用光致发光研究不同通量辐照磷酸二氢钾晶体的缺陷

磷酸二氢钾晶体中的缺陷对晶体的激光诱导损伤起着重要作用.晶体的激光诱导损伤限制了大功率激光系统的发展.本文用真空紫外光致发光发射谱研究了不同通量辐照下磷酸二氢钾晶体的缺陷.与11.5 J/cm2辐照下的晶体及退役元件相比, 9 J/cm2辐照下晶体的荧光谱中在231.55 nm处出现了一个新峰.它可能源于自捕获激子的辐照湮灭. 9.0 J/cm2辐照晶体中主要是短链结构,而退役元件的损伤较复杂,有短链、中链和长链结构.短链中的P—O键比长链中的短,磷的3s轨道与氧的2p轨道重叠增加,则自捕获激子的辐照湮灭增强.结果显示出退役元件与9 J/cm2辐照下晶体的结构不同.对研究磷酸二氢钾晶体的激光诱导损伤机制有重要意义.     

高密度激发下CdS单晶的自由激子发光

本文首次在77K温度的电致发光光谱上,观测到了自由激子和自由激子(Ex-Ex)散射的发射带P。根据半经典理论,得到CdS单晶在高激发密度下的激子有效温度高于晶格温度。并且在77K温度下,通过氮分子激光器3371Å谱线的激发,观察到了Ex-Ex散射的P带的受激发射现象。     

Nd∶GGG晶体荧光寿命的测试及受激发射截面的计算

介绍了荧光寿命的测试原理。设计了荧光寿命测试系统。利用脉冲取样技术测试了Nd∶GGG晶体的荧光寿命,约为250μs。采用英国的荧光光谱仪,在室温条件下,用波长为488nm的Ar离子激光器激发Nd:GGG晶体,获得了Nd:GGG晶体的荧光光谱,计算出的Nd∶GGG晶体的受激发射截面σ(λ)为21.57×10-20cm2。     

Nd:GGG晶体荧光寿命的测试及受激发射截面的计算

介绍了荧光寿命的测试原理.设计了荧光寿命测试系统.利用脉冲取样技术测试了Nd:GGG晶体的荧光寿命,约为250μs.采用英国的荧光光谱仪,在室温条件下,用波长为488nm的Ar离子激光器激发Nd:GGG晶体,获得了Nd:GGG晶体的荧光光谱,计算出的Nd:GGG晶体的受激发射截面σ(λ)为21.57×10-20cm2.     

Nd：YAG晶体1．064μm受激发射截面随温度变化特性研究

测量了Nd：YAG晶体从-70℃到 80℃不同温度下的荧光发射光谱和荧光寿命，计算了该晶体在不同温度下1．064μm受激发射截面，首次获得在此温度变化范围内受激发射截面随温度的线性变化关系．     

Nd∶YAG晶体1.064 μm受激发射截面随温度变化特性研究

测量了Nd∶YAG晶体从-70℃到+80℃不同温度下的荧光发射光谱和荧光寿命,计算了该晶体在不同温度下1.064 μm受激发射截面,首次获得在此温度变化范围内受激发射截面随温度的线性变化关系.     

CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

CdS半导体微晶作为代表性介观材料(mesoscopic material)其光学吸收和发光与量子尺寸效应的关系已经得到广泛研究[1-4],发现随着CdS微晶尺寸减小,CdS本征吸收和发射带呈现显著蓝移.Rossetti等人[3]和Y.Wang等人[4]分别通过对溶胶、沸石、聚合物和玻璃中CdS纳米晶体的光致发光测量研究了发光来源以及发光与尺寸的关系,确定了两个宽带发光分别属于带隙发光(350-500nm)和表面态或缺陷发光(500-700nm).本文首次报道了利用溶胶凝胶方法制备的钠硼硅中纳米尺寸CdS晶体高激发功率条件下的发光光谱测量结果,观察到随激发功率增加发光光谱兰移和线宽明显宽化,讨论了其物理机制.     

甲基胺溴化铅晶体粉末的温度依赖光致发光

采用稳态光致发光(PL)光谱技术,结合光谱学分析方法,对CH₃NH₃PbBr₃(MAPbBr₃)晶体粉末的功率密度和温度相关的光物理特性进行了研究。在405 nm连续激光激发下,PL发射峰位在560 nm,半高全宽为123 meV。光谱实验结果表明,通过对功率密度与PL强度进行拟合,其斜率为1.10,这很好地证明了单光子吸收的存在。在80～310 K温度范围内,MAPbBr₃晶体粉末的荧光峰位表现出不同的温度依赖行为。随着温度的升高,激子-声子相互作用的增强,峰宽均匀展宽,积分强度逐渐减小。PL发射峰位在80～145 K出现蓝移。在150 K附近PL发射峰出现跳跃,而当温度超过150 K时,光谱的峰位几乎保持不变。这些温度相关的PL行为主要是由于在150 K左右发生了从正交相到四方相的结构相变。此外,从温度相关的PL实验数据拟合得到激子结合能约为49.8 meV和纵向光学声子能量约为60.4 meV。     

调谐激光晶体Cr3+:ZnWO4光致发光特性的研究

研究了调谐激光晶体Ｃｒ³⁺：ＺｎＷＯ₄的光致发光特性。报道了它的吸收光谱、激发光谱、发射光谱及其随温度的变化、零声子跃迁和发射寿命等实验结果，并讨论了激发特性、电子－声子耦合作用、ＺｎＷＯ₄中Ｃｒ³⁺的发射寿命曲线等相关问题。 关键词：     

混合碱液法生长的氧化锌晶体表面形貌及光致发光性质

从NaOH和LiOH的混合碱液中生长了具有不同六方形貌的淡黄色ZnO晶体.采用X射线粉末衍射的方法对晶体的物相进行了分析,利用光学显微镜和扫描电镜对晶体的形貌进行了表征,同时利用电子探针能谱仪对晶体的组分进行了分析.从晶体的室温光致发光谱图中可以观测到380,445,512,652 nm处存在与晶体结构和缺陷相关的发射...     

CdS单晶中的绿色电致发光和光致发光

在50-290K温度范围内,研究了在正向电压激发下,用高纯CdS单晶制备的MIS发光二极管的电致发光光谱。在室温时,发射光谱分别由峰值为5135±25Å和5300±15Å的二个绿色谱带所组成,而在低温下,观测到有很多结构的光谱。在50K时,自由和束缚激子的发射实际上占有统治地位。文中提出,在室温时,谱峰为5135±25Å的谱带是与受导带自由电子散射的自由激子的发射有关;而谱峰为5300±15Å的谱带归结为与同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射有关。比较了刚生长的高阻CdS单晶以及在熔融镉中热处理的低阻CdS单晶的光致发光光谱。在熔融镉中的热处理抑制了自由到束缚(HES)和束缚到束缚(LES)的边缘发射,也抑制了I2束缚激子谱线,但是增强了自由激子的发射,在电场激发下,也使自由激子的发射增强。     

强辐射激发下CdS晶体的光电导特性

在室温下,CdS晶体具有强烈的非线性光吸收效应.我们测量了高激发下CdS晶体的电导性质,并用电子-激子散射模型进行了数值分析.数值计算结果和测景值能够很好地符合,从而进一步证明了CdS晶体的非线性吸收是由于晶体内电子-激子散射造成的.     

高密度激发下ZnTe晶体中与自由激子有关的发射

在77—300K温度范围内,用N2分子激光器的3371Å谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半宽度展宽,这些结果可以用Ex—e和Ex—Ex的相互作用来解释。     

ZnSe-ZnS多量子阱中激子动力学及受激发射

本文讨论了在ZnSe薄膜材料及ZnSe-ZnS多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射.     

VPE ZnSxSe1-x外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnSxSe1-x外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex-Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex-Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.     

STIMULATED EMISSION AND GAIN MEASUREMENTS IN InAsP/InP STRAINED-MULTIPLE-QUANTUM WELLS

We have studied the stimulated emission from InAsP/InP strained-multiple-quantum wells at room temperature. The stimulated emission spectra weave seen with three lobes, which are E_1H and E_1L transitions, and a tran-sitions from heavy hole initial states to localized interface states. The E_1H transitions exhibited different gain value from that of the transitions between the heavy hole and the interface states. With increasing excitation intensity, the gain of the interface peak appears to be saturated at lower excitation intensity. A method for identifying the inter face peak in the photoluminescene spectrum has been proposed.     

ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子-激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子-载流子(Ex-e)散射的Es''带,观测不到P带。经熔融锌中热处理的ZnSe单晶,在上述激发条件下,也观测到了P带。而且此带强度随热处理时间增加而增强。实验表明,P带的产生不仅与激发密度和温度有关,而且还与单晶质量有关。     

钡钇氟化物中Eu2+离子的激发光谱和发射光谱

在298和77K下分别研究BaYF5(BaF2·YF3)中Eu2+的激发和发射光谱。Eu2+的发射光谱中,除了一个属5d-4f跃迁的宽发射带外,还有一组6PJ→8S7/2的4f-4f跃迁窄谱线发射。它们的发射强度与Eu2+的浓度和温度有关。由於Eu2+从4f7基态跃迁到4f65d1态产生两个宽的激发带,4f65d(eg)和4f65d(t2g)。实验证实,Eu2+的6PJ→8S7/2的窄谱线发射主要来自高能级的t2g激发能弛豫的结果。