn,Cu共掺杂的TiO_2:SnO_2薄膜的制备及性能研究

用溶胶-凝胶法制得Zn,Cu共掺杂的TiO_2∶SnO_2凝胶,旋转法于玻璃基底镀膜,制备出Zn,Cu共掺杂的TiO_2∶SnO_2薄膜,探讨了掺杂比例、煅烧温度对其结构、形貌和性能的影响。采用XRD、FTIR、FESEM、PL等测试技术对薄膜进行表征,并考察了其对甲基橙的光催化降解性能。结果表明:600℃时,薄膜粒子的结晶度较高,粒径小,分布均匀,表面平整且无明显裂痕;紫外-可见光谱(UV-Vis)表明:该薄膜在可见光区和紫外区都有很强的吸收;光催化性能测试表明:与纯相TiO_2对比,该样品对甲基橙的光催化降解率有较大提高,在最佳掺杂量比为n(Ti)∶n(Sn)∶n(Zn)∶n(Cu)=10∶3∶1∶1时,光催化降解率最高。     

PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性

利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜.靶材是由SnS和Cu₂S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%).利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性能的影响.结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长, SnS :5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰.随着Cu掺杂量的增大, 平均颗粒尺寸逐渐增大.不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为10⁵ cm^-1数 量级.SnS :5%Cu薄膜的禁带宽度E_g为2.23 eV, 光暗电导率比值为2.59.同时, 在玻璃衬底上制备了p-SnS :Cu/n-ZnS 异质结器件, 器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性, 并具有较弱的光伏特性.     

Effective phototransformation in a heterostructure based on copper(I) oxide and cadmium tin oxide

We present a heterostructure consisting of anodic copper oxide Cu₂O on a copper substrate and a transparent Cd–Sn–O conducting film for use in solar cells. Focusing on simplicity and the availability of film fabrication techniques, we chose anodic oxidation for forming the Cu₂O film and the extraction-pyrolysis technique for forming the transparent Cd–Sn–O conducting layer. We demonstrate the possibility of considerable enhancement of the phototransformation efficiency in the Cu–Cu₂O/Cd–Sn–O structure over this parameter in the Cu–Cu₂O structure.     

Cu(In,Sn)Se2 thin films for absorption of energy from infrared radiation

In this study, we sought to lower the bandgap of thin film solar cells by replacing the Ga used in the absorber layer of Cu(In,Ga)Se₂ with Sn (bandgap of 0.07?eV) to form Cu(In,Sn)Se₂. The proposed scheme was shown to reduce the bandgap of the absorber layer from 1.0?eV to 0.88?eV. Sn films of various thicknesses were deposited using precursors of Sn–In–Cu metal in order to study the effects of Sn/(In?+?Sn) ratio (SIR) on the structure of the material and photoelectrical characteristics of the Cu(In,Sn)Se₂ absorber layer. Experiment results revealed that a higher SIR following selenization increased the grain size and surface roughness of the absorber layer. It increased the quantity of secondary phases of SnSe₂ and Cu₂SnSe₃ and improved the distribution of Cu and In in the absorber layer. A higher SIR was also shown to increase electron mobility while decreasing carrier concentration and conductivity. When SIR≧0.25, the replacement of In³⁺ with Sn⁴⁺in the Cu⁺ vacancies decreased the electron strength of In. We speculate that an increase in SIR caused a relative increase in the quantity of Sn²⁺ compared to Sn⁴⁺, thereby increasing the electron strength of Sn and switching the absorber layer from a p-type to an n-type semiconductor.     

铋膜电极电位溶出法测定水果罐头中的痕量Sn2+

研究了同位镀铋膜法制备铋膜电极测定痕量Sn2+的电位溶出法。在0.1mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH 4.8)中,通过开路富集于-1.2V进行电沉积,Sn2+与Bi3+被还原为单质富集于电极表面,在铋膜电极的电催化作用下再进行电位溶出,于-0.61V左右单质锡被氧化为Sn2+获得一灵敏的氧化溶出峰,其浓度与峰值成线性关系,线性范围为0.1—5.0mg/L,该方法的最低检出限为0.03mg/L(3σ)。利用该电极测定了水果罐头中痕量Sn2+的含量,并与国标方法作对比实验,结果表明该方法可用于实际样品分析。     

ZnO-SnO_2透明导电薄膜的制备及性能研究

采用二步成胶工艺制备ZnO-SnO_2透明导电薄膜,应用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、薄膜分析仪及四探针仪等对薄膜的结构、表面微观形貌、透过率和导电性能进行表征.结果表明,锌锡摩尔比为9/12,退火温度为500 ℃时,薄膜的透过率达90%,电阻率为3.15×10~(-3) Ω·cm.与其它工艺相比,二步成胶工艺所制备出的ZnO-SnO_2透明导电薄膜性能优异.     

Equilibrium and kinetic surface segregations in Cu–Sn thin films

Equilibrium and kinetic surface segregations in Cu–Sn thin films are simulated based on the modified Darken model for a finite sized system. The simulations are carried out for all compositional ranges and film thicknesses. The segregation energy and the interaction parameter for the simulation are determined respectively by the Miedema model and from the thermodynamic data used for the Cu–Sn phase diagram calculation. The strong negative interaction parameter restrains Sn surface segregation in the Cu–Sn system. The size effect on surface segregation depends on the segregation energy, interaction parameter, initial bulk concentration, temperature and film thickness.