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在30-840K的温度区间内研究了YAG:Nd^3+荧光谱线(由斯塔克能级R1,R2向Zi(i=1,5)跃迁所辐射的荧光)的相对强度随温度的变化。同时,还研究了该晶的多光子荧光过程。 相似文献
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抗菌素阿莫西林荧光分析法的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
本文提出了阿莫西林(2S,5R,6R)-3,3-二甲基-6(R-)-(1)-2-氨基2-(4-羟基苯基)乙酰氨基-7氧化-4-硫杂-1氮杂双环(3,2,0)庚烷-2-甲酸三水化合物荧光分析的方法。并对影响阿莫西林荧光性质(光谱和光谱强度)的各种因素,包括pH值、表面活性剂的增效作用、无机离子的配合作用以其他介质条件等进行了较为详细的研究。实验结果表明,阿莫西林具有良好的荧光性质,在微碱性条件下荧光 相似文献
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研究了钛酸铅薄膜的拉曼光谱,发现了新的软模,满足居里-外斯关系,A1(1TO)和E(1TO)的强度随温度增加而反常增强,XRD和XPS研究了晶格结构,包括晶格参量,化学计量比和氧空位。 相似文献
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研究了钛酸铅薄膜的拉曼光谱,发现了新的软模,满足居里-外斯关系。A1(1TO)和E(1TO)的强度随温度增加而反常增强。XRD和XPS研究了晶格结构,包括晶格参量,化学计量比和氧空位。 相似文献
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3,3′-对亚苯基-双(7-异丙氧基香豆素)是一种首次合成的化合物,可用作荧光增白剂.本文通过测定该化合物在CDCl3、DMSO-d6溶剂中的1HNMR,研究溶剂对其1HNMR的影响. 相似文献
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在纯电阻电路里,电源的输出功率P=I2R=(ER+r)2·R=E2R(R+r)2.若R2>R1,则PR2-PR1=E2R2(R2+r)2-E2R1(R1+r)2=E2(R2-R1)(R1+r)2·(R2+r)2·(r2-R1R2)由题设条件R2>R1... 相似文献
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通过CS2分子352.4 ̄352.7nm的R^3B2(150)←X^1Σg^+(0,0,0)激光诱导荧光(LIF)激发谱,测量了沿超声射流轴线上X/D=3 ̄15的19个不同点处CS2分子的转动温度,得到转动温度随平动温度的变化关系,进而由弛豫方程得到转动弛豫几率与平动温度的关系。结果表明,在低温范围内随着温度的降低,转动弛豫几率增大,说明吸引力对传能过程起主导作用。 相似文献
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本依据献[1]用自旋S(1)Ising模型研究了具有近邻(J1)和次近邻(RJ1)相互作用的简立方格子的(100)、(110)和(1110界面性质。在体内为反铁磁相互作用下,分析了界面的基态,并用M-C方法计算了界面的低温性质,给出了SC格子的三类T-R界相图,由此讨论了二类界面相变(宏观刻面和粗化)及其在氯化钠晶体界面上的应用。 相似文献
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本文简要地叙述了近年来用该磁共振(NMR)和核四汲共振(NQR)方法对高Tc超导体的研究.讨论了La系和Y系材料在从反铁磁性转变到超导电性各阶段中的NQR谱的变化及其所提供的信息.讨论了 YBa2Cu3O7的 NMR研究,表明无论 Cu(1)或 Cu(2)均为自旋 S=1/2的 Cu2+伏态,并讨论了其中氧的伏态.简要叙述了金属超导体的自旋-晶格弛豫率随温度变化的规律,并将其与高Tc超导体中各元素的自旋-晶格弛豫率随温度变化的规津作了比较. 相似文献
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纳米SiC蓝光发射的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在4.68eV的激光激发下,室温CVD合成的纳米SiC粉体,可发射475nm的蓝光,经600~1100℃在N2气氛下进行快速退火(RTA)处理,其荧光强度随退火温度升高而增强,当T≥900℃时,荧光强度下降,但发光峰位与退火温度无关.通过XRD、IR、TEM、XPS等研究,认为纳米SiC中与氧有关的缺陷可能是引起475nm蓝光发射的主要原因 相似文献
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报道了光学纯5-(1-Meng氧基)-3,4-二取代2(5H)-呋喃酮的^1H NMR和^13C NMR数据,研究了不同取代基对结构以及核磁参数的影响。 相似文献
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斜率与截距比的标准差估计的三种方法 总被引:1,自引:0,他引:1
斜率与截距比的标准差估计的三种方法朱鹤年(清华大学北京100084)物理实验中运用直线拟合方法时被测量往往是斜率与截距之比,如电阻温度系数a’是直线方程R=R0(1+αRt)中的斜率截距比,空气相对压力系数αp是方程p=p0(1+αpt)的斜率截距比... 相似文献
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本文依据文献[1]用自旋S(1)Ising模型研究了具有近邻(J1)和次近邻(RJ1)相互作用的简立方格子的(100)、(110)和(111)界面性质.在体内为反铁磁相互作用下,分析了界面的基态,并用M-C方法计算了界面的低温性质,给出了SC格子的三类T-R界面相图,由此讨论了二类界面相变(宏观刻面和粗化)及其在氯化钠晶体界面上的应用. 相似文献