用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没寿命谱研究了塑性形变P型砷化镓中的缺陷性质．样品原始载流子浓度为2．63X10~18cm-3．形变量分别为2．5％，5％，7．5％，10％和15％．室温正电子寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团．根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在P型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正．正电子寿命温度实验显示，在低温下形变样品中还存在正电子浅捕获态．浅捕获中心很可能是锌代位杂质和镓反位缺陷．     

用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷

利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.     

γ辐照InP的正电子湮没研究

用~(60)Co γ辐照对3种导电类型(P、N、SI)和不同掺杂浓度的InP晶体进行辐照,辐照剂量分别为10~3GY,10~4GY,10~5GY。在室温下测量了样品辐照前后的正电子寿命,发现随着辐照剂量的增加,正电子平均寿命基本不变或呈减小趋势,一方面是由于γ辐照使晶体内原子发生电离,导致晶体内空位型缺陷的电荷态发生变化,缺陷的负电性增加。另一方面γ辐照在晶体内产生缺陷,但大多数缺陷在正电子寿命测量前已在室温下退火,表明InP晶体具有较强的抗辐照能力。     

用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱

简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展．包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明．在原生半导体材料中存在各种缺陷．经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子、使载流子发生饱和．     

用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱

简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展,包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等．研究表明,在原生半导体材料中存在各种缺陷,经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子,使载流子发生饱和．     

MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

利用电子顺磁共振（EPR）技术测量了（100）晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁（EPR）吸收谱，对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明，辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化，电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷，电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大，质子辐照后则未观察这一现象，当质子辐昭到10^14p/cm^2时，引起部分体缺陷顺磁中心的消失，电子辐照后，产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大，表明电子与质子辐照作用机制的差异，质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。     

未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究

在 10～ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10～ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0～ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .     

用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP

采用正电子湮没寿命谱方法 ,对 1 .6× 1 0 1 6 cm- 2注量的 85 Me V1 9F离子辐照 P型 In P单晶的微观缺陷进行了研究 ,在 3 0 0～ 1 0 2 3 K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化 .实验表明 :辐射在 In P中产生单空位缺陷 ,在退火过程中单空位相互聚合形成双空位 .单空位和双空位分别在 5 73 K和 72 3 K温度完全被退火     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

低温处理增强紫外照射诱导HeLa细胞凋亡

报道了紫外照射诱导体外培养的HeLa细胞凋亡的研究结果,对亚致死低温处理增强紫外照射诱导细胞凋亡的可能性进行了探讨.结果显示HeLa细胞经紫外线照射l0min后培养6h,细胞凋亡指数明显升高,并于照射后30～36h达到高峰(44.82%～70.97%).荧光显微镜下观察可见细胞核固缩、碎裂,DNA凝胶电泳出现特征型的梯状图谱;低温处理后立即照射,可明显增加细胞凋亡指数.但此效应是暂时性的,将4℃处理了12h的细胞恢复于37℃培养24h再行照射,细胞凋亡指数与纯照射组相比并无明显改变(P＞0.05).     

聚酰胺在中国典型环境中的老化规律及其机理探讨

在中国西部及东部4个地点进行了一年的老化曝晒实验，聚酰胺材料的力学性能出现了不同程度的下降，表面出现了不同程度的裂纹。通过室内不同湿度模拟实验和紫外加速老化实验的对比，研究了环境湿度、紫外线对材料力学性能及表面形貌的影响。结果表明：中国东部地区老化程度明显大于西部地区；环境湿度是影响聚酰胺老化过程中力学性能变化的重要环境因子，湿度越大，力学性能下降越多；紫外线是材料表面裂纹形成的决定因素，而高湿度能促进裂纹的形成，两者有一定的复合效应。     

不同退火条件对多孔阳极氧化铝热释光的影响

本文采用两步阳极氧化法在0.5mol/L的草酸溶液中制备了多孔且排列有序的多孔阳极氧化铝（PAA）薄膜,并对薄膜进行不同条件的退火后处理,通过对PAA薄膜的热释光（TL）特性表征和机理分析,研究了基底及后处理中退火时间、退火温度及退火气氛等条件对其热释光特性的影响．结果表明,相同辐照剂量下,去除铝基底的双通PAA薄膜,接触辐射面积大,吸收辐射能量多,表现出更强的热释光响应;相同退火环境中,经γ辐照后的PAA薄膜的TL特性随退火处理的时间延长而增强;退火时间均控制为4h时,薄膜的TL强度随退火温度的升高也明显增强,在空气中经600℃退火的PAA薄膜显示出最大的TL强度;并且PAA薄膜在空气中退火后的TL发光强度明显高于在真空中退火后的强度．     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳、氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究，结果表明碳、氧离子在硅太阳电池中引入的缺陷能级非常相似．都观察到了Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｈ１，Ｈ２５个峰，其中氧离子注量超过４×１０１２ｃｍ－２时Ｅ２能级消失．根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型．     

磷酸催化微波辐射合成香豆素衍生物的研究

用磷酸作催化剂，采用微波辐射方式，以酚类化合物和乙酰乙酸乙酯为原料进行缩合反应，合成香豆素衍生物．比较了原料用量、微波功率及微波加热温度对合成反应的影响，研究结果认为在原料摩尔比酚类：乙酰乙酸乙酯=1：1．2、微波功率为380W以及加热温度80～85℃的情况下，合成香豆素衍生物效果最佳，反应时间仅需2～3min，产率高达91．6％和87．7％，其结构并经^1H-NMR、IR、FAB-MS确证．     

紫外线照射对大黄鱼精子遗传失活和受精能力的影响

用不同剂量的紫外线照射处理大黄鱼精子,然后与正常的大黄鱼卵子受精．紫外线照射时间为1～8min,实验结果表明：紫外线照射对大黄鱼的受精率、早期胚胎成活率、孵化率和幼体畸形率均影响显著;受精率、早期胚胎成活率和孵化率随着紫外线照射时间增加而下降,1min、2min、4min、6min和8min紫外线照射下受精率和早期胚胎成活率分别为45．8％、36、6％、37．2％、29．3％、26．7％及56．1％、45、9％、40．1％、31．1％、27．1％;对照组的受精率和早期胚胎成活率分别为44．3％和55．4％,精子遗传失活的Hertwig效应不明显;幼体孵化率最高为1min组（44．9％）,最低为8min组（26．2％）;幼体畸形率随紫外线照射时间增加而增加,1min和2min处理组幼体畸形率较低,说明此时精子没有完全遗传失活;6min和8min组幼体畸形率为100％,说明该剂量紫外线可使大黄鱼精子完全遗传失活。     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

苯并吲哚三甲川花菁染料的微波合成

以β-萘胺为原料，经重氮化，还原，成环，N-烷基化，缩合5步反应得到目标化合物苯并吲哚三甲川花菁染料，并住部分中间体和目标化合物合成步骤中运用了微波辐射法合成技术．该类化合物通过红外光谱（IR）、核磁共振氢谱（^1H NMR）、紫外可见光谱（UV）进行了表征．结果表明，微波辐射法与传统方法相比，反应时间缩短7．4～47倍，产率提高了5．1％～50．4％．