场致发射显示器驱动电路研究进展及其性能研究

场致发射显示是一种新型的平板显示技术,场致发射显示器继承了传统的阴极射线管显示器的优良特性,兼有液晶等薄型平板显示器的优点,具有广阔应用前景。介绍了几种不同阴极结构的场发射显示器工作原理及相应的驱动电路,分析并比较了二极管型和三极管型两种场致发射显示器的驱动电路,对新型场致发射平板显示器的理论研究具有参考意义。     

表面微构造的硅材料--一种新型的光电功能材料

在SF6气体氛围内用飞秒激光照射硅表面,可在硅表面产生准规则排列的微米量级尖峰结构,形成“黑硅”新材料．初步研究表明,这种“黑硅”新材料对波长为250-2500nm的光波有大于90％的吸收,同时它还具有相当好的场致发射特性．由于具有这些奇特的光电性质,这种表面微构造的硅材料在光电探测器、太阳能电池、平板显示器等器件制造领域有着重要的潜在应用价值．     

四角状氧化锌纳米材料的场致发射平板显示器

利用真空封装工艺，制备了四角状氧化锌纳米材料的平板显示器，研究了其阴极的场致发射的特性，实现了显示器的全屏点亮.通过显示器稳定性的讨论，发现四角状氧化锌纳米材料在低真空也能有较好的场发射特性.实验结果表明了氧化锌纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料. 关键词： 纳米材料 场致发射 平板显示器     

三维热场致发射模型的数值模拟与研究

研究了场致发射与热电子发射的基本理论, 得出热场致发射的适用公式, 探讨了其粒子的初始分布和初始动量, 并在FDTD-PIC原理的基础上编写了软件, 分别实现了场致发射模型, 热电子发射模型和热场致发射模型, 通过分别对一个长楔形阴极器件的数值模拟, 从发射电流特性, 电子初始能量分布等方面验证了其正确性.     

锥顶碳纳米管的结构稳定性与场致发射性能

运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C₃₀半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone₁@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命. 关键词： 锥顶碳纳米管 电子场致发射 结构稳定性 密度泛函理论     

碳纳米管场发射显示器的研究进展

碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料,利用碳纳米管作阴极的场致发射平板显示器件的研究是目前显示技术领域的研究热点之一。报道了场发射显示器（FED）的结构及工作原理、阴极发射材料应具有的特点及碳纳米管在场发射领域中的应用情况。详细地论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、发射电流密度、电流稳定性及发射点密度等,对国内外碳纳米管场发射显示器的发展现状及趋势作了回顾和展望,并对目前所面临的主要问题作了分析,同时提出了一些改进的思路。     

颗粒膜厚度对表面传导电子发射的影响

制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69 nm的器件开启电压为32 V,在33 V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855 nm的器件开启电压为15 V, 在23 V时发射效率最高;颗粒膜厚度为69 nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855 nm的器件。     

HWR010超导腔提取耦合器的优化设计

我国自主研发的超导加速器CAFe是ADS加速器的前端示范装置,其对加速器的运行稳定性有非常高的要求.在CAFe的运行中存在场致发射效应干扰超导腔提取信号的问题,是造成超导腔运行故障最频繁的问题之一,这严重降低了加速器的稳定性.这一问题是由于超导腔内的场致发射电子在相关微波传输器件上引起了放电现象,干扰了信号的传输并造成...     

二极管间隙距离对场致发射过程中空间电荷效应的影响

在强电场条件下,由阴极通过场致发射产生的电子具有很强的空间电荷效应,因此真空二极管的空间电荷限制电流是设计高功率微波源等强流电子束器件时需要考虑的重要参数.场致发射电流密度只和阴极材料、阴极表面电场等有关,而空间电荷效应则会受二极管电压、间隙距离等因素的影响.为研究二极管间隙距离对场致发射过程中空间电荷效应的影响,建立了由场致发射阴极构成的一维平板真空二极管物理模型,利用第一性原理的粒子模拟方法,研究了二极管间隙距离和外加电压等参数变化时的阴极表面电场随时间的演变特性,得到了阴极表面稳态电场和二极管间隙距离之间的关系.结果表明,场致发射过程开始后,阴极表面电场先有个振荡过程,随后趋于稳定;在同一外加电场条件下,间隙距离越长,稳态电场的绝对值越小,且达到稳态所需的时间也越长;间隙距离越短,当阴极表面电场达到稳定状态时,二极管间隙区的电场分布变化越剧烈.     

场致发射中金刚石与金属的热粘接技术研究

以分析市场对显示器件的需求为基础,为了寻找适合场致发射的最佳材料,对金刚石粉的晶体结构、颗粒形貌和尺寸进行了分析,得知其微观形貌正好满足场致发射的理论要求.由于制备大面积纳米晶体金刚石薄膜材料的周期很长,且晶体金刚石的电阻率很大并很难掺入杂质,我们选用金刚石纳米粉和能够适合大面积、大批量生产的热粘工艺,从实验上研究并确定了金刚石与金属热粘工艺的可行性,为场致发射器件的研制提供了可靠的实验依据.     

阴极区热电子发射的数值模拟

在电子束及粒子束器件中,发射系统直接影响整个器件的质量。因此,对发射系统的分析就显得非常重要。对热阴极发射的数值计算方法做了一定的探讨。对常用的平板二极管模型进行了分析,从而了解了由于这种模型而引起的计算误差。针对这些问题,采用了一些其它的处理方法来模拟热阴极的电子发射。     

非平衡态对高温超导体光场致发射的影响

由于外加电场的作用 ,高温超导体材料体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,这种非平衡状态将影响高温超导体光场致发射的性质。文中对高温超导体的光场致发射受非平衡态的影响进行了研究。     

栅网结构碳纳米管冷阴极电子光学系统的设计

基于碳纳米管冷阴极实验测试结果,采用三维粒子模拟软件对大面积碳纳米管冷阴极的场致发射特性进行了仿真,研究了栅网结构不同尺寸对碳纳米管冷阴极场致发射特性及电子注通过率的影响,并在此基础上设计出面积压缩比为18,输出电流密度为14.9 A/cm2的带状注电子枪。为进一步研制碳纳米管冷阴极电子光学系统和相关微波、毫米波电真空辐射源器件提供了技术基础。     

基于场致发射阴极阵列的太赫兹源的物理机理研究

本文对一种基于场致发射阴极阵列(FEA)的太赫兹辐射源的物理机理进行了理论分析和粒子模拟验证. 采用场匹配法分析了器件的高频场结构, 确定π模作为器件的最优工作模式; 利用线性理论分 析了器件的注波互作用过程, 揭示了高频场对FEA阴极发射电流的预调制作用以及电子在阴阳极间隙的渡越时间效应 是器件起振的物理原因; 分析得出了π模起振条件; 粒子模拟结果与理论分析具有较好的一致性.     

非平衡态对高温超导体场致发射电子能谱的影响

高温超导体场致发射时伴随体内正常态部分空穴的产生 ,引起高温超导体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,将影响高温超导体场致发射的性质。文中对高温超导体非平衡态场致发射的电子能谱进行了研究     

氧化锌纳米棒场发射性能研究

采用简单物理气相沉积法制备出取向和非取向的氧化锌纳米棒，他们的场致电子发射性能测量结果表明，ZnO纳米棒具有较好的场发射性能，但是高度取向的ZnO纳米棒阵列并不利于获得高的场致电子发射电流密度.这可能是由于高密度ZnO纳米棒之间具有较高的屏蔽效应，降低了ZnO纳米棒阵列的场放大因子，从而影响了其场发射性能.相反，非取向ZnO纳米棒由于相互之间的屏蔽效应比较弱，而且表面存在容易成为发射中心的微小突起，表现出较好的场发射效果.这些结果不仅有助于加深我们对准一维纳米材料场致电子发射性能的理解，也为未来场发射电子器件的实际应用提供了可靠的依据. 关键词： 氧化锌 场发射 非取向     

富硅a-SiOxNy：H薄膜的电致发光特性

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO_0.35N_0.59:H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)发射模型为主。结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合。     

导电高分子场发射特性研究

用掺杂樟脑磺酸的聚苯胺(PANI-CSA)形成的导电高分子制成的薄膜作为场致发射的阴极材料,用覆盖了荧光层(ZnO：Zn)的氧化铟锡(ITO)做阳极,由所制成的显示器件得到比较稳定的场致电子发射,并具有较低的场发射阈值电压。通过研究导电高分子薄膜形貌,初步分析了场发射电流机制。认为导电高分子薄膜产生场发射的原因是薄膜在高电场作用下,首先在平整的高分子薄膜表面形成了尖锥和凹陷,提高了场强增强因子(β)。     

通道电子倍增器

通道电子倍增器简称CEM,是一种基于二次电子发射原理的新型的连续打拿极电子倍增器件.它不但具有增益高、功耗低、结构简单、操作方便、重量轻、体积小、响应快和供电简单等特点,而且更重要的是它是一个多功能、高灵敏的探测器件,它可以直接探测电子、离子、中性粒子、真空紫外     

场致发射的温度效应对微波管爆炸电子发射的影响

为研究场致发射的温度效应对微波管中爆炸电子发射过程的影响,在对比分析低温条件下的场致发射电流密度Fowler-Nordheim（FN）和一般的电子发射电流密度积分公式的基础上,利用细长圆柱形微凸起模型,重点考虑焦耳加热和热传导两个因素,编程计算得到了微凸起内部的温度分布和不同位置处温度随时间的变化。结果表明:场致发射的温度效应是一个重要影响因素,考虑温度对场致发射的影响后,微凸起内部各点的温度随时间呈非线性增长,且增长速率越来越大;在微波电场强度较弱时,若不考虑场致发射的温度效应而直接用FN公式表示的电流密度代入计算,会使爆炸发射延迟时间变短;当微波电场很强时,温度效应对爆炸发射延迟时间的影响则较小。