铁电陶瓷PMN－PT在室温附近的退极化致冷效应

本文推导了有序熵变化量及温度变化量与外加电场大小、操作温度和材料居里常数之间的关系，在室温附近，对铁电陶瓷ＰＭＮ－ＰＴ的致冷效应进行了测量验证，与理论推导的结论定性吻合，在１６ｋＶ／ｃｍ电场下再退极化，可产生２Ｋ的温度变化，本文并对此效应作了初步的解释。     

PZN—PT—BT陶瓷的铁电弛豫现象

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ２－ＰｂＴｉＯ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ）系陶瓷的介电弛豫、热释电等现象与ＰｂＴｉＯ３含量的关系。探讨了热处理工艺对０．７５ＰＺＮ－０．２０ＰＴ－０．０５ＢＴ陶瓷的结构和性能的影响。运用宏畴－微畴理论对所得的实验现象进行了解释。     

镧掺杂对PMN—PT陶瓷结构与性能的影响

采用熔盐法制备了0．82MN－0．28PT－xLa陶瓷,研究了掺镧离子对0．82PMN－0．18PT陶瓷相结构、显微结构以及介电性能的影响。结果表明,随着掺镧含量的增加,不仅预烧粉体和陶瓷的焦绿石相含量逐渐增加,而且在显微结构中逐渐出现了小颗粒,气孔增多,陶瓷的致性逐渐下降,严重恶化了介电性能,导致介电常数急剧下降,但蛤电温度稳定性却大幅度提高。     

铁电陶瓷的电致疲劳实验研究

本文关注铁电材料的电致疲劳，通过铁电陶瓷的疲劳裂纹扩展实验这一问题进行了研究，给出了实验结果，提出解释实验现象的理论。     

异价离子替位对PZN—PT系铁电陶瓷结构稳定性的影响

本文详细研究了异价离子（Ｋ￣＋，Ｌａ￣（３＋））替位对ＰＺＮ－ＰＴ系铁电陶瓷结构稳定性的影响，结果表明，Ｋ￣＋离子的引入有利于钙钛矿结构的稳定，而Ｌａ￣（３＋）离子的引入不利于钙钛矿结构的稳定。     

PZN—PT—BT铁电陶瓷反应动力学

本文用高温ＸＲＤ研究了ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ系铁电陶瓷在相界附近化学反应过程及反应动力学，研究结果表明该系材料首先生成焦绿石相，提高烧洁温度和延长烧结时间，可形成钙钛矿结构，但仍有少量焦绿石相。     

锶取代PZN—PMN—PT陶瓷的介电,压电性能研究

ＰＺＮ－ＰＭＮ－ＰＴ陶瓷在准同上界具有良好的介电,压电性能,加入锶后,介电,压电性能有明显提高,居里点降低,同时三方相,四方相含量发生变化,使相界发生移动;在锶的摩尔分数为３％－５％时,压电性能最好。烧结后的样品经８５０℃退火处理后,样品的介电,压电性能均有大幅度提高,得到了压电系数ｄ３３高达６８０ｐＣ／Ｎ,ｄ３３达到了－２８３ｐＣ／Ｎ,机电耦合系数ｋｐ达到５５％,ｋ３１达到３１％,峰值介电常数ε     

强非线性铁电陶瓷的电致伸缩效应

本文通过热力学自由能函数说明了电致伸缩效应唯象理论及其在各向异性强非线性铁电晶体中的应用。实验发现,菱方相纯PZT陶瓷组分的主要场诱应变效应是电致伸缩效应,可用x—P关系的二次方律来描述。但相界附近的四方相PZT陶瓷组分和PLZT组分,压电效应分量明显增大,其电致伸缩效应已呈现明显的四次方效应。可以预期,PZST系统的主要机电耦合效应是电致伸缩效应,其电场诱导应变是极化强度的高偶次方函数。     

BT和PT成分变化对PZN基陶瓷结构及介电性能的影响

研究了ＢＴ、ＰＴ成分变化对ＰＺＮ基驰预铁电陶瓷的结构的结构和电性能的影响；ＢＴ具有良好的稳定钙钛矿相的作用，ＢＴ使居里点反常下降及驰豫性增强，ＰＴ则使居里点上升及驰豫性减弱。     

KNbO3陶瓷的半导化及PTC效应

采用添加钾锗玻璃和掺ＭｏＯ３的方法，制备了ＫＮｂＯ３半导瓷，在此基础上，对ＫＮｂＯ３半导瓷样品进行了电学性能的测试以及样品断面形貌的扫描电镜观察和分析。结果表明，两种方法制备的ＫＮｂＯ３半导瓷样品都在铌酸钾晶体的两个相变点附近出现了ＰＴＣ电阻异常：一个在正交铁电相－－四方铁电相转变处；另一个在四方铁电相－－立方顺电相转变处，而掺ＭｏＯ３制备的半导瓷具有较小这曙电阻率及较大的电阻率反常幅度（ＦＥ－Ｆ     

非化学计量比对PZN—PT系铁电陶瓷结构稳定性的影响

本文研究了非化学计量比对ＰＺＮ—ＰＴ—ＢＴ铁电陶瓷结构稳定性的影响，结果表明，过量Ｚｎ２＋及过量Ｂａ２＋均对ＰＺＮ—ＰＺ—ＢＴ结构稳定性有利，但Ｂａ２＋过量超过一定量时，结构稳定性有下降趋势．     

熔盐法制备PMN—PT陶瓷的烧结条件对显微结构和介电 …

采用ａＣＩ－ＫＣＬ熔盐法制备了单一钙钛矿相结构的０．８ＰＭＮ－０．２ＰＴ陶瓷样品,研究了烧温度和烧结时间对其显微结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度对陶瓷的显微结构和介电性能影响非常显著,其最佳烧结温度、时间分为１２００℃,３０ｍｉｎ。     

N（Mg）：N（Nb）为1：1时0．93PMN—0．07PT陶瓷的弛豫性能

在制备0．93PMN－0．07PT（PMNT）陶瓷时,让MgO过剩使N（Mg):N(Nb)(原子比）为1：1它与PMN的极性微区[Pb2MgNb]-中Mg和Nb的原子比相同,测试结果表明：与以往的PMN－PT材料（PT的原子百分数小于35％）的情况下,在XRD图中可观测到的铁电四方相;代表极性的Nb-O-Nb的键振动,在Raman谱中强至可以与低温时PMN中存在长程相关的Nb-O-Nb键的振动相比较,这说明PMNT中的长程相关性增大,由于高缺位的钉扎、自由场的存在等的影响,在介电常数峰温的低温侧存在另一准驰豫铁电－准铁电性转变（qRFE-qnFE transition)。     

压电陶瓷中圆币形裂纹在径向剪切载荷下的机—电耦合行为

借助引进势函数的方法，得到了横观各向同性压电材料空间轴对称问题场方程的“能解”，作为通解的应用，文中求解了压电陶瓷中圆币形裂纹受轴对称径向剪切载荷的问题，得到了裂纹尖端附近应力场，电位移场的解析表达式，结果表明，在裂纹尖端应力分量和电位移分量均具有－１／２的奇异性，在正压电效应下，应力强度因于ｋ１与电学量无关。