CH^35Cl3和CH^35Cl2^37Cl分子V=3的傅里叶变换光谱研究

采用傅里叶变换光谱技术（ＦＴＳ）记录了ＣＨ＾３５Ｃｌ３和它的同位素分子ＣＨ＾３５Ｃｌ２＾３７Ｃｌ的Ｖ＝３的高分辨光谱，由于０．０２ｍ＾－１分经不足以分辨Ｋ结构，我们将所观察到的谱线近似归属为Ｋ＝０的转动能级，归属了ＣＨ＾３５Ｃｌ３岔子４〈Ｊ〈７３，ＣＨ＾３５Ｃｌ＾３７Ｃｌ分子６〈Ｊ〈５３的转动级。最后采用最小二乘法拟合，得到了关于Ｊ的转动常数和振动带心。     

热核表面能的Thomas－Fermi统计模型理论

用Ｓｅｙｌｅｒ－Ｂｌａｎｃｈａｒｄ动量相关非定域相互作用的含温Ｔｈｏｍａｓ－Ｆｅｒｍｉ统计理论，对半无穷大核物质模型计算了核物质表面能系数σ（Ｔ，δ）随温度Ｔ和不对称度δ的变化，发现在低温Ｔ≤５ＭｅＶ和不对称度δ≤０．２时，可以近似写成σ（Ｔ，δ）＝σ０（Ｔ）［１＋Ｋ（Ｔ）δ２］，其中σ０（Ｔ）和Ｋ（Ｔ）可以拟合成温度Ｔ的二次函数．     

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的 零磁场自旋分裂

在赝形渐变ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂．利用ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａａｓ振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为８７６ｍｅＶ．     

低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。     

用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究

本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３上生长ＧａＮ单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ四个谱峰，其中半峰宽分别为１３．８ｍｅＶ，１０．８ｍｅＶ，１５．６ｍｅＶ，和５０ｍｅＶ。Ａ对应自由激子谱，Ｂ，Ｃ为两种束缚激子的跃迁，Ｄ与氧杂质谱有关。     

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ_ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ_ｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ_{０．４ 关键词：}     

飞秒瞬态反射谱研究YBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）费密面变化与电声子耦合

利用飞秒脉冲激光与泵浦－探测技术测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）（其中δ＝０．０，０．１，０．４，０．８）外延薄膜的瞬态反射率改变随时间变化曲线。由于氧含量的不同使得样品瞬态反射率改变随时间变化曲线有很大差异。瞬态反射率改变随时间变化的曲线符号变化可以理解为氧含量的变化改变了样品费密面附近的能带结构。对实验数据的拟合表明δ＝．４　的样品电声子耦合远弱于高Ｔ＿ｃδ＝０的样品。     

粲夸克偶素P波态χ_（c0）宽度测量

利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的３５０万（２Ｓ）事例，通过（２Ｓ）→γπ－和γＫ＋Ｋ－反应道测量了Ｘｃ０的总宽度．由ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟给出的质量分辨函数，利用拟合Ｘｃ２谱形得到的质量分辨作标定后，用于Ｘｃ０宽度的拟合，得到Ｘｃ０的宽度为（１５．０）ＭｅＶ．同时定出了ＸｃＪ（Ｊ＝０，２）到π＋π＝和Ｋ＋Ｋ－的衰变分支比．结果为Ｂ（Ｘｃ０→π＋π－）＝（４．２７±０．２３±Ｏ．６０）×１０－３；Ｂ（Ｘｃ０→Ｋ＋Ｋ－）＝（３．４４±０．２１±０．４７×１０－３；Ｂ（Ｘｃ２→π＋π－）＝（１．５２±０．１７±０．２９）×１０－３和Ｂ（Ｘｃ２→Ｋ＋Ｋ－）＝（５．２±１．１±１．８）×１０－４，其中第一项误差为统计误差，第二项为系统误差。     

自发有序Ga_(0－5)In_(0－5)P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用ΓＬ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的ΓＬ相互作用势分别为０１９，０１５和０１０ｅＶ．表明在自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金中存在着的沿［１１１］方向的有序是带隙能量降低的主要原因．在样品Ｃ中还观察到了明显的ΓＸ反交叉行为．拟合得到的ΓＸ相互作用势为００１１ｅＶ，比ΓＬ相互作用势小一个数量级．表明在此样品中除［１１１］有序外还存在弱的［００１］有序     

飞秒瞬态反射谱研究YBa2Cu3Ｏ７－δ费密面变化与电声子耦合

利用飞秒脉冲激光与泵浦－探测技术测量了ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_７－δ（其中δ＝０．０，０．１，０．４，０．８）外延薄膜的瞬态反射率改变随时间变化曲线。由于氧含量的不同使得样品瞬态反射率改变随时间变化曲线有很大差异。瞬态反射率改变随时间变化的曲线符号变化可以理解为氧含量的变化改变了样品费密面附近的能带结构。对实验数据的拟合表明δ＝0．４的样品电声子耦合远弱于高Ｔ_cδ＝０的样品。 关键词：     

Cs3Cu2I5晶体薄膜吸收谱的研究

本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ,激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ,禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上,论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中,同时,揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。     

随机电报过程引起的光失相的计算

本文计算了红宝石中Ａｌ核自旋跳变引起的Ｒ１［４Ａ２（Ｓ＝－３／２）→２Ｅ（Ｓ＝－１／２）］回波衰减．用随机电报过程描述每个Ａｌ核自旋（ｉ）跳变引起Ｃｒ共振频率的起伏Δｉ，这个过程对光子回波衰减的贡献〈Ｅｉ（ｔ２１）〉可以用解析式表示．首先计算核自旋（ｉ）跳变的总速率Ｗｉ及它引起的Δｉ，求出〈Ｅｉ（ｔ２１）〉．设对Ｃｒ光失相起主要贡献的每个Ａｌ核自旋跳变近似是独立的，所以总的回波强度是所有Ａｌ引起的〈Ｅｉ（ｔ）２１〉的乘积．计算得到非指数的回波衰减，以Ｉ＝Ｉ０ｅｘｐ〔－（４ｔ／ｔｍ）ｘ〕拟合，ｘ＝２．５６，ｔｍ＝５０．６μｓ，与实验及计算机模拟的结果一致     

分子轨道法（PPP－CI）计算芳烃化合物的荧光光谱及激发态结构

应用分子轨道法（ＰＰＰ－ＣＩ）计算了２５种芳烃化合物的基态和第一激发单重态的。电荷分布、偶极矩、键级，以及各分子轨道的能级分布的变化。计算得到的分子吸收光谱波长与实验值非常一致。发现计算得到的荧光辐射能△ＥＬ与荧光米谱波数ｖｆｌ；计算得到的分子激发过程中的平均键级变化△Ｐ与荧光量子产率φ存在如下关系：＝７．０５６０△Ｅｆｌ十２３．３８２Ｏ（Ｋｃｍ－１）ｒ＝０．９８８１Ｉｎφ＝－０．８４０７Ｉｎ△Ｐ—４．００４４ｒ＝０．９０７９     

分子轨道法（PPP—CI）计算芳烃化合物的荧光光谱及激发态结构

应用分子轨道法（ＰＰＰ－ＣＩ）计算了２５种芳烃化合物的基太和第一激发单重态的π电荷分布，偶极矩，键级，以及各分子轨道的能级分布的变化。计算得到的分子吸收光谱波长与实验值非常一致。发现计算得到的荧光辐射能△Ｅｆｌ与荧光光谱波数νｆｌ；计算得到的分子激发过程中的平均键级变化△Ｐ与荧光量子产率△存在如下关系：νｆＬ＝７．０５６０△ＥｆＬ＋２３．３８２０（Ｋｃｍ＾－＾１）ｒ＝０．９８８１ ｌｎФ＝－０．８     

自由基分子CN（A^2Пi—X^2Σ^＋）的光谱研究

利用塞曼调制磁旋转光谱技术对自由基分子ＣＮ（Ａ＾２ΠＩ－ｘ＾２Σ＾＋）（１２,６）带、（７,２）带进行了测量,标识了光谱并拟合了Ａ＾２Πｉ太分子常数,从而得到Ｖ＝７Ｔ Ｖ＝１２振转谱带的Ｔｖ、Ａｖ、Ｂｖ、Ｄｖ等参数,还获得Ａ双分裂参数Ｐｖ和ｑｖ,两个带的总拟合方差分别为０．０３９和０．０４６ｃｍ＾－１。     

用于等离子体电位测量的电容探针和发射探针

本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热，并在较强电子发射条件下运行（Ｉ_（ｅ０）／Ｉ_（ｅ０）＞１）。电容探针表面二次电子发射系数δ≥１。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为３×１０（－３）、５×１０（－４）。实验给出了ＭＭ－４会切中心等离子体电位Ｖ_（ｐ４）＝－８２±９－１２２±１２Ｖ；ＭＭ－４Ｕ东、西会切中心等离子体电位分别为Ｖ_（Ｐ４ｕ１）＝－５２．９±３．２Ｖ，Ｖ_（Ｐ４ｕ２）＝－６２±３．２Ｖ。     

In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３７ｅＶ的缺陷,该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间．该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动．在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效,俘获势垒为０．０６ｅＶ和０．４０ｅＶ的两个缺陷在俘获过程中被观测到,而在发射过程中并没有观测到     

乙烯基吡咯烷酮—醛酸乙烯酯共聚物对1—苯胺基萘—8—磺酸盐水溶液的荧光...

将荧光探针１－苯胺基萘－８－磺酸盐（ＡＮＳ）加入到乙烯基吡咯烷酮（ＶＰ）－醋酸乙烯酯（ＶＡＣ）共聚物溶液中，共聚物组成分别为ＦＶＰ＝０．８４；０．７４；０．７０；０．５５（以乙烯基吡咯烷酮结构单元的分子数表示）。实验结果表明：ＶＰ－ＶＡＣ共聚物对ＡＮＳ水溶液的荧光强度增强效应与共聚物中乙烯基吡咯烷酮在逻节中的比例有关，其组成为ＦＶＰ＝０．５５的共聚物对ＡＮＳ水溶液有显著的荧光增强效应，相对荧光强度     

s~(1/2)=29─35GeVe~ e~-湮没中D~(*±)介子的平均多重数

分析了ＴＡＳＳＯ等５个实验组的数据，并采用最新衰变分支比，得到了＝２９－３５ＧｅＶｅ＋ｅ－湮没中Ｄ＊±介子的平均多重数为０．２４±０．０２．这个结果同在ＲｅｖｉｅｗｏｆＰａｒｔｉｃｌｅＰｈｙｓｉｃｓ中公布的为０．４３±０．０７严重不符。我们认为，我们的结果是可信的。     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．