温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂发育和繁殖的影响

为了提高白蜡窄吉丁Agrilus planipennis的重要天敌——白蜡吉丁柄腹茧蜂Spathius agriliYang的繁育效率,本研究调查了不同温度(22,24,26,28,30和32℃)对该蜂生长发育及繁殖的影响。结果表明,在22~32℃范围内,白蜡吉丁柄腹茧蜂的卵、茧蛹及世代发育速率均随着温度的升高而加快,而幼虫的发育速率在26℃时最快。卵、幼虫、茧蛹和世代的发育起点温度分别为14.34,16.89,14.16和13.84℃,有效积温分别为24.59,61.16,166.27和276.80日.度。温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂的寄生率、寄生成功率、产卵量、子代蜂数量和性比都有不同程度的影响。据此提出适于人工繁育白蜡吉丁柄腹茧蜂的温度范围为26~28℃。     

温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂发育和繁殖的影响

为了提高白蜡窄吉丁Agrilus planipennis的重要天敌——白蜡吉丁柄腹茧蜂Spathius agriliYang的繁育效率,本研究调查了不同温度(22,24,26,28,30和32℃)对该蜂生长发育及繁殖的影响。结果表明,在22~32℃范围内,白蜡吉丁柄腹茧蜂的卵、茧蛹及世代发育速率均随着温度的升高而加快,而幼虫的发育速率在26℃时最快。卵、幼虫、茧蛹和世代的发育起点温度分别为14.34,16.89,14.16和13.84℃,有效积温分别为24.59,61.16,166.27和276.80日.度。温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂的寄生率、寄生成功率、产卵量、子代蜂数量和性比都有不同程度的影响。据此提出适于人工繁育白蜡吉丁柄腹茧蜂的温度范围为26~28℃。     

温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂发育和繁殖的影响

为了提高白蜡窄吉丁Agrilus planipennis的重要天敌——白蜡吉丁柄腹茧蜂Spathius agriliYang的繁育效率,本研究调查了不同温度(22,24,26,28,30和32℃)对该蜂生长发育及繁殖的影响。结果表明,在22~32℃范围内,白蜡吉丁柄腹茧蜂的卵、茧蛹及世代发育速率均随着温度的升高而加快,而幼虫的发育速率在26℃时最快。卵、幼虫、茧蛹和世代的发育起点温度分别为14.34,16.89,14.16和13.84℃,有效积温分别为24.59,61.16,166.27和276.80日.度。温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂的寄生率、寄生成功率、产卵量、子代蜂数量和性比都有不同程度的影响。据此提出适于人工繁育白蜡吉丁柄腹茧蜂的温度范围为26~28℃。     

温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂发育和繁殖的影响

为了提高白蜡窄吉丁Agrilus planipennis的重要天敌——白蜡吉丁柄腹茧蜂Spathius agriliYang的繁育效率,本研究调查了不同温度(22,24,26,28,30和32℃)对该蜂生长发育及繁殖的影响。结果表明,在22~32℃范围内,白蜡吉丁柄腹茧蜂的卵、茧蛹及世代发育速率均随着温度的升高而加快,而幼虫的发育速率在26℃时最快。卵、幼虫、茧蛹和世代的发育起点温度分别为14.34,16.89,14.16和13.84℃,有效积温分别为24.59,61.16,166.27和276.80日.度。温度对白蜡吉丁柄腹茧蜂的寄生率、寄生成功率、产卵量、子代蜂数量和性比都有不同程度的影响。据此提出适于人工繁育白蜡吉丁柄腹茧蜂的温度范围为26~28℃。     

温度和利用率对CPU性能的影响研究

随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出。为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值的影响。采用SPEC CPU2006作为评测基准程序集,结合环境温度试验进行测评,对利用率、温度进行了监测采集。利用试验数据建立了温度和评测分值的对应模型,给出了更精确的评测分值。该结果能使CPU工作于合适的评测温度范围,减少温度对CPU评测分值的影响。     

温度校准和温度平衡罩对DMA测试基材Tg的影响

通过对覆铜板基材进行动态热机械分析(DMA),研究了温度校准和温度平衡罩对DMA测试覆铜板基材玻璃化转变温度(T_g)影响。结果表明,在使用金属标准物质对DMA进行温度校准时,应在较低的温升速率下进行。DMA温度平衡罩适用于使用双悬臂、三点弯曲模式,不适用于拉伸模式测试样品的T_g。     

光强和温度对多结太阳电池的影响研究

基于模拟太阳光源的方法,在室内研究了在不同光照强度、不同工作温度下GaAs多结太阳电池的输出特性.通过实验得出:随着光源辐照强度的增加,太阳电池的特性参数:短路电流Isc线性增加,开路电压Voc对数增加,最大输出功率P线性增加,光电转换效率η随聚光比增加到一定程度后减小.对比分析了光强和温度对电池输出特性的影响,数据结...     

沉积温度对PbTe薄膜结构和光学性能的影响

采用电阻热蒸镀法,分别以不同的沉积温度在锗基底上制备了PbTe薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和红外光谱测试仪(System2000)表征了不同沉积温度下薄膜的微结构和光学特性.结果表明,沉积温度对PbTe薄膜的结构、择优取向、生长方向、晶粒大小、禁带宽度以及短波吸收限均有明显影响.     

预烧温度对LiZn铁氧体微结构和性能的影响

研究了预烧温度对LiZn铁氧体微结构、密度、气孔率和磁性能的影响.结果表明,预烧温度影响粉体的活性,适宜的预烧温度是获得良好显微结构和高性能铁氧体的必要保证.气孔率P减小,饱和磁感应强度Bs、矩形比Br/Bs(Br为剩余磁化强度)增加;平均晶粒尺寸Dm增大,矫顽力Hc减小.P和Dm决定铁磁共振线宽ΔH的大小,但前者的作用比后者大.当预烧温度为800 ℃时,材料的P 最小,Bs和Br/Bs达到最大值,ΔH有最小值.当预烧温度为950 ℃时,Dm最大,Hc最小.综合各方面的性能,最佳的预烧温度确定为800 ℃.     

温度对ErAlN薄膜晶体结构和电学性能的影响

采用射频反应磁控溅射在蓝宝石(0001)衬底上沉积生长了掺杂Er的AlN薄膜。利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪对不同衬底温度下制备薄膜的晶体结构和电学性能进行了分析表征。结果表明,随着温度的增加,晶体取向和表面粗糙度愈来愈好,当温度继续上升时,晶体取向和表面粗糙度质量开始变差;电阻率和漏电流随着温度的增加性能先变优后下降。在衬底温度为200℃时,薄膜结构和电学性能最佳。     

退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响

采用磁控溅射技术在p-Si基片上制备出SiC薄膜。将样品放在管式退火炉中通N2保护,分别在400℃,600℃,800℃和1 000℃进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构以及光致发光特性(PL)的影响。发现随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度变好,SiC在800℃开始有晶相出现,Si—C峰也在向高波数的方向移动,这主要是由于膜中的Si1-xCx的化学计量发生变化。PL谱中的三个峰:322 nm起源于薄膜中的中性氧空缺,370 nm起源于SiC发光,412 nm起源于薄膜中的C簇。     

热处理温度对片状ZnO晶体结构和光学性质的影响

采用均匀沉淀法,在无任何催化剂的条件下,两步合成片状ZnO晶体。105℃干燥得到ZnO晶体前驱物,400℃煅烧得到纯ZnO晶体。通过XRD、SEM、TEM、UV-vis和PL光谱等测试手段对ZnO晶体在两个不同热处理温度下的结构和光学性质进行表征。结果显示:ZnO晶体为六方纤锌矿结构,(0001)面形貌为规则的片状正六边形。热处理温度由105℃升至400℃,样品直径增加,透射率降低,禁带宽度减小,光致发光近带边发射峰强度减弱,位置红移。实验结果表明,热处理温度对均匀沉淀法合成ZnO晶体的光学性质存在一定影响。     

液体温度对空泡生长和溃灭过程的影响

采用光偏转测试系统研究了不同温度纯净水中激光空泡脉动过程,通过实验获得了激光空泡在靶表面膨胀和收缩全过程,确定了空泡的最大、最小泡半径、脉动周期和泡壁运动速度。实验采用0℃到70℃的纯净水,测量了空泡的泡半径和脉动周期等特征参量变化情况。实验结果表明,液体温度是影响空泡脉动的一个非常重要的因素,随着液体温度的增加空泡的最大泡半径和溃灭周期均呈增加趋势。给出了相应的理论解释。     

光照和温度对叶绿素成分影响的研究与探索

以从新鲜玉兰叶片中提取出的新鲜叶绿素为原料,用WGS-9型色度仪分别测出叶绿素提取液在不同波长的光和不同照射时间以及不同温度下的吸收光谱,通过对吸收光谱的分析得出不同光照和温度对叶绿素的影响及对叶绿素中成分的破坏情况.文中对实验结果一一作了解释,并进一步试着推出绿色植物或蔬菜在运输和保存过程中比较适宜的照明光的波长范围和温度.     

温度和气压对车载光学系统成像质量的影响研究

为了研究温度和气压对车载光学系统成像质量的影响,在分析温度和气压变化对光学系统结构参数影响的基础上,以某型履带式装甲侦察车CCD摄像机为研究对象,建立其光学系统模型,通过设置不同的温度和气压对系统模型进行了仿真分析。利用光学调制传递函数来表征系统的成像质量,得到了不同温度和气压下系统成像质量的变化规律。仿真结果表明:温度和气压的变化幅度越大,光学系统的成像质量越差,并且气压变化对光学系统成像质量的影响程度大于温度变化。此研究对新型车载光学系统的环境适应性设计提供了重要的参考。     

扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响

研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响。通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池。结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64 V,5.58 A,0.755和17.3%。     

温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响

锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比.采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃.同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象.这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴.     

温度和电场对a-SiC; H TFLED发光亮度的影响

通过载流子注入和复合输运模型 ,分析比较了温度和电场对 pin注入型非晶硅碳薄膜发光二极管 (a -SiC :HTFLED)发光亮度的影响。分析表明发光有源i层内大电场尤其是大电流引起的高温度决定着大电流下二极管的发光亮度。     

焊接温度曲线对混装BG A塌落和空洞的影响

采用有铅焊膏焊接无铅BG A 是当前高可靠电子产品组装中应对BG A 器件无铅化的手段之一。混合焊接时焊接温度曲线是影响BG A 焊接质量和焊点性能的关键因素。研究不同焊接温度曲线条件下无铅BG A 的塌落高度和焊点中空洞状况。研究结果表明,采用有铅焊膏焊接SnA gCuBG A ,但焊接峰值温度为215℃和220℃时,BG A 未完全塌落,继续提高峰值温度到225℃,BG A 塌落高度与有铅焊膏焊接有铅BG A 的塌落高度接近;继续升高峰值温度,无铅BG A 的塌落高度变化不大。当焊接峰值温度从215℃提高到230℃,混装焊点中的空洞逐渐减少;焊接峰值温度继续提高,焊点中空洞反而增加。     

温度和浊度对罗丹明B示踪检测的影响及校正

由于环境污染日益严重,对污染物进行追踪具有必要性,使用示踪剂罗丹明B进行追踪实验是对污染物溯源的一种有效方式,但在使用罗丹明B荧光传感器进行原位污染物追踪检测中,温度浊度等环境因素变化会对测量结果造成影响,因此需对温度和浊度两个主要环境因素进行补偿校正,从而提高罗丹明B检测准确度。利用荧光分光光度计检测不同浓度罗丹明B荧光光谱,并采用偏最小二乘法（PLS）进行光谱数据分析与建立标准曲线。测量并分析了温度10~60 ℃和浊度0~55 NTU范围的罗丹明B荧光光谱,结果表明罗丹明B的荧光强度与温度呈负相关性,与浊度呈正相关性。由于罗丹明B浓度差值变化率与温度和浊度呈良好线性关系,因此利用罗丹明B浓度差值变化率对不同环境进行补偿校正。在温度和浊度补偿校正之后,浓度检测结果的相对误差分别小于0.48%和0.34%,提高了罗丹明B在不同环境中的检测准确度,并对温度和浊度共同影响时的检测结果进行分析,建立共同补偿校正模型。为抑制温度和浊度对罗丹明B原位检测的干扰提供了一种修正思路。