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半导体集成电路生产涉及的工艺非常广泛、复杂。在线实时测量线上工艺品质指标是半导体集成电路生产的一个重要方面。测量机台的种类繁多,而且,通常同一类的机台数量也很多,尤其是在一个具有多条生产线的大厂(Virtual Fab,One Mega Fab,Uni-Fab)。 相似文献
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在整个半导体制造过程中,微粒污染;静电放电损坏以及与此相关联的设备停机,是静电带来的三大问题.所以必须对静电加以控制.国际半导体发展路线图和SEMI标准提出了将静电控制在合适水准上的建议.静电控制方案包括了接地,静电耗散材料和空气电离化.为适应快速发展的半导体生产所带来的要求,空气电离器也在不断进行的变化. 相似文献
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尽管半导体价格在全球范围内急剧下跌,但半导体产业在台湾却前景乐观。半导体制造设备厂商及相关的国际咨询机构对台湾半导体市场看好。在1996年9月举行的台湾国际半导体设备及材料展览会(SEMICON Taiwan'96)上,与会的许多海内外半导体制造设备商及有关咨询机构曾明确指出台湾市场前景乐观。 据SEMI市场统计,1996年全世界半导体制造设备销售额增长了22%,总金额高达293亿元(参见图1)其中,29.2亿美元是在台湾成交的。与19 相似文献
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许多工业,龙其是制药业和电子工业,消耗的超纯水量与日剧增。虽然在这些工业中使用超纯水的原因不尽相同,但对超纯水质量标准的要求却大抵相同。当低功率 MOS 集成电路开始大量投产时,人们就认识到:通过对作功的晶体表面强去污便可改善这类 MOS 电路(例如手表电路)的工作可靠性和长期稳定性。这种想法就是最大限度地清除离子,特别是碱金属和重金属离子,化学家证实了超纯水是一种最有效的去污剂。超纯水可认为是一种纯度达99.99999~+ 相似文献
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半导体设备中的粒子沾污 总被引:1,自引:0,他引:1
一、前言编辑部收稿日期,1994-12-18目前,LSI技术正在以惊人的速度向前飞速发展,工艺技术水准业已达到0.5μm~0.25μm程度。从试制64MbDRAM现已转向256MbDRAM。至90年代,该领域的产品水平已达到4Mb程度。在这样一个日新月异的大发展时代,人们一面在寻求提高功能,一面又要努力降低成本。从64Mb产品所使用的0.25μm工艺来看,工艺技术中的物理、化学临界之障碍相当多,特别是对于器件技术来说,过去的按比例缩小规则业已不能适应现在的技术发展要求,人们开始对器件结构从根本上去开发。针对上述值况,人们开始向下述技术界… 相似文献
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简要分析半导体设备中干扰产生的原因、危害及一般抗干扰的原则;从干扰形成的三要素入手,重点介绍半导体设备设计、制造及维修中一些行之有效的抗干扰的方法。 相似文献
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半导体微细加工中的刻蚀设备及工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
与传统湿法腐蚀比较,干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。目前,刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术,干法刻蚀设备亦成为关键设备。本文对半导体生产中刻蚀的原理、分类,结合生产实际对刻蚀工艺进行了较系统的论述,并介绍了随着硅片尺寸的增大,工艺线条进入亚微米级时代,相应刻蚀设备的发展趋势。 相似文献
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