光电子集成电路材料制作工艺的进展

光电子集成电路的未来进步主要取决于Ⅲ-Ⅴ族材料的合成技术,特别是汽相外延和分子束外延技术的持续进展,以及各种材料加工技术的发展。本文将对此作比较详尽的叙述。     

光电子混合集成电路与系统

本文目的在于配合我国“信息高速公路”及光纤通信网的发展，介绍国内外光电子混合集成电路与系统的发展概况。研究３４－１５５Ｍｂ／ｓ光发射驱动器、光接收前置放大器、光接收前放＋主放、时钟提取与再生、扰码与解码等系列配套的长波长光电子混合集成电路与系统，适当当前光纤通信技术发展的需要。对上述各种光电子混合集成电路的结构、计算机模拟、测试结果及工艺流程作了介绍。     

全硅光电子集成电路的研究进展

全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制造工艺，能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上，叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。     

晶体管激光器:光电子集成电路发展的必然

晶体管激光器在作为开关时,具有比二极管激光器速度更快的潜能.     

光电子集成电路进展

较详细地介绍了光电子集成电路(OEIC)中研究最广泛、并取得可喜成就的OEIC光接收机和OEIC光发射机的最新进展,展望了OEIC的应用前景,并提出了目前应解决的课题。     

集成电路成品率研究

集成电路的成品率是集成电路制造中的一个重要问题。只有高水平的集成电路成品率，才能降低集成电路成本，带来集成电路的高质量及高可靠性。文章首先介绍了成品率的要领然后研究了成品率的理论计算方法有经验，半经验公式，最后简单地概述了提高集成电路成品率的实践途径。     

光电子集成电路和应用

描述了光学互联控制和信号处理GaAs光电子集成电路的设计、建立和特性。介绍了实现实用光学互联的要求和方法。给出了光发射器和接收器的特性及设计要求。     

COMOS数字集成电路原理与应用（一）

集成电路，简称IC。它是一种采用半导体工艺，将具有某种功能的电子电路的有源元件、无源元件及其连线一起制作在半导体或绝缘基片上，在结构上形成一体化的整体电路。集成电路体积小、重量轻，引出线和焊接点的数目大大减少，电路的性能和可靠性大为提高，同时它成本低，便于批量生产，因而在民用电子、工业电子及军事电子领域内都具有广泛而重要的用途。     

Smart功率集成电路

Smart功率技术通过将模拟、逻辑功能和功率输出器件组合在同一芯片上,显示了高度集成化和智能化。本文介绍了Smart功率集成电路的功能、主要技术,并列举实用产品的例子说明其开发和应用状况。     

量子点光电子器件及其研究进展

作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。     

单片微波集成电路工艺技术

单片微波集成电路(MMIC)由于近几年来工艺技术上的突破,正成为MIC中发展最快和最有前途的重要分支。其产品已由实验室走向生产,并在各领域得到广泛应用。本文对近年来MMIC工艺技术上的进展作一简述。