30千兆赫0.25微米栅低噪声 GaAsFET

采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为7dB(漏电流为10mA 时),最大有用增益为11dB(漏电流为30mA 时)。30GHz 下,噪声系数为4dB,相应增益为5dB,最大有用增益为8dB。测得的噪声系数是迄今所报导的最好值。本工作证明,GaAsMESFET 能够在毫米波范围工作。     

8千兆赫3.9分贝的低噪声晶体管

美国费尔查尔德公司采用基区~(11)B~+离子注入,发射区砷扩散已达到8千兆赫3.9分贝的实验室指标。该公司采用了相当薄的高掺杂的无源基区来降低基极电阻。高浓度无     

4千兆赫1.5分贝低噪声砷化镓场效应晶体管

砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管期待作为几千兆赫以上具有优良性能的微波放大器件,一些单位都在积极开展研究。然而目前只有少数的硅双极晶体管在6千兆赫以上实现了比较优良的性能,已有几家市售产品,然而考虑到将来砷化镓场效应晶体管大有希望,可能取而代之。另外,使用砷化镓场效应晶体管的各种微波仪器的研究也极其活跃起来,预计不久将来,使用砷化镓场效应晶体管的 X 波段低噪声放大器将实用化,它必将取代过去所用的低噪声行波放大器(TWT)。     

12千兆赫电调谐低噪声参量放大器设计

随着卫星广播事业的发展,世界各国均较重视这方面的研制技术,特别是CCIR建议的并为多数地区采用的12千兆赫频段颇有发展前途.对一般用户只需60厘米直径的抛物面天线即可直接收看卫星电视节目;对中心转播站或边照区的中心站;若采用低噪声参量放大器,亦可用不太大的抛物面天线(如4米以下)而能收到合乎质量标准的图象.为此,我们于1979年底研制成功12千兆赫卫星直播电视接收站.     

频率为12千兆赫下噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管

日本电气公司研制出了频率为12千兆赫时最小噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管(Ohata,k et al,1979 Technical Digest of Intenational Electron Devices Meeting,pp 277～28O),其增益为10.7分贝。 这种晶体管采用栅一漏或栅一源间隙隐埋部份有源层的单元结构,因此源电阻得以降低。其栅长为0.5微米,宽为280微米,有源层载流子浓度为3×10~(17)厘米~(-3),隐埋前的有源层厚度为0.5微米,隐埋后的厚度为0.3微米以上。由于栅电阻低,栅宽分为4条(1条长70微米)。以前的场效应晶体管NE388的源电阻为5欧姆,     

20千兆赫低噪声接收机前端

一、引言今天,通信技术在我们社会里是最重要、发展最迅速的工业之一。许多军事上部署的通信系统以及国家航空和航天局的通信系统都需要工作在极高频频段上的固态的低噪声接收机。除了对它们提出低噪声技术要求外,人们还要求这些接收机体积小,重量轻,并具有高可靠性。目前一种用于军事通信的低噪声接收机前端(LNR)已经研制成功,在19.9～21.5     

4千兆赫下噪声系数为2分贝的硅微波晶体管

引进一种砷扩散的亚微米发射极,得以研制出在4千兆赫下最小噪声系数为2分贝、相应的功率增益为9.5分贝的硅微波晶体管。为了使低噪声微波晶体管有可能实现,最重要的因素之一就是使通常的制造技术达到最佳化。     

10千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管

本文报导在5厘米波段GaAsFET的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式曝光——金属剥离技术制作1微米栅条,采用挖槽法等,可以使GaAsFET性能进入3厘米波段,用ST31生陶瓷管壳封装的器件,在10千兆赫下噪声系数N_F=4.7分贝,同时增益G_(NF)=4.7分贝;或者N_F=5.8分贝,G_(NF)=7.0分贝。文章最后对如何进一步提高器件性能作了讨论。     

18千兆赫低噪声高增益场效应管

国外研制成一种用砷化镓材料的超高频场效应管.这种管子(型号为HFET-2201)的截止频率达18千兆赫,典型噪声系数在频率为14千兆赫时仅3.1分贝,而增益为8分贝.据称,这是一种低噪声、高增益     

12千兆赫参量放大器

<正>11.70～12.20千兆赫参量放大器是为卫星直播电视地面接收站研制的低噪声高放部件.作为边缘低场强地区接收系统低噪声高放部件的单级参放,必须在保证接收带宽的前提下,提供较高的增益,以尽量减小后级噪声贡献,从而实现系统高灵敏度之目的.参量放大器的性能指标是由所用变容管、泵源性能和电路结构形式等因素决定的.为简化电路结构,参放的信号电路和空闲电路应尽量利用变容管的封装参数和集总参数元件,选用变容管的并联谐振频率作为空闲频率,而外空闲电路则由一段λ_i/4短路同轴线组成,此段     

2～4千兆赫下增益为40分贝的薄膜放大器

自60年代中期出现微波晶体管以来,系统设计者皆致力于在所有微波波段下采用晶体管放大器。最近外刊报导了一种在2～4千兆赫下具有40分贝增益的薄膜放大器,并被吹嘘为微波晶体管放大器方面的一个较大进展。此放大器的50欧姆匹配网络为整个信频程提供了非常低的输入和输出电压驻波比(1.3:     

86—88千兆赫低噪声行波脉泽

本文描述86～88千兆赫铁掺杂金红玉(Fe~(3 ):TiO_2)行波脉泽的制造和性能。3分贝带宽为40～50兆赫时,电子增益为36分贝,净脉泽增益为15～20分贝。已测得该脉泽的输入噪声温度 T_(Maser)=20±10°K。     

4千兆赫下噪声3.6分贝的硅双极晶体管

随着器件工艺的发展,小信号硅微波晶体管性能有了很大改进,其中比较主要的器件工艺是: 1.1 微米发射极条宽; 2.砷扩散发射极; 3.与浅结结构相容的欧姆接触。由于这些工艺研究的应用,已制作成在4千兆下噪声系数3.6分贝的硅晶体管。     

12千兆赫塑料抛物镜

今后12千兆赫卫星-电视接收设备将采用高机械强度塑料制成的60厘米天线,它比普通金属型的天线有许多优点。塑料抛物镜是由 Grünzweig Hartmann 公司的微波技     

4千兆赫频段微波低噪声集成晶体管放大器

研制了用于卫星通讯接收设备的微波低噪声集成晶体管放大器。在3.7～4.2千兆赫的频带范围内,放大器的增益≥24±0.5分贝,噪声系数<5.5分贝。经过连续两批抽样考核表明,这种放大器可满足一般地面设备的可靠性要求。放大器采用CG40型硅双极晶体管,电路元件混合集成于高纯氧化铝陶瓷基片上。装配方法上采用了微带基片的“面焊接”技术。为了便于使用,在放大器内部加有集成微带隔离器。本文叙述了放大器的设计、制作和性能结果。     

12千兆赫卫星直播电视接收站

已研制了一种简单、低成本的12千兆赫卫星直播电视接收站.给出了该站与主要微波部件如混频器、参放等的性能.该站在南京长期试收了日本直播卫星播出的节日,达到了预期的良好效果.     

11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。     

4～8千兆赫7分贝噪声系数场效应晶体管放大器的设计

场效应晶体管正在迅速地成为低噪声放大器(特别在 C 波段以上)的“首席候选者”。本文介绍4～8千兆赫6分贝增益平衡放大器的设计。     

8千兆赫频带的低噪声大功率砷化镓场效应晶体管放大器

一、引言目前微波通信设备中已广泛使用低噪声、大功率GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)放大器。近年来的发展趋势是使这些放大器体积缩小、重量减轻并实现宽带化。GaAs FET放大器通常用MIC(微波集成电路)构成,而为了实现小型化,人们正在从采用分布参数电路转向采用集总参数电路的MIC。最近,为了进一步小型化与轻量化,GaAs单片微波集成电路(MMIC)的研究也正在加紧进行。然而,要实现MMIC的定型和批量生产,还要解决很多问题,特别是在通信设备中应用时,对于所要求的数量,所要求的特性的多样性,务必多加考虑。本文为了实现通信设备用的GaAs FET放大器小型化、轻量化、宽带化,并降低成本,研制了集总参数元件和分布参数电路组成的混合结构6～8千兆赫低噪声放大器和大功率     

4～5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制

利用研制中的硅双极晶体管设计制作了4～5千兆赫频段低噪声晶体管混合集成放大器。实验结果表明,利用这种晶体管制作C波段放大器其性能可满足一定的使用要求。初步结果为:4千兆赫频段两级放大器噪声系数4.5分贝左右,增益10分贝(±1分贝),带宽>500兆赫;5千兆赫频段两级放大器噪声系数6分贝左右。增益10分贝±1分贝),带宽>400兆赫。实验分别是在氧化铝陶瓷衬底和聚四氟乙烯玻璃纤维敷铜板上采用微带电路制作的。