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本发明提供一种多色红外传感器件,即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读出电路上的方式制备的。其具体制备步骤如下:在硅半导体衬底的一个表面上专门设计和制备一个用于直接外延生长的读出集成电路;在该表面上用MBE连续生长具有不同带 相似文献
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报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料,平均宏观缺陷密度低于200 cm-2,平均半峰宽优于90 arcsec,平均腐蚀坑密度低于2.9×106 cm-2;采用标准的二代平面工艺制备的320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器,平均峰值探测率达到3.8×1011 cm?Hz1/2W-1,平均等效噪音温差优于17.3 mK,非均匀性优于6.5%,有效像元率高于99.7%。 相似文献
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甚长波碲镉汞红外探测器的发展 总被引:2,自引:1,他引:1
天基红外技术对于远程弹道导弹防御具有重要作用.当飞来的导弹位于地球阴影区域时,作为背阳的结果,空间温度很低,导弹呈现为一个微弱的冷目标,峰值波长在甚长波红外(VLWIR,大于14μm)波段,这时就需要VLWIR探测器.VLWIR对于大面阵碲镉汞焦平面(FPA)器件的设计来说是一种非常具有挑战性的波段.它要求高均匀性、低缺陷率、高量子效率、低暗电流和低噪声.主要通过对近年来刊发的部分有关英语文献资料的归纳分析,介绍了有关VLWIR/MCT技术的发展状况,其中一个发展趋势是从n-on-p空位掺杂器件结构转向非本征掺杂p-on-n器件结构. 相似文献
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与用其他材料制备的红外光子探测器相比,碲镉汞红外探测器具有带隙灵活可调、量子效率较高以及R_0A接近理论值等优点。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,以抑制引起噪声的热生自由载流子。期望碲镉汞探测器在具有高工作温度(High Operating Temperature,HOT)的同时而又无需牺牲性能。HOT碲镉汞探测器的设计目标主要是抑制俄歇过程,从而降低探测器噪声和低温制冷需求。从相关基本概念出发,讨论了对HOT碲镉汞物理机制的理解以及近年来HOT碲镉汞技术的发展状况。 相似文献
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与用其他材料制备的红外光子探测器相比,碲镉汞红外探测器具有带隙灵活可调、量子效率较高以及R_oA接近理论值等优点。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,以抑制引起噪声的热生自由载流子。期望碲镉汞探测器在具有高工作温度(High Opeating Temperature,HOT)的同时而又无需牺牲性能。HOT碲镉汞探测器的设计目标主要是抑制俄歇过程,从而降低探测器噪声和低温制冷需求。从相关基本概念出发,讨论了对HOT碲镉汞物理机制的理解以及近年来HOT碲镉汞技术的发展状况。 相似文献
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Low-Noise Mid-Wavelength Infrared Avalanche Photodiodes 总被引:1,自引:0,他引:1
Siddhartha Ghosh Shubhrangshu Mallick Koushik Banerjee Christoph Grein Silviu Velicu Jun Zhao Don Silversmith Jean Baptist Rodriguez Elena Plis Sanjay Krishna 《Journal of Electronic Materials》2008,37(12):1764-1769
Mid-wavelength infrared (MWIR) p
+–n
−–n
+ avalanche photodiodes (APDs) were fabricated using two materials systems, one with mercury cadmium telluride (HgCdTe) on
a silicon (Si) substrate and the other with an indium arsenide/gallium antimonide (InAs/GaSb) strained layer superlattice
(SLS). Diode characteristics, avalanche characteristics, and excess noise factors were measured for both sets of devices.
Maximum zero-bias resistance times active area (R
0
A) of 3 × 106 Ω cm2 and 1.1 × 106 Ω cm2 and maximum multiplication gains of 1250 at −10 V and 1800 at −20 V were measured for the HgCdTe and the SLS, respectively,
at 77 K. Gains reduce to 200 in either case at 120 K. Excess noise factors were almost constant with increasing gain and were
measured in the range of 1 to 1.2. 相似文献
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赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, HgxCd1-xTe)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。为了获得性能优异的HgxCd1-xTe探测器及其组件,目前已经发展了各种HgxCd1-xTe材料制备技术和器件制作工艺。但在各种材料制备及器件应用过程中,HgxCd1-xTe表面均会受到环境和不良表面效应的影响,所以需要采用先进的钝化工艺对其表面电荷态进行处理,改善材料表面的电学物理特性,从而实现器件探测性能的提升。因此,HgxCd1-xTe薄膜表面钝化工艺对HgxCd1-xTe红外探测器的性能提升至关重要。总结和分析了近年来碲镉汞薄膜表面钝化层的生长方法。按照本源钝化和非本源钝化进行了分类总结和综述,分析了不同钝化方法的优缺点,并对未来碲镉汞薄膜钝化工艺进行了展望。 相似文献