共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
2.
3.
采用一种基于密度泛函理论计算的自洽方法研究了边界修饰有C-O-C醚基的锯齿形石墨烯纳米条带(包括边界有连续的醚基ZGNR-CE和50%覆盖度的醚基ZGNR-AE)的电子场发射特性. 模拟结果显示两种纳米条带的场发射主要由布里渊区中心且靠近费米面的电子态所决定. 因为具有较低的功函数,ZGNR-CE条带能产生比未修饰的重构锯齿形石墨烯纳米条带强很多的场发射电流;而ZGNR-AE条带有着几乎完全自旋极化的场发射电流,尽管电流不够强. 另外在较低的外电场下,单轴方向的外加应变能有效调控它们的场发射电流,但ZGNR-AE条带的高自旋极化保持不变. 通过分析这些条带的功函数、能带结构以及结合边界电偶极模型,揭示了相关机制. 相似文献
4.
5.
运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明:掺B及吸附H2O的碳纳米管(BCNT+H2O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(Ef)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H2O比CNT+H2O有更好的场发射性能.
关键词:
掺硼碳纳米管
吸附
密度泛函理论
电子场发射 相似文献
6.
利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的I V特性变化.
关键词:
单壁碳纳米管
场发射显微镜
场发射
四极质谱 相似文献
7.
以纳米碳管阵列为研究对象,利用镜像悬浮球模型及Fowler-Nordheim电流密度公式,对纳米碳管阵列的场发射电流密度进行计算,进而综合考虑场发射增强因子及场发射电流密度对纳米碳管阵列场发射性能进行定量优化.参考碳管阵列场发射电流密度最大值及场发射增强因子,表明当纳米碳管阵列间距为碳管高度十分之一时,纳米碳管阵列的场发射性能得到优化.与以前的理论估算结果相比,优化的阵列间距进一步减小.当纳米碳管间距过大,场发射增强因子增加,而场发射电流密度会在更大程度上减小;当纳米碳管密度较大时,场发射增强因子受到静电
关键词:
纳米碳管
场发射
增强因子
电流密度 相似文献
8.
对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明:掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳.
关键词:
氮掺杂
水吸附
密度泛函理论
电子场发射 相似文献
9.
10.
钛基纳米金刚石涂层场发射阴极 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种新的金刚石场发射阴极工艺.用旋涂法在金属钛片上涂覆纳米金刚石涂层,经过适当条件的真空热处理,实现钛与金刚石之间的化学键合即欧姆接触,从而形成以金属钛为衬底,碳化钛键合层为过渡层,金刚石纳米颗粒为场发射体的场发射阴极.样品的阈值场强可达6.3V/μm,场发射电流密度在21 V/μm场强下可达到60.7 μA/cm2.提出了样品的结构模型,并分析了其电子输运方式.样品的Fowler-Nordheim曲线基本为一直线,根据经典场发射理论,可以证实其电子发射机制为场发射.观察到在获得稳定的场发射性能之前存在激发过程,并对其作了简单解释. 相似文献
11.
12.
运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone1@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命.
关键词:
锥顶碳纳米管
电子场致发射
结构稳定性
密度泛函理论 相似文献
13.
采用简单物理气相沉积法制备出取向和非取向的氧化锌纳米棒,他们的场致电子发射性能测量结果表明,ZnO纳米棒具有较好的场发射性能,但是高度取向的ZnO纳米棒阵列并不利于获得高的场致电子发射电流密度.这可能是由于高密度ZnO纳米棒之间具有较高的屏蔽效应,降低了ZnO纳米棒阵列的场放大因子,从而影响了其场发射性能.相反,非取向ZnO纳米棒由于相互之间的屏蔽效应比较弱,而且表面存在容易成为发射中心的微小突起,表现出较好的场发射效果.这些结果不仅有助于加深我们对准一维纳米材料场致电子发射性能的理解,也为未来场发射电子器件的实际应用提供了可靠的依据.
关键词:
氧化锌
场发射
非取向 相似文献
14.
采用质点网格法(particle-in-cell),利用MAGIC软件模拟了场致发射的物理过程.对两 种典型的场致发射模型(Spindt阴极发射体和金刚石薄膜发射体)分别进行了模拟.对Spind t阴极发射,研究了发射特性与尖端尺寸,尖端与栅极面的相对高度的关系.对金刚石薄膜发 射,比较了三极管和四极管的发射特性,以及薄膜面积对发射特性的影响,得出金刚石薄膜 发射体优于Spindt发射体的特性.
关键词:
场致发射
MAGIC程序
Spindt发射体
金刚石薄膜发射体 相似文献
15.
Field emission properties of capped carbon nanotubes doped by alkali metals:a theoretical investigation
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The electronic structures and field emission properties of capped CNT55 systems with or without alkali metal atom adsorption were systematically investigated by density functional theory calculation.The results indicate that the adsorption of alkali metal on the center site of a CNT tip is energetically favorable.In addition,the adsorption energies increase with the introduction of the electric field.The excessive negative charges on CNT tips make electron emittance much easier and result in a decrease in work function.Furthermore,the inducing effect by positively charged alkali metal atoms can be reasonably considered as the dominant reason for the improvement in field emission properties. 相似文献
16.
The field emission(FE) characteristics of nano-structured carbon films(NSCFs) are investigated.The saturation behaviour of the field emission current density found at high electric field E cannot be reasonably explained by the traditional Fowler-Nordheim(F-N) theory.A three-region E model and the curve-fitting method are utilized for discussing the FE characteristics of NSCFs.In the low,high,and middle E regions,the FE mechanism is reasonably explained by a modified F-N model,a corrected space-charge-limited-current(SCLC) model and the joint model of F-N and SCLC mechanism,respectively.Moreover,the measured FE data accord well with the results from our corrected theoretical model. 相似文献
17.
The field emission (FE) characteristics of nano-structrued carbon films (NSCFs) are investigated. The saturation behaviour of the field emission current density found at high electric field E cannot be reasonably explained by the traditional Fowler-Nordheim (F-N) theory. A three-region E model and the curve-fitting method are utilized for discussing the FE characteristics of NSCFs. In the low, high, and middle E regions, the FE mechanism is reasonably explained by a modified F-N model, a corrected space-charge-limited-current (SCLC) model and the joint model of F-N and SCLC mechanism, respectively. Moreover, the measured FE data accord well with the results from our corrected theoretical model. 相似文献
18.
研究发现,在超强激光作用下电子运动的相对论效应可导致高次谐波辐射,采用单电子模型计算分析了不同偏振微光作用下的高次谐波发射,表明圆偏振激光较线偏振激光更有利于高次谐波产生。 相似文献
19.
采用脉冲激光沉积 (PLD) 方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析. 结果表明: 基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响. 在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜, 其场发射性能得到显著提升, 其场发射电流可以数量级增大. 场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应. 本研究结果表明, 要获得优异性能场发射薄膜, 合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑.
关键词:
基底
GaN
纳米薄膜
场发射 相似文献