一种高性能带隙基准电压源设计

在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-35～125℃范围内,达到平均低于2×10^-6/℃的温度系数。整个电路采用SMIC的标准的0.35μm CMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数。     

一种低压CMOS带隙电压基准源

设计了一种与标准CMOS工艺兼容的低压带隙电压基准源,该电路应用二阶曲率补偿,以及两级运算放大器,采用0.8μm BSIM3v3 CMOS工艺,其中,Vthn=0.85 V,Vthp=-0.95 V。用Cadence Spectre软件仿真得出:最小电源电压1.8 V,输出电压590 mV,在0~100℃范围内,温度系数(TC)可达15 ppm/℃,在27℃时输出电压变化率为±2.95 mV/V。     

一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 μmCMOS工艺模型,使用Hspice进行模拟,设计的基准源输出电压为900 mV,电源电压可降低到1.1 V,温度系数为8.1×10^-6/℃。     

一种高精度带隙基准电压源设计

提出一种采用0．35umCMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC0．35umCMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25～＋125℃温度范围内温度系数为6．45ppm／C,电源抑制比达到-101dB,电源电压在2．5～4．5V之间,输出电压Vrel的摆动为0．1mV,功耗为0．815mW．是一种有效的基准电压实现方法。     

一种带隙基准电压源设计

基准电压源是在电路系统中为其它功能模块提供高精度的电压基准,它是模拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块。文中主要研究了带隙基准基本原理的基础上,设计了一款应用于折叠插值ADC中粗量化电路部分CMOS带隙基准源。最后通过Pspice仿真给出了实验仿真的结果。     

一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计

本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比。     

一种新型CMOS带隙基准电压源

传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准电压源。采用NPN型三极管产生ΔVbe,消除了运放失调电压影响。该电路结构简洁,电源抑制比高。整个电路采用SMIC 0.18μmCMOS工艺实现。通过Cadence模拟软件进行仿真,带隙基准的输出电压为1.24V,在-40℃~120℃温度范围内其温度系数为30×10-6/℃,电源抑制比(PSRR)为-88 dB,电压拉偏特性为31.2×10-6/V。     

可用于电视系统的带隙基准电压源设计

针对传统一阶温度补偿的CMOS带隙基准电压源的温度特性较差的问题,在此基础上采用高阶温度补偿以改善温度特性,并且在电路中增加了带有负反馈的前调整器,提高了基准电压的电源抑制比.对电路采用SMICO.18CMOS工艺进行仿真,输出电压在温度为-20℃～+58℃范围内有负的温度系数2.34×10-6/℃,在温度为58℃～120℃范围内有正的温度系数为2.21×10-6/℃,在低频时电源抑制比可达116 dB,在10 kHz时也可达到73 dB.     

一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源设计

在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上，综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术，提出了一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放，简化了电路的设计，放大器的输出用于产生自身的电流源偏置，提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现，采用Hspice进行仿真，仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。     

一种低温度系数带隙基准电压源

描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路。基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,经过Cadence Spectre仿真验证,在-20℃～100℃温度范围内,电压变化范围小于0.5mV,温度系数不超过7×10-6/℃。低频下的电源抑制比为-107dB,在10kHz下,电源抑制比可达到-90dB。整个电路在供电电压大于2.3V时可以实现正常启动,在3.3V电源供电下,电路的功耗约为1.05mW。     

一种用于LCD源驱动芯片的数模转换电路设计

在LCD源驱动芯片设计中,为了将输入的数字信号转换成对应的灰阶电压,送到输出缓冲进行输出,需要一个数模转换电路.利用P.E.Allen在书中提到的电阻分压式D/A转换器结构,设计一种用于LCD源驱动芯片的6位数模转换电路.文中采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺参数,用Cadence的spectre仿真器对电路进行仿真.电源电压为8 V,仿真的结果与理论上的数模转换电路传输特性基本吻合.     

一种基于PWM的电压输出DAC电路设计

对实际应用中的脉宽调制(PWM)波形的频谱进行了理论分析．指出通过一个低通滤波器可以把PWM调制的数模转换信号解调出来．实现从PWM到DAC的转换。论文还对转换误差产生的因素进行了分析，指出了减少误差的方法，论文给出了两种从PWM到0～5V电压输出的电路实现方法，第2种电路具有很高的转换精度。     

一种激光竖琴电路的设计

本文比较几种激光竖琴电路设计方案和优缺点,介绍了一种激光竖琴的电路设计。本文重点介绍了音乐芯片YM-6100的键盘矩阵的两种实现方式：单片机中断模式实现和硬件译码直接实现,还介绍了单片机控制音乐芯片进行自动音乐播放的原理和对应的编码译码方法。     

一种实现数模混合电路中的DAC测试的BIST结构

由于超大规模集成电路技术的快速进步,测试数模混合电路变得越来越困难．针对DAC的测试问题,采用了一种内建自测试（BIST）的测试结构,用模拟加法器把电压测量转换成时间测量的方法,分析并给出了如何利用该结构计算DAC的静态参数．利用该方法,既可以快速得到DAC的静态参数,又提高了测试精度,使得测试电路简单、紧凑和有效．     

过渡型模拟LPF在音频DAC电路中的设计及应用

随着半导体工业的飞速发展,各种高性能的△∑音频ＤＡＣ层出不穷,其中的大多数内置了比较完善的高倍（ｎｆ_ｓ）超取样 ＦＩＲ数字滤波器。它一方面将由采样定理决定的采样频谱分量推向高频端,仅剩下以ｎｆ-ｓ的整数倍频率为中心的寄生分量;另一方面大大地衰减了△∑调制器产生的整形量化噪声。因而大大降低了对ＤＡＣ后置模拟低通滤波器衰减特性的要求,使其阶数大大减少。目前,ＤＡＣ后置模拟ＬＰＦ的主要作用是衰减残留的采样频谱分量和整形量化噪声,防止带外噪声可能造成的后续宽带音频设备的过载或损坏。如果还能提供一定的增益…     

一种用在DDS中的高速DAC

文章介绍了一种用在DDS中的高速DAC,采用CMOS电流阵列结构。它的转换频率最高可达300MHz,精度达12位,输出为电流型。文章介绍的高速DAC能够被广泛应用于通讯、雷达、导航、遥控遥测、电子对抗以及现代化的仪器仪表等各种领域。     

一种4bit相位量化DAC电路分析

针对数字射频存储器(DRFM)量化方式的差异、优势和不同的应用范围,介绍相位量化数模转换器(DAC)的系统架构,提出相位量化DAC主要电路模块的一种实现方案,论述了该方案的优缺点,并基于90 nm CMOS工艺模型进行仿真,仿真结果表明该芯片可在2 GHz时钟速率下完成转换和量化,瞬时带宽可达250 MHz。     

高精度电流导引型ADC电流源偏置电路设计

设计了一种为高精度数模转换器提供偏置的参考电流源.经过流片测试结果表明,该偏置电路能够很好的工作于所设计的高精度数模转换器.     

一种基于FPGA的接口电路设计

在简要介绍了PC／AT键码、旋转开关和EPM7128结构特点的基础上，介绍了利用FPGA实现旋转开关信号到PC／AT键码转换的设计方法。     

一种新型二分电容DAC的设计

为了进一步减小电容阵列DAC占用的面积,提出了一种可用于SAR ADCs的二分电容阵列(三段电容阵列,T-SC)结构。与传统二段电容阵列相比,提出的二分电容阵列在不增加对电容匹配性要求的前提下,减少了芯片面积。在理论上分析了该结构的电容失配和寄生效应,归纳提出了一种计算电容阵列DAC DNL的简易公式。Matlab仿真结果与理论分析有较好的一致性,三段电容阵列结构能够实现较好的二进制权重特性;根据提出的计算DNL的简易公式进行参数设计,仿真DNL标准偏差为0.51 LSB,与理论计算0.5 LSB相差0.01 LSB。