KLiSO4单晶的电学性质

我们证实了KLiSO₄为Li离子导体。通过测定样品中的电位分布,确定其载流子为间隙Li离子和Li空位。其电流弛豫在一定时域内遵从负幂次衰减规律。与之对应,在一定频域内存在与频率成负幂次关系的介电色散。在相变温度附近,本底电流、直流电导率和表观介电常数除发生跃变外还出现一个尖锐的小峰。此峰只有在变温速率较慢时才能观察到,表明该相变具有弛豫过程。 关键词：     

氧离子导体La_(1.95)K_(0.05)Mo_(2-x)Mn_xO_(9-δ)的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制。当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃~300℃范围内有一相变峰存在。讨论了各个内耗峰的机理。     

氧离子导体La1.95K0.05Mo2-xMnxO9-δ的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃～300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.     

氧离子导体La1.95K0.05Mo2-xMnxO9-δ的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃～300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.     

氧离子导体La1．95K0．05Mo2-xMn±O9-δ的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃～300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.     

改性锆钛酸铅温度诱导相变的热释电性

测量结果显示,Pb_0.99Nb_0.02［(Zr_1-xSn_x)_1-yTi_y］_0.98O₃在温度诱导相变时伴随有正的和负的热释电电流峰.电流的方向与相变类型有如下关系：铁电相向反铁电或顺电相转变时形成正的电流峰,反铁电相向铁电或顺电相转变时形成负的电流峰.按照铁电相与反铁电和顺电相之间存在静电势差的观点,可以很好地解释热释电电流的方向与 关键词： 改性锆钛酸铅化合物 温度诱导相变 热释电性     

Phase Transition and Oxygen Ion Diffusion in (La1-xLnx)2Mo2O9 (Ln=Nd, Gd, x=0.05-0.25) Using Dielectric Relaxation Method

采用介电弛豫方法研究了氧离子导体(La1-xRex)2Mo2O9(Re=Nd, Gd, x=0.05-0.25)中氧离子扩散和相变行为. 观察到了两个介电损耗峰：第一个峰Pd在600 K附近,第二个峰Ph在720 K左右.Pd峰为弛豫型介电损耗峰,是由氧离子的短程扩散导致的. 随着频率增加,Ph峰基本上不随频率移动,但是峰高随着频率显著的下降.Ph峰表现出非弛豫型的本质,对应于氧离子和氧空位的分布从静态无序到动态无序的转变过程. 随着掺杂浓度的增加,Pd峰和Ph峰的峰高先是增加,在15%的掺杂量达到最高后开始降低. 与此对应,电导率也在此掺杂浓度下出现最大值.     

α-碘酸锂的电流弛豫和偏压场作用下表观介电常数弛豫行为

本工作较为详细地测定了静电场作用下α-碘酸锂的电流弛豫行为:在撤去c轴方向上的静电场后,从我们所用测量电流仪器的响应时间到某一t_k的区间内,放电电流服从(t/t₀)^-α的负幂次方律;而在t>t_k,其规律近似地为:(t/t₀)^{(-α′ln(t/t₀))}。相关的弛豫参数α,α′和t_k在有限的范围内,依赖于温度和施加电压的大小,也因样品不同而有差异。对将近十个样品进行了测试,结果表明,大多数晶体在尽可能小的电压下0.43≤α≤0.7,0.07<α′<0.09;上述的电流弛豫表达式与α-碘酸锂在偏压场作用下观察到的其它物理现象的弛豫行为,与在中子衍射加强和表观介电常数中的表现如出一辙;可以初步肯定各种现象的弛豫行为具有相同的物理根源。 关键词：     

GdBaCo2O5+δ体系的滞弹性内耗研究

GdBaCo2O5+δ体系的低频内耗研究表明:体系中存在一个由额外氧运动引起的弛豫内耗峰;额外氧δ对这个弛豫内耗峰的大小、峰形及峰位有较大影响,反映了额外氧状态随δ而变化.当δ=0.005,体系中额外氧含量很少而接近零时,相应的内耗峰消失;δ达到一定数量后,出现弛豫内耗峰.由δ=0.278,0.407,0.421,0.515样品的弛豫内耗峰分析可得到体系随δ不同存在着三种不同的额外氧形态.此外,δ=0.421及0.515的样品在360K附近存在一个相变内耗峰,它对应着体系中的金属-绝缘体转变.     

La2-xNdxCuO4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗研究

通过对La_2-xNd_xCuO_4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗性能的研究发现,当0.1≤x≤1.0时,在250K左右存在一个与间隙氧有关的弛豫内耗峰,并且当0.1≤x≤0.4时,弛豫内耗峰峰高随着x值的增大而升高,此时体系为正交结构;当0.5≤x≤1.0时,体系在宏观上呈现四方结构,此时内耗峰峰高随着x< 关键词： 2-xNd_<i>xCuO_4+δ')" href="#">La_2-xNd_<i>xCuO_4+δ 间隙氧 弛豫内耗峰 相变内耗峰     

(PbBa)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电/弛豫型铁电相界陶瓷的相变与介电、热释电性质

通过对(Pb087Ba01La002)(Zr06TixSn04-x)O3(004≤x≤020)固溶体的介电和偏压热释电性质的研究发现,当Ti含量004≤x≤007时,材料是反铁电四方相,而当009≤x≤020时,材料向弛豫型铁电体转化.在温度Ti含量相图中,x=009附近形成了反铁电铁电顺电三相共存点(Ttr).该点的相变温度最底;对于004≤x≤007的反铁电四方相,低温下呈现介电弛豫特征,并可被外电场诱导为亚稳铁电态,温度升高时,亚稳铁电→反铁电相变,反铁电→顺电相变引起两个热释电流峰,偏置电场下峰位和峰强均发生移动,在温度电场相图中也形成了铁电反铁电顺电三相点.从复杂化合物纳米相分离的观点和晶格动力学出发,讨论了相变与电学性能随Ti含量(x)和外电场(E)变化的物理机理. 关键词： 反铁电/弛豫型铁电相界 介电性能 偏压热释电性质 铁电-反铁电-顺电三相点     

非化学计量比铌酸钾锂晶体的光谱特征

用顶部籽晶法生长了一批不同组成的铌酸钾锂晶体。利用近红外cw: Ti-sapphire激光研究了三种组成的经过精细抛光的晶体样品的二次谐波性质,结果表明晶体的二次谐波效应与晶体组成密切相关,Li含量越高的样品倍频效率越高。利用红外Raman光谱技术调查了晶体非线性晶格振动特征,分析了晶体中组分离子浓度对晶体红外Raman光谱特征的影响,探讨了组分离子对晶体二次谐波性质影响的原因。结果表明,晶体中位于C格位的Li离子浓度对晶体Raman光谱产生了强烈的影响,低Li含量晶体中[NbO₆]7-八面体所对应的3个Raman特征光谱线没有峰发生分裂;当晶体中Li离子浓度增加时,ν₅所对应的Raman峰有所加宽,ν₂振动模式出现分裂峰,并在100～400 cm-1范围出现小峰数量增多;当Li离子浓度接近铁电相边界时,[NbO₆]7-八面体结构接近解体,ν₅所对应的Raman峰分裂成3个峰,ν₁和ν₂振动模式发生部分分裂,在100～400 cm-1范围小峰更为突出。这些影响的本质在于晶体中Li含量的提高导致晶体中[NbO₆]7-八面体畸变程度加大,与晶体非线性光学性质相一致。     

Zn离子注入LiNbO_3晶体的制备及其红外谱特性研究

利用离子注入技术制备了不同Zn离子剂量掺杂的铌酸锂样品,研究了Zn离子注入对Li Nb O3晶体红外光谱特性的影响。实验结果显示Zn离子已成功地注入到Li Nb O3晶体中,以Zn原子纳米颗粒形式存在,且注入深度约为80 nm。与纯Li Nb O3晶体在3486、2851和2917 cm-1处的主次吸收峰的位置相比,三种掺杂Zn离子剂量的样品主吸收峰的位置均出现在3483 cm-1处,发生了微小的红移,次吸收峰的位置基本保持不变。Zn离子注入使x-切向Li Nb O3晶体的透射率增大,z-切向Li Nb O3晶体的透射率降低。     

泵油饱和砂岩黏弹行为的实验研究

通过Metravib热机械分析仪, 用固定静载为100 N、 正弦波动载荷为60 N的应力-应变实验方法, 在温度为-50---175 ℃, 升温速率为1 ℃/min, 频率为1---1000 Hz的条件下, 对泵油饱和长石砂岩、 彭山砂岩样品进行单轴循环加载实验, 研究了饱和多孔岩石在弹性范围内的衰减、 耗散角、 杨氏模量和弹性波波速随温度和频率的变化规律. 取得了随频率增高饱和多孔岩石的衰减峰和耗散角峰的峰位向高温方向移动的热激活弛豫规律, 并求得弛豫峰的激活能和跃迁频率, 以饱和砂岩的特点对此作出了解释. 发现岩石中矿物离子置换时的相变内耗峰, 并用动态观点解释了该相变峰. 还获得杨氏模量和弹性波波速随温度升高而下降、 随频率增高而增大的频散效应, 随温度升高频散效应有减弱的趋势. 该研究结果对理论模型研究具有指导意义, 对地震资料的解释具有实用价值.     

Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质

通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究.反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变.在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.     

硫酸锂钾的室温相和低温相的锂离子位置

核磁共振实验表明,LiKSO₄在T_c=195K发生结构相变。本文报道了温度低于T_c时,Li位电场梯度张量的温度依赖关系。结合理想离子晶体模型,讨论了该晶体的结构,指出室温相Li的位置并不像Bradley所推测的,在(2/3,1/3,0.849)的位置,而应在(2/3,1/3,0.706)的位置;195K的相变是由于Li离子的位移造成;低温相的空间群可能为R3。 关键词：     

钛酸钡基施主掺杂弛豫铁电体介电弥散的唯象分析

弛豫铁电体铁电相变的介电弛豫性涉及外来离子掺杂或原有离子的有序排列, 需要深入理解和有效统一的表征. 针对高浓度施主掺杂在晶粒中产生金属离子缺位, 降低居里温度并引起钛酸钡基铁电材料扩散相变的现象, 分析了高斯型的杂质分布、居里温度分布和金属离子缺位分布的等效对应关系, 得出了在介电常数峰值温区金属离子缺位浓度随温度降低而作用增大的结论, 认为金属离子缺位引起的单极电荷在电场作用下的跳跃运动有可能引起介电弥散和介电损耗. 提出了用‘弛豫度’表征铁电弛豫程度.     

(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3陶瓷的弛豫铁电性能

通过对(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3(0≤x≤0.15)陶瓷的相组成、晶体结构和介电性能的研究发现,该陶瓷为单一的钙钛矿结构相.当x含量较小(x＜0.1)时为正交相结构,x≥0.1时转变为四方相结构.随着SrTiO3掺杂量的增加,样品的致密度增加,样品由正常铁电相逐渐向弥散铁电相转变,且相变温度明显下降,其相变峰的半高宽D和临界指数γ,随 x 的增加而增加.样品损耗ε″r(复介电常数虚部)随温度T的变化表明低温时弛豫极化损耗起主要作用,高温时漏导损耗起主要作用.同时介电常数实部ε′r随频率的变化显示(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3弛豫为德拜弛豫.     

非晶态离子导体Li_2B_2O_4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li_2B_2O_4的~7Li核磁共振研究。测量了~7Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li_2B_2O_4的晶态、非晶态和部分晶化样品的~7Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的~7Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al_2O_3)的~7Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl进行了~7Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。     

KCl:Li:Na晶体中的F_A(Ⅱ)—F_B(Ⅱ)心

采用扩散法在KCl:Li:Na晶体中形成了浓度适当、分布均匀的F心.以汞灯进行色心转型,获得了F_A(II)心和F_B(II)心.测量77K时晶体的吸收谱,观察到明显的双峰结构.在相同的温度下测得晶体的荧光谱.F_b(II)心和F_A(II)心的荧光峰分别为2.49μm和2.66μm.采用点离子模型并在离子尺度修正中计入次近邻离子的贡献,计算了KCl晶体F_A(Li)心的非微扰态,然后以微扰法计算了F_A(Li)心的能级位置.计算值与实验值比较,结果令人满意.