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近年掺钕硫氧化镧(LOS:Nd)作为新的激光材料引起人们兴趣。这种材料已用引上法生长出优质单晶。由于LOS熔化时分解,故研究了熔体与化学配比的偏离。介绍了本研究工作中用的设备和生长参数。 相似文献
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构成Ba_2NaNb_5O_(15)这一类的铌酸盐铁电单晶体具有非线性光学的功能,它被用作YAG激光1.06微米辐射的二次谐波发生器。然而,制备这种能满足此项用途所必要的光学质量的材料却有某些困难。问题是;(1)出现弹性应力,这种弹性应力是在冷却到接近居里温度时于正方形高温相中产生的。这是由于C轴大大增大,与此同时a和b轴却减小所造成; 相似文献
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本文提出了硅单晶棒生长直径自动控制的一种新方法。关于等径控制已经有了几种光学方法,例如对晶体和金属材料的固液界面使用了高温辐射计或工业电视的方法。本文提出的方法,在不用任何光学设备的条件下,分别测定生长中的晶体棒的重量W,长度L,同时控制△W/△L恒定不变。因为这个比值与单晶棒的截面积成正比,所以也就能达到单晶棒的等径生长。本方法中还应用了一种新的控温系统。由一个热转换器感受加热器的功率,并使其自动恒定。如果电源功率波动,则热转换器 相似文献
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高频加热引上法生长铝酸钇单晶 总被引:2,自引:2,他引:0
《中国激光》1974,(1)
本文提出用白宝石片封住保温罩观察窗口的办法改进了高频加热引上法生长Nd~(3 ):YAP单晶的热场条件;观察到Nd~(3 ):YAP单晶的内部形态及局部的光学不均匀性;实现了c轴Nd~(3 ):YAP激光器的连续输出,并观察到它的偏振特性. 相似文献
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中国科学院上海光机所晶体组 《中国激光》1974,1(1):41-47
本文提出用白宝石片封住保温罩观察窗口的办法改进了高频加热引上法生长Nd3+:YAP单晶的热场条件;观察到Nd3+:YAP单晶的内部形态及局部的光学不均匀性;实现了c轴Nd3+:YAP激光器的连续输出,并观察到它的偏振特性。 相似文献
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本文介绍用引上法生长的掺钕铝酸钇单晶。讨论了晶体生长参数和钕的分布系数,并与钇铝石榴石的数据作了比较。文中着重叙述铝酸钇的开裂和孪晶现象。 相似文献
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用引上法等方法生长的晶体所产生的电阻不均匀性,因生长条件(例如生长速度、固液界面形状、生长方向等)不同,晶体内的杂质分布也不同。对InSb晶体也看到了资料所提出的电阻不均匀性,并分析了造成不均匀性的原因。本文介绍按〈111〉方向拉晶、固液界面成凸状时,若提拉速度很快,一离开融液,晶体尾部就可明显地看到Y字形变形。而且,这种现象与晶体杂质浓度的不均匀性关系很大。典型的Y字形如图1所示,晶体周围全裂开了,可见晶体周围和中心部位的生长速 相似文献
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<正> IC、LSI、VLSI等半导体器件的基础材料——硅单晶的生产量正在逐年增加着,今年日本的生产量要比当初预料的1000吨有较大幅度的提高,估计可达1200吨左右,1985年以后,硅单晶的产量将以每年增加400~500吨的速变发展下去。 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1968,5(3):29
美帝半元件公司开始出售一种新型的焰熔炉,可用来生产晶体。炉的型号为SE160型,可长出特大的优质单晶。它能成功地生长出直径超过一吋,长十二吋的优质红宝石激光晶体。 相似文献
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1.引言区熔法对于元素和化合物的提纯以及单晶的生长都是著名的技术。当区熔用做立式晶体生长时,则称为浮区法。这种方法是将籽晶向下垂直夹住,而把多晶棒垂直向上安装,并与籽晶顶端连接。这种方法不需要容器(坩埚)。熔体借助自身表面张力保持在适当状态。操作时熔区先向上移动通过多 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1967,4(3):44
美帝联合碳化物公司林德晶体产品部以哈克拉斯基法(引上法)生长激光红宝石,可能获得100%均匀的优质晶体。目前该公司已放弃以前的焰熔法,而采用引上法。 相似文献
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新型热释电单晶材料与红外探测器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
主要阐述了当前热释电红外探测器的发展状况,并重点介绍了我国尤其是我们在新型热释电材料以及红外探测器方面的主要进展和成果。弛豫铁电单晶是一类具有优异压电性能的新型材料,同时我们发现该类晶体还具有优异的热释电性能。我们所生长的PMNT单晶的热释电系数超过15.3×10-4cm-2.K-1,Mn-PMNT的介电损耗降至0.0005,探测优值达到40.2×10-5Pa-1/2,高居里温度点单晶PIMNT的居里温度达到180℃以上。与合作单位一起利用该类晶体研制的红外探测器的性能远优于利用传统热释电材料(如LiTaO3)制作的探测器,其比探测率达到1.07×109 cm·Hz1/2/·W-1,说明利用该新型弛豫铁电单晶制作的红外探测器具有广阔的应用前景。 相似文献
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弛豫铁电单晶PMNT具有优异的压电性能,它可以替代传统的压电陶瓷,在声呐探测,超声成像,高应变驱动器等方面得到广泛的应用。我们已经成功地生长地了尺寸为φ40&;#215;80mm的PMNT单晶,其主要性能为,压电系数d33&;gt;3000pC/N,介电常数ε-5000,损耗tanδ&;lt;0.9%,纵向长度伸缩机电耦合k33-94%,厚度伸缩机电耦合kt-62%,我们成功地制备出了在电声成像系统中的PMNT单晶压电换能器,使探测器的电声信号幅度有显著提高,充分显示了新型压电单晶在电声换能技术中具有巨大的应用前景。 相似文献
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为了拉制氧化锆单晶光纤,采用一种基于激光加热基座生长法的单晶光纤拉制系统,在原有的激光加热基座生长法生长单晶光纤的基础上,设计出环形聚焦激光加热系统,对其光学系统进行了改进、优化.利用椭球镜的双焦点特性设计光路,在其第一焦点处形成聚焦环形热源,用于熔化晶棒,拉制光纤;通过ZEMAX光学软件对系统进行了光学仿真.结果表明,在光学系统的聚焦点,能形成高质量的环形热源.该系统有着其它激光加热基座生长法的光学系统无法比拟的优点,在拉制氧化锆和其它高温单晶光纤方面有着很好的应用. 相似文献