水晶的结晶习性与生长规律研究

本文研究了水晶中Ｓｉ－Ｏ四面体在不同温度下其结晶方位的变化，制作了一个可以演示α－β水晶的变化模型，提出水晶生长基元为Ｓｉ－Ｏ四面体五联分子结构．该基元在晶轴ｃ方向构成共轭螺旋结构，在晶体形貌上为三方偏方面体，该单形的结晶习性异常活跃，在各族晶面上都有显露．其结晶形貌可以作为识别晶体左、右形标志．根据结晶习性提出了籽晶最佳取向和生长的物理、化学条件，并为彩色水晶研究提供了科学依据．     

人工水晶的缺陷与品质

对人工水晶缺陷和质量的研究有过不少报道[１－４］,一般认为水晶中缺陷是由螺位错、刃位错和混合位错构成的[５－７］．本文作者认为水晶中缺陷主要是沿着三方偏方面体单形锥面发育的面缺陷．下面从缺陷形成的机理与ＯＨ－之间的关系来讨论缺陷对水晶品质的影响．一、缺陷的检查１．Ｘ射线形貌照相形貌照相所揭露的水晶缺陷与晶体表面结构形态的方位特征是一致的．底面ｃ上三方结构（三方丘或三棱锥）提由三方偏方面体锥面组?...     

人工水晶缺陷的X射线形貌术观察

对z向生长的人工水晶中的缺陷进行了X射线形貌术观察和离子探针成份分析,发现除了位错线外,还存在一些过去未曾观察到的层错。对这些层错和位错线的形态、Burgers矢量以及成因作了简要的分析。 关键词：     

人工水晶钻石白度的检测方法

利用阿贝折射仪检测了人工水晶钻石的折射率，介绍了以不同固体的折射率为标准进行人工水晶钻石的白度分析的方法．     

简评《人工水晶》一书的出版

近年来,我国出版界出版了一些有关晶体生长的好书,如张克从等编著《晶体生长》(科学出版社),闵乃本著的《晶体生长理论》(上海科技出版社出版,获1983年评选最佳出版书的一等奖).这些书的出版对晶体生长工作者都有助益.现在见到仲维卓等著的《人工水晶》一书,则是人工生长水晶的专著. 水晶原是天然生长的,可以作装饰及光学器件之用.自第一次世界大战之中法国郎之万发明了水晶压电振荡器,可以用作在无线电线路中作为控制振荡频率,用途大而广.日后天然水晶供不应求,于是,人工制造水晶的科研和生产大兴.自电子学器件盛行后,人工需求更大.我国自…     

人工水晶-x面上巴西双晶的形成机制

本文以人工水晶-x面上的巴西双晶作为研究对象,在实验的基础上,利用X射线衍射形貌术和电子探针显微分析等手段,研究了双晶的形成机制,同时分析了Kern的双晶成核动力学理论的不足之处。作者提出了双晶界应变能势垒的概念,认为由于晶体的不完整性提高了晶体本身的能量状态,结果相对降低了应变能势垒的高度,使得双晶易于发生。本文结合晶体生长实验和晶体缺陷的测试,分析了双晶形成与籽晶取向、杂质、晶体缺陷的相互关系,着重指出缺陷对双晶形成的影响。本文还以凹入角生长机制讨论了双晶的发育。 关键词：     

关于人工水晶生长形态与界面分子组波度之间的联系

采用在造型上经特殊设计的籽晶,使对于z轴而言,籽晶的内向同外向生长皆可进行,从而充分地展示了人工水晶的多种生长形态。描述了三种不同形式的三方偏方面体的形成,它们分别是5161的近倾面,6155以及从2112和10559形变而形成的毗邻相接的三角形小面。此外,为沿z(0001)面侧向推展时-x向速度超过+x向提供了直截了当的证据。 关键词：     

天然水晶与水热法合成水晶的近红外光谱对比分析

水热法合成水晶与天然水晶的物理化学性质相似、内含物少见,常规检测方法无法鉴别。本论文采用德国布鲁克(Bruker)TENSOR27红外光谱仪测试分析,发现合成无色水晶以3585cm~(-1)谱带为特征;烟水晶特征吸收峰在3300~3000cm~(-1)附近,而合成烟水晶位于3600~3300cm~(-1)附近;合成黄水晶仅有5200cm~(-1)吸收峰,黄水晶不具有此特征吸收;紫水晶具有5228cm~(-1)、4450cm~(-1)特征谱带,合成紫水晶在4000~3000cm~(-1)内有特征吸收峰;合成绿水晶仅有5200cm~(-1)吸收峰。     

掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构及其结晶化学分析

根据铌酸锂晶体本征缺陷的Ｌｉ空位模型，提出了掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构模型；计算出了掺镁铌酸锂晶体中Ｌｉ_２Ｏ，Ｎｂ_２Ｏ₅的含量、［Ｌｉ］／［Ｎｂ］比以及晶体的密度随掺镁浓度的变化关系．计算结果与文献中报道的实验结果相符合 关键词：     

水晶的生长基元

纯物质(不包括高分子和混合晶体的结晶)实际上完全由等同分子所组成,这些分子在结晶前处于亚稳态,结晶后各向尺度大体相等并相当于晶胞的整数倍数,通过简单平移可以充满三维空间,这种分子叫做生长基元或结晶基元. 物质结晶时其生长着的界面和进入晶体的分子的比表面能皆应最小,可以认为,这就要求使分子的悬键数与所会原子数之比为最小值. 天然水晶早就为人们所注意,晶面夹角守恒定律首先是从对水晶的观察中获得的.1932年居里发现的压电效应也是对水晶进行研究的结果.由于对压电水晶的大量需要,人工生长工艺已经比较成熟,人工水晶是一种在热…     

在热液条件下石英晶体的溶解及生长

本文实验部分主要研究了用温差法热液生长石英的溶液在冷却以后和重新建立的热液条件下所呈现的一些胶体化学性质。对冷却后的溶液做了超显微镜和电泳相结合的观察;对在重新建立起来的热液条件下的溶液仅做了电泳实验。在这两种情况下,对电泳迭合物都做了物相分析及加热过程中的物相转变的研究。理论部分根据实验结果及对石英晶体结构的考虑,推测了热液中真溶液部分,在晶体溶解及生长过程中分子的分散和重合的几个可能和主要阶段的结构,着重考虑到溶液中六联环状分子Si₆O₆(OH)₁₂的形成、活动、配联和结晶等问题。从较大的水合分子在结晶过程中的脱水作用,结合表面张力等因素对石英表面上巨大的生长螺旋和一些其他模样的成因做了一些推论,并从生长着的小晶体落在生长着的大晶体柱面上的取向附生的事实说明较大分子的取向性地生长于晶体上是完全可能的。     

新型衬底晶体LiGaO2的生长和结晶性质研究

氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料[1].但在改进材料质量方面最大的困难是:缺乏一种能和GaN在晶格及热性能方面十分匹配的理想衬底材料[2].Al2O3被普遍认为可以作为GaN的衬底材料.这主要是由于它具有的结构、热性能好,和生长加工容易等特点.     

人造石英单晶中位错双折射像的反衬

考虑了光弹系数的各向异性,对石英晶体中位错双折射象的反衬进行了计算。在实验上采用反射偏光法抵消旋光后沿光轴观察获得了位错双折射象,并和计算结果进行了比较。 关键词：     

高温高压下氮化硼的结晶化及立方氮化硼的合成

 研究了非晶BN、二维有序BN和低有序度六方BN（G.I＝6.1）在高温高压下的结晶行为及不同有序度的BN对立方BN合成的影响。研究结果表明，低有序度BN向高有序度六方相转化，但不同有序度的BN原料向立方BN转化的行为不同。少量B掺杂下的立方氮化硼的合成实验发现B的掺入阻碍立方BN的生成。低有序度BN不易向立方BN的主要原因可以认为是它们存在较多的N空位，高温高压下随着BN的结晶化，B以杂质析出并阻碍了立方BN的合成。     

液态Au和Ag冷却过程的分子动力学模拟

采用反映原子多体相互作用的FS势模型,通过分子动力学方法研究了贵金属Au、Ag在温度2000~300 K之间的冷却过程,考察其结构变化特点,给出了冷却过程微观结构转变的重要信息.     

THE HIGH-PRESSURE CRYSTALLIZATION AND ANNEALING BEHAVIORS OF POLYETHYLENE TEREPHTHALATE OLIGOMER

Polyethylene terephthalate (PET) oligomer samples crystallized and annealed at high pressure were investigated with differential scanning calorimetry (DSC) and scanning electron microscopy (SEM). The results showed that better crystals were obtained through high-pressure crystallization from the melt than annealing under the same conditions. The difference of the effects of crystallization and annealing on the morphology of crystals reduced with the increase of crystallization time. The melting temperature was determined by the lamellar thickness when it was shorter than the length of the molecular chains, while the main factor governing the melting temperature changed from lamellar thickness to density of chain-end defects when the lamellar thickness was much longer than the molecular length. PET oligomer extended-chain crystals with thickness up 100 μm were obtained.     

LPCVD a—Si薄膜的缺陷补偿和掺杂

本文通过ESR,σ_D,σ_Ph,SIMS和E_α等测量,对LPCVD方法生长的a-Si材料的掺杂、缺陷补偿和氢化作了研究,发现在这种材料中,虽然不存在可检测得出的氢含量,却仍然能够进行掺杂,特别是在重掺杂区,缺陷得到有效的补偿,E_F向带边移动。文中基于Street最近提出的关于a-Si掺杂的新观点,用缺陷补偿和化学配位等观点解释了没有氢情况下的掺杂机理。 关键词：