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１９５８年第一个平面型晶体管的诞生,为集成电路的发明奠定了坚实的技术基础．翌年,集成电路问世,其后集成规模以每年翻一番的高速度迅速发展．现已有能在几毫米见方的小硅片（又称芯片）上集成包含百万只元器件的超大规模集成电路．这二十多年中,一个芯片中集成的元器件数增加了几十万倍,而芯片的面积仅扩大了一个数量级左右．因此集成技术的发展主要是依靠缩小芯片中每个器件的尺寸来实现．实际上器件的线度缩小了近三?... 相似文献
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金属硅化物在微电子学的理论研究和实际应用方面有着广阔的前景,近来金属硅化物形成研究再次成为一个非常活跃的领域．理论方面,硅化物的能带结构和硅化物－硅界面研究有着重要意义．高性能和高可靠性电路制造对金属化方案的选择至关重要．金属硅化物具有低的电阻率和高的稳定性,它们在集成电路上的应用引起人们极大的关注．图１是半导体电路金属化系统两种典型结构．其中图１（ａ）是具有重掺源、漏区和轻渗沟道的ＦＥＴ结?... 相似文献
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在化学元素周期表中,已观察到许多元素在硅中能形成电子能级.它们作为硅中的杂质,其物理行为目前只有很少数的几种(例如B,P,As等)为人们所了解,而对周期表中的绝大多数元素在硅中的物理性质研究得还远远不够. 本文根据现有的工作,论述一些杂质在硅中的物理行为. 一、Ⅲ族(B,Al,Ga)及V族 (P,As,Sb)元素 众所周知,Ⅲ,V族元素是硅中最重要的杂质.它们在硅中分别是受主和施主杂质,并在硅禁带中引入浅能级:受主能级比价带顶高上EA,施主能级则比导带底低 ED 表1列出了硅中Ⅲ,V族杂质电离能的测量值.实验测量表明,Ⅲ,V族杂质在硅中的电离能… 相似文献
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硅中的扩散和金属中的扩散相比有自己的特点．硅具有金刚石结构这样一种敞形结构（ｏｐｅｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）,而金属具有密堆积结构．敞形结构中间隙大,使更多的元素能通过填隙机制进行扩散．硅具有禁带,点缺陷在禁带中产生能级,由掺杂引起的费米能级在禁带中的浮动使点缺陷具有不同的荷电态,带电点缺陷的浓度也受费米能级的严重影响．这些特点使硅中的扩散比金属中的扩散复杂得多、丰富得多．低温辐照产生一系列点缺?... 相似文献
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利用非线性动力学复杂性的测度研究了人脑电图在不同的功能状态下的信息传递,并定义了不同层次的复杂性的测度,认为这种方法可作为研究人脑高级功能的一种方法。 相似文献
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包括大规模集成电路在内的现代半导体器件,绝大部分是用硅平面工艺制造的．在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后,器件的芯片就制成了．平面工艺少不了硅表面的一层ＳｉＯ２膜,该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜,在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物,因此这些器件都包含Ｓｉ-ＳｉＯ３系统．在ＭＯＳ器件中,还有较薄的优质ＳｉＯ２作栅极的介质,它是决定该类器件功能的.... 相似文献
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在金属－半导体界面附近一般存在势垒,称为肖特基势垒．基于这一结构的二极管称为肖特基势垒二极管或肖特基二极管．由于肖特基二极管较ｐ－ｎ结有更低的正向压降,所以在双极型集成电路中用它作限饱和二极管,以显著提高电路的速度．金属半导体接触也是金属－半导体场效应晶体管（ＭＥＳ－ＦＥＴ）及有关集成电路的基础。金属－半导体欧姆接触则广泛用于形成低阻接触．关于金属－半导体接触界面势垒的形成问题,在本刊１１卷?... 相似文献
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自从１９７２年Ｓｐｅａｒｓ与Ｓｍｉｔｈ[１］首先发表了Ｘ射线光刻的论文以来,美、日、西德和法国等都将Ｘ射线光刻列入超大规模集成电路的光刻工艺之一．美国贝尔电话公司已将Ｘ射线光刻机用于中间性生产线,做出了０．３０μｍ的短沟道的ＭＯＳ器件[２］Ｘ射线光刻受到重视的原因是：（１）最高分辨率可以做到为５０Ａ;（２）光刻的质量较用其它光刻技术好,表现在光刻后光刻胶的剖面图形的高度与宽度之比可达１５：１．?... 相似文献
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神经系统是结构和功能极其复杂的生命信息处理系统。对神经系统的深入研究，将为最终解决意识与思维之谜，开辟前进的道路。但是神经科学的发展，一刻也离不开现代物理学的理论与方法的先导和支持。从生物物理学的角度出发，着重介绍了生物神经网络的构成与运行特征，并进一步探讨将现代物理学中的某些理论和方法，应用于神经科学研究的可能性。 相似文献
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一、问题的提出在力学和日常生活中,大家对运动稳定性问题已有一些初步概念．通常所了解的是最简单的稳定性问题──力学的平衡稳定性问题．如图１（ａ）所示,小球处于凸面的顶点是力学上平衡的,但这是一种不稳定的平衡状态．因为任何微小扰动都可使小球越来越远地离开平衡位置而永不回来．对于图１（ｂ）所示情形,小球处于凹面的底部,这也是平衡的,而且是稳定的平衡状态．因为任何微小扰动虽可使小球偏离平衡位置,但它?... 相似文献
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随着半导体硅器件技术的不断进步,对晶体材料的完整性的要求越来越高.五十年代末观察到位错会引起p-n结的软击穿,因此发展了无位错硅单晶的生长技术.所谓宏观无位错晶体,通常是指用择尤化学腐蚀看不到位错蚀坑,或在X射线形貌照片上看不到位错衬度,并不是指没有缺陷的完美晶体.正如Sirtl所说,从半导体级硅技术开始发展时起,晶体缺陷问题就是有关专家的永久伴侣.当晶体中无位错时,由于很难消除晶体生长时产生的点缺陷(自填隙原子和空位),因此在晶体冷却下来后,这些点缺陷会因过饱和而凝聚,形成尺度较宏观位错小得多的缺陷(一般在微米或亚微米… 相似文献
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概述了最近生物磁学的主要进展和若干机制问题。这些进展包括生物磁场、生物磁性、磁场生物效应、生物磁技术及其在工业、农业、医学和环境保护等方面的应用,简要地讨论了生物磁场来源,生物磁性特点,生物系统磁共振,磁场对生物电流、自由基、蛋白质、生物膜和生物结构的影响,以及磁场处理水的问题。 相似文献
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上世纪末和本世纪初低温制冷技术迅速发展,１９０８年Ｌｅｉｄｅｎ实验室在Ｏｎｎｅｓ指导下实现了氦气液化,在此基础上再用减压降温技术,他们获得了４．２Ｋ到１Ｋ的低温．在新的低温区测量了金属电阻特性变化,１９１１年Ｏｎｎｅｓ发现在４．２Ｋ附近水银的电阻已经降到该实验室仪器无法测出的程度．估计,在１．５Ｋ时水银的电阻与０℃水银电阻之比小于十亿分之一,而且电阻是在４．２Ｋ附近突然下降到这种无法测出的程?... 相似文献
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大家知道,不含杂质的纯半导体几乎没有什么直接的用途．为了制造半导体器件,人们总是先将半导体材料尽可能地提纯,然后用扩散、离子注入等方法将一定数量的特定杂质掺入半导体的一定部位,以控制半导体的导电类型和电阻率,再经金属蒸发等工艺,最终制成半导体器件．因此,研究杂质的性质和作用是很重要的．在半导体中,有两类性质和作用都绝然不同的杂质：一类杂质是在禁带中引入的能级与导带底或价带顶的能量差很小,远远?... 相似文献
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同其它物体一样,恒星也有它的发生、发展和死亡的过程．只是这个过程相当缓慢．一颗类似太阳的恒星,它一旦形成,将在约１０～（１０）年的时间内不会有显著的变化．当然,这和人类文明史（约１０～３－１０～４年）相比,太长了．因此人们不可能直接观测到恒星的演变．但是,他们可以对大量处于不同年龄和不同演化阶段的恒星进行观察,并对大量资料作出科学的统计分析．这方面极重要的贡献是在本世纪初由Ｈｅｒｔｚｓｐｒ－?... 相似文献
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当前,半导体器件广泛应用于国民经济的各个领域之中,这些半导体器件基本上是由晶体材料制成的．然而,井不只是晶态材料才具有优良的半导体性质,很多非晶态材料同样具有优良的半导体性质,称这些材料为非晶态半导体．目前研究最多的非晶态半导体材料有两大类：一类是四面体配置的非晶态半导体（例如非晶硅）;另一类是硫属非晶态半导体,包括二元系（例如Ａｓ３Ｓｅ２）和多元系（例如Ａｓ８１Ｓｅ２１Ｇｅ３?... 相似文献
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在半导体器件发展的初期,人们就已经知道半导体器件的稳定性在很大程度上依赖于半导体表面的状况．由于在工艺过程中难以严格控制表面的条件,为了保证器件的稳定性,只得对表面尽量采取有效的钝化措施．近十余年来由于超高真空技术的发展,不仅可以制备清洁的表面,而且可以在超高真空中进行实验测量．如果将光子、电子和其它各种离子注入半导体表面,然后对经过相互作用之后所产生的粒子进行能谱分析,可以得到重复性极好的?... 相似文献
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一、微波遥感的基本特点微波遥感是指运用的波长介于１ｍｍ－１ｍ（０．３－３００ＧＨｚ）的电磁波段获取地球表面资源信息的遥感手段．由于综合孔径侧视雷达概念的提出和这类雷达的研制成功,使雷达的空间分辨率有了极大地提高．侧视雷达图象已经能够提供许多地貌特征,如地质上的断层、水系特征、水域范围、雪盖、城市和沙漠等,因此微波图象已具有资源应用的价值．从六十年代开始,微波遥感获得迅速的发展。现已成为遥感事?.. 相似文献
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早在三十年代固体量子理论初兴之时,塔姆就曾提出,晶体表面,由于周期场终断,会在晶体电子的禁带中出现新的电子定域态,这就是塔姆表面能级．后来,肖克莱又提出共价晶体表面的未饱和悬挂键也会在禁带中产生表面能级,这就是肖克莱表面能级．这些表面能级的共同特征是,位于禁带之中在表面能级上的电子沿着表面方向可以自由运动,但在垂直表面方向,表面态电子的波函数是指数衰减的,所以它们是定域在表面的状态．最近十五?... 相似文献
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激光光谱学是激光出现后蓬勃发展起来的学科.它以激光为光源,解决传统光谱学长期不能解决或难以解决的间题.由于激光具有高亮度、高度单色性和方向性的特点,激光光谱学除使传统的光谱学方法更趋精确和完善之外,还发展了许多独特的光谱学方法.由于这些方法的建立,无论是光谱分辨率、时间分辨率、或光谱灵敏度都愈来愈高.例如,十多年来光谱分辨率经历了消除多普勒加宽、压力加宽、渡越时间产生的加宽、二级多普勒加宽,直到超越自然线宽等各个阶段,使目前的最高分辨率接近于10-14.与此同时,激光光谱方法正被广泛应用于原子分子物理、凝聚态物理… 相似文献