1983年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会

<正>1983年国际单片集成电路和微波技术讨论会于5月30日至6月3日在美国波士顿召开,大会共发表论文189篇.其主要内容有:微波及毫米波单片集成电路、微波滤波器及无源网络、近毫米波技术、毫米波固体器件、微波生物效应、GaAs FET放大器和振荡器、毫米波集成电路、声表面波滤波器、GaAs FET在整机系统中的应用、波导结构中的新效应、微波系统、Impatt二极管功率合成器、MIC微波测量、半导体控制电路、微波集成电路、微波通讯系统、低噪声接收技术、场理论等近20个方面.包括了微波领域中的主要新成就、新技术及新动向,是一年一度的微波技术盛会.下面着重介绍笔者认为比较重要的几个部分.     

1985年MTT-S国际微波讨论会与微波和毫米波单片电路讨论会

一、会议概况1985年国际微波讨论会与微波和毫社波单片电路讨论会于6月2日至7日在美国St.Louis召开.6月2日至4日召开的微波和毫米波单片会议上,发表了22篇论文.论文内容包括:单片接收机电路、单片毫米波电路、微波和毫米波单片功率放大器、低噪声放大器、开关和控制电路.6月4日至7日召开的MTT-S微波讨论会上发表了157篇论文.论文内容包括:各种微波器件、组件、放大器和应用电路,各种微波技术——加工制作技术、分析测量技术、     

1992年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介

1992年国际微波会议(IMS)和微波毫米波单片集成电路(MMWMC)会议,于6月1日至5日在美国新墨西哥州首府阿尔布奎克市召开。其中MMWMC会议的会期为6月1日至3日,IMS会议的会期为6月2日至5日,在6月2日至3日期间MMWMC会议的论文报告是与IMS联合进行的。两个会议共发表论文366篇。会议期间还组织了两个展览会,一是由300余家厂商参加的微波工业展览会,会址占用面积约3英亩,共520个台,展示了:微波和RF仪器、微波材料、软件、资     

1993年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介

１９９３年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介ＡＧｌａｎｃｅａｔｔｈｅ１９９３ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅＳｙｍｐｏｓｉｕｍａｎｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅ＆ＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＩ...     

1992年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介

<正>1992年国际微波会议(IMS)和微波毫米波单片集成电路(MMWMC)会议,于1992年6月1日—5日在美国新墨西哥州首府阿尔布奎克市召开。IMS会议发表论文362篇(包括16篇特邀报告),MMWMC会议发表论文49篇(包括2篇特邀报告),其中两个会议论文集同时刊出的有22篇。在会议召开期间,还有两个展览会。一是有300余家厂商参加的微波产品展示会,展示了各厂家的最新技术和产品;另一个是微波技术发展史展览会,内容也相当丰富。 1.会议概况     

国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势

本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。     

单片微波集成电路

发展概况 60年代初期,由于集成电路技术的蓬勃发展,并在低频电路中获得了很大的成功,人们开始希望能将在低频段获得成功的技术移植到微波频段中来。与此同时,由于相控阵雷达的出现,在微波频段内也正需     

1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议概况

<正>1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议于6月2日至5日在美国马里兰州巴尔的摩举行.这是国际微波学术界一年一度的盛会.自1982年起两个会议同时召开,今年已是第五次了.“微波沟通世界各国”(Microwaves Linking Nations)的主旋律贯穿会议始终,反映了微波在国际交往中的重要性.MTT-S会议发表论文183篇,MIMIC会议发表23篇,其中两个会议论文集同时刊登的有7篇.广泛的论文题材包括FET,HEMT,IMPATT,Gunn二极管,MIC,MMIC,放大器,振荡器,滤波器,耦合器,合成器,铁氧体,微波声学,静磁学,系统,有源和无源组件,波导,介质谐振器,倍频器,混频器,低成本制造,GHz/Gbit光传输,低噪声技术,光器件和传输,生物学效应和医学应用,分析和数值计算法,微带CAD,鳍线,微波测量等.     

微波、毫米波单片集成电路（MIMIC）技术

本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。     

微波单片集成电路进展

一、单片集成电路的优势和应用预测半导体集成电路开创了电子技术的新时代.1975年以来,GaAs单片集成电路开始振兴.它的振兴得力于几个重要因素,首先是得力于GaAs材料和器件工艺的进展,GaAs场效应晶体管的平面结构和电路多用性,以及GaAs单片电阻率可达10~8Ω.cm的半绝缘衬底特性,为单片上的有源与无源单元兼容提供了有利条件.单片集成打破了有源与无源元件的工艺界限,器件或电路均按预定计划作为整个工艺流程的某     

硅微波单片集成电路

本文介绍了一种结构简单、性能优良的硅微波宽带放大单片集成电路,对电路的指标进行了比较全面的分析计算,给出了计算机辅助分析方法。“浅结薄基区”扩散工艺使该电路的制造得以实现,获得了1分贝带宽为1～500MHz、1～1000MHz、1～1500MHz等多种宽带放大电路,增益分别为18dB、10dB和8.5dB,噪声系数分别为3.8dB、6.8dB和7dB,1分贝压缩点输出功率为15～19dBm,电压驻波比为2～2.5。上述品种已有部分正式定型,在国民经济和国防建设中开始发挥了经济效益。     

单片微波集成电路放大器

介绍单片微波等成路的特性     

单片微波集成电路工艺技术

单片微波集成电路(MMIC)由于近几年来工艺技术上的突破,正成为MIC中发展最快和最有前途的重要分支。其产品已由实验室走向生产,并在各领域得到广泛应用。本文对近年来MMIC工艺技术上的进展作一简述。     

100GHz的单片毫米波集成电路

当前３０～３００ＧＨｚ的毫米波应用正在增加，特别是９４ＧＨｚ富有吸引力的系统特性，如较小的波长、较高的隔离和较小的天线尺寸促进了对该频率下器件和系统的研究开发。有源和无源毫米波系统可用于目标探测、地形成象、通信、数据传输、水平传感器及应用于红外系统不...     

毫米波PHEMT功率单片集成电路研究

介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33～34GHz,P.＞100mW.     

单片微波集成电路技术与设计

Ravender Goyal, Artech House(美国)出版1986年6月出版《单片微波集成电路技术与设计》一书着重介绍MMIC设计中计算讥辅助方法。包含了进行快速、有效、准确的MMIC设计的较完整的步骤、借助本书可缩短MMIC的设计周期,特别是将使首次设计精度提高。书中还介绍MMIC在应用方面的进展。本书对有关专业的工程师和大学师、生适用。本书从MMIC必须的基础知识,如传输线理论、驻波、网络参数和噪声参数等开始,作     

微波集成电路、毫米波集成电路

Y98-61351-1457 9905904传真和数字电报图像压缩的 VLSI 的实现=A VLSIimplementation of image processor for facsimile and digi-tal copier[会,英]/Park,C.D.& Jeong,Y.H.//1997IEEE 40th Midwest Symposium on Circuits and Sys-tems,Vol.2.—1457～1460(HG)Y98-61352-826 9905905用于有源相控阵天线的 MMIC 模块=MMIC modules