熔体生长3,4—二甲氧基,4‘—硝基芪（MOMONS）晶体

首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效庆。用粉末法测得其有效倍频系数ｄｅｆｆ为０．２２－３倍ｄＫＤＰ用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了的结构。从晶体结构讨论了ＭＯＭＯＮＳ晶体的性能。     

PbMoO4晶体的生长及其光学性能研究

采用不同的配料方法，改进生长工艺条件，生长优质ＰｂＭｏＯ４晶体。测试了晶体的透过率、双折射梯度、消光比和声光品质因数。研究克服了ＰｂＭｏＯ４晶全中出现的缺陷。     

碘酸盐共结晶的非线性增强效应

本文研究碘酸盐ＮａＩＯ３－ＬｉＩＯ３和ＫＢｒＯ３－ＬｉＩＯ３两咱混俣物共结晶的非丝性光学效庆，粉末ＳＨＧ效庆测试结果表明，这两种共结晶物的ＳＨＧ活性都大于共结晶前单个化合物的ＳＨＧ活性，说明在碘酸盐混合物的共结晶中存在着明显的非线性增强效应。     

激光加热基座（LHPG）法生长YVO4晶纤

采用激光加热基座（ＬＨＰＧ）法，用两束ＣＯ２激光加热生长ＹＶＯ４晶纤。源棒直接由Ｙ２Ｏ３－Ｖ２Ｏ３粉末压制、烧结制成。生长的晶纤开始一段是称约５－１０ｍｍ的浅黄色单晶，随着是灰黑色多晶。Ｘ射线结构分析表明，晶纤是ＹＶＯ４化合物，但含有少量Ｙ８Ｖ２Ｏ１７第二相微粒。文中讨论了生长的ＹＶＯ４晶纤中形成多晶段的原因。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及其全息性能的研究

本文首次详细报导了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长技术，研究了晶体的吸收光谱、衍射效率和响应时间。与Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３相比，Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体响应速度快，且衍效率较高，并具有较宽的角度响应范围，是一种优良的全意记录介质材料。     

下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除

本文报道了以Bi2O3和GeO2粉末为原料,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象.借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成.分析了散射芯产生的原因,并提出了消除这种宏观缺陷的一些方法.     

陶瓷靶材对铁电薄膜的成分,结构和性能的影响

本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明，由１２００℃时烧结的靶所制备的薄膜中ＰｂＯ的含量偏低，而９００℃时的薄膜中ＰｂＯ的含量却大于１；由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构，但９００℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好，具有较好的铁电性能，其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为７３．２ｋＶ／ｃｍ和２５．９μＣ／ｃｍ＾２     

助熔剂法生长片状硼酸铁单晶及其磁光性能

本文采用助熔剂法，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ｐｂＯ／ＰｂＦ２系统中生长出片状弱铁磁性ＦｅＢＯ３晶体。用磁光调制倍频法测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光区的法拉第旋转谱，并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱，得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系，并对ＦｅＢＯ３晶体生长与磁光性能作了讨论。     

Zn：Nd：LiNbO3晶体的生长及其抗光折变效应

在生长ＬｉＮｂＯ３过程中掺进６ｍｏｌ％ＺｎＯ和０．２ｍｏｌ％Ｎｄ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的吸收光谱，荧光光谱和抗光损伤阈值，应用简并四波混频技术研究了Ｚｎ；Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变效应，它的光栅形成机制是异常光生伏特效应，它的抗光损伤能力比Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体提高二个数量级，这是由于光电导的增强而引起的。     

Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的生长及其四波混频位相共轭效应的研究

本文报道了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的生长，利用简并四波混频测试了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的位相共轭反射率、响应时间、光电导、位相工轭温度效应。并且测试了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的非简并四波混频变位相共轭反射率和抗光散射能力。研究和探讨了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体提高响应速度和抗光散射的机理。     

Eu：Zn：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进Ｅｕ２Ｏ３和ＺｎＯ生长Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储元件，实现了全息关联存储。     

GdP5O14晶体的生长与能级测定

本文采用蒸发溶液法生长出高质量的ＧｄＰ５Ｏ１４晶体，测定了其结构属于单斜晶系，空间群Ｐ２１／ｃ。用荧光光谱仪实验测定ＧｄＰ５Ｏ１４的激光光谱和发射光谱，并计算了Ｇｄ＾３＾＋在晶体中的能级。     

Rb0.3K0.7TiOPO4晶体弹光系数的相对法和绝对法测量

本文报道了利用晶体通光方向上光束相差测量弹光系数的方法，并采用相对法和绝对法测量了Ｒｂ０．３Ｋ０．７ＴｉＯＰＯ４晶体的弹光系数。     

Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究

ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱，抗光损伤能力，光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。     

Mg：Fe：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中同时掺入ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长了Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。该晶体的衍射效率达到８０％，且抗光致散射能力强，响应速度较快。以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息关联存储的记录介质，记录图象清晰，噪声小，恢复图象信息完整。     

掺镨四硼酸铝钕单晶的拉曼光谱

本文报导了掺镨四硼酸铝钇（ＰｒｘＹ１－ｘＡｌ３（ＢＯ３）４，简称ＰＹＡＢ）的偏振拉曼光散射。得到了不同几何配制下的Ａ１和Ｅ振动模。讨论了由于ＰＶＡＢ特殊的结构，使ＹＯ４、ＢＯ３等基团的内振动模偏离在团的振动频率及ＡｌＯ６八面体内振动模劈有原因。     

Zn：Eu：LiNBO3晶体光折变效应的研究

本文报导了Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的１１生长，测试了晶体抗光致散射能力。研究Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明，Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有较高的的抗光致散射能力和响应速度。     

V:Al2O3的电子及中子辐照改性研究

测量和分析了Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体在电子辐照前后的吸收谱,发射谱和正电子湮没寿命及强度。结果表明：电子辐照可使Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｖ离子变价,而中子辐照在晶体中诱生Ｆ＾２＋２和（Ｖ＾＆３＋－Ｆ＾＋２）心。（Ｖ＾３＋－Ｆ＾＋３）心可发射４５０－５６０ｎｍ５ 连续荧光。     

Cr^3＋：BeAl2O单晶的特性及生长工艺的改进

描述了掺Ｃｒ＾３＋离子的紫翠宝石（Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４）单晶的晶体结构、物理性质、晶体的吸收光谱与发射光谱及其激光特性。讨论了用引上法生长Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４晶体的一些工艺问题中。引上法晶体生长过程中选用较慢的提拉速度、较快的转束客生长较大直径的晶体的工艺参数,能够生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶本。我们的实验表明,采用温梯法也能生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶