氮化铝陶瓷材料及其应用

氮化铝(A1N)陶瓷材料的热导率很高[理论值为320W/(m·K),现已达到250W/(m·K)],且无毒害,是当前很受重视的电子材料之一。本文简述了A1N陶瓷材料的研究情况,分析了A1N陶瓷的主要性能,着重介绍了A1N陶瓷作为混合集成电路基板和半导体器件热沉等的制作技术及其应用情况。实验表明,杂质的混入会导致A1N陶瓷热导率降低。然而,通过加入适当添加剂,不仅能提高A1N陶瓷的热导率,而且有利于致密化。     

现代陶瓷材料及其应用

现代陶瓷材料及其应用赵立柱陶瓷是电子工业的一大支柱。随着电子工业的高速发展，电子陶瓷更居重要位置。目前日本、美国电子陶瓷技术水平以及产品质量都居世界领先地位。我国电子陶瓷业近几年也有了长足的发展。利用多种元素配制成陶瓷材料，其性能更加理想，是最新尖端...     

陶瓷材料的一些奇特的应用

近年来随着电子学的发展,陶瓷材料的应用也有了相当大的进展.由于研制者努力探索新的材料和工艺技术以满足使用者的需要,因此新陶瓷材料的迅速发展又促进了新电子学的发展.     

氧化铍陶瓷材料的性能及应用

对BeO陶瓷材料的性能、应用方面的进展情况进行了回顾与总结,从技术成熟度、工艺适应性等方面对BeO材料技术和应用发展趋势进行了评述。     

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9912754含压电片梁的振动控制[刊]/林西强//国防科技大学学报.—1999,21(2).—25～28(A)9912755氮化铝陶瓷材料[刊]/黄岸兵/微电子技术.—1999,27(2).—22～29(V)本文介绍了 AIN 陶瓷基片生产的关键技术,国内外 AIN 陶瓷封装概况。探讨了 AIN 陶瓷封装发展的趋势。参7     

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Y2000-62185-194 0101833La_(0.67)Ga_(0.33)Mn_(1-x)Dy_xO_3陶瓷的半导体与磁特性=Semiconducting and magnetic properties of La_(0.67) Ca_(0.33)Mn_(1-x)Dy_xO_3 ceramics[会,英]/Halim,S.A.& Koh,S.F.//1998 IEEE International Conference on Semicon-ductor Electronics.—194～198(E)     

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9914853LTCC 基板抗折强度的研究[刊]/章瑜//电子元件与材料.—1999,18(3).—16～18(C)9914854厚度切变模式高频谐振器用压电陶瓷[刊]/张火荣//电子元件与材料.—1999,18(3).—9～11(C)9914855镁掺杂对 ZnO-Al_2O_3系陶瓷性能的影响[刊]/纪士东//电子元件与材料.—1999,18(3).—7～8(C)本文运用回归数学分析并结合 SEM 观测结果.对影响 ZnO-Al_2O_3系陶瓷电阻及阻-温特性的线性化机     

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Y98-61383-235 9904282铌酸钾超高电机耦合和零温度特性及其在低损耗宽带滤波器中的应用=Super high electromechanical cou-pling and zero-temperature characteristics of kNbO_3 andits applications for low-loss wide band filters[会,英]/     

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0014201钛酸钡陶瓷补偿缺陷分析[刊]/赵双群//电子元件与材料.—2000,19(3).—19～20(C)0014202CSBT-BNT-NT 系高介瓷料α_系列化的研究[刊]/江涛//电子元件与材料.—2000,19(3).—16～18(C)0014203自燃烧合成(Sr,Pb)TiO_3及其阻-温特性[刊]/张明福//电子元件与材料.—2000,19(3).—13～15(C)     

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0622655透明氧化铝陶瓷的制备和体视学在其性能表征中的作用[刊,中]/丁君//上海大学学报(自然科学版)．—2006,12(3)．—292-297(C) 0622656 Ba添加方式对PZN基陶瓷介电性能和结构的影响[刊,中]/云斯宁//功能材料与器件学报．—2006,12 (1)．—19-22(G) 0622657压电叠层作动器机电性能实验分析[刊,中]/郑凯//压电与声光．—2006,28(3)．—373-376(L) 0622658敏捷材料的运动变换及对双螺旋结构的分析[刊,中]/冯志华//压电与声光．—2006,28(3)．—363-366(L)提出了运动变换的概念以及一个描述智能材料变形能力的系数。重点分析了双螺线管式变换结构,推出其几何变形关系,指出它可以把微小的弯曲运动变换成直线运动,特别适用于放大压电陶瓷材料的变形,并给出了几个最新的典型应用实例。通过使用热双金属片进行模拟实现了在100℃温度变化情况下30%～100%的线性应变。参8     

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0608513采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究〔刊,中〕/祖小涛//强激光与粒子束.—2005,17(12).—1909-1912(E)0608514功能梯度材料活塞三维温度场分析〔刊,中〕/王素//北京航空航天大学学报.—2005,31(12).—1299-1302(L)0608515牙科ZrO2(3Y)/Al2O3纳米复合陶瓷材料的研制及其力学性能〔刊,中〕/宋文植//吉林大学学报(医学版).—2005,31(6).—896-898(L)研制新型口腔修复用纳米复合全瓷材料并探讨其力学性能。方法:将纳米ZrO2(3Y)粉体以不同体积百分比加入微米级Al2O3粉体中,测试不同纳米粉含量对试样力学性能的影响。参806085…     

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0327568陶瓷蜂窝载体表面Ce-Zr-O固溶液涂层的表征[刊,中]/钟依均//浙江师范大学学报(自然科学版).—2003,26(2).—158-160(K1)研究了陶瓷蜂窝载体表面直接涂载Ce-Zr-O固溶体涂层,采用XRD和Raman光谱对Ce-Zr-O固体溶层进行了表征,表明在陶瓷蜂窝载体表面形成了具有立方结构的Ce-Zr-O固溶体,高温焙烧有利于固溶体的     

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0019805(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3陶瓷 A 位二价金属离子取代的研究[刊]/马晋毅//压电与声光.-2000,22(4).-253～255(L)0019806低波纹度快速响应压电陶瓷驱动电源的研制[刊]/周亮//压电与声光.-2000,22(4).-237～239(L)压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中的关键部件。文章提出了一种新的压电陶瓷驱动电源结构,并开发研制了新的压电陶瓷驱动电源,该电源采用     

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0118282掺杂 ZrO_2对(Pb,Ca)(Fe,Nb)O_3陶瓷微波特性的影响[刊]/钟永贵//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—187～190(E)研究了 B 位 Zr 掺杂对(Pb_(0.45)Ca_(0.55))(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3(PCFN)陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。试验结果表明,PCFNZ 陶瓷能在相对较低的温度下烧结(1200℃/2h),在x=0.025时,有较高的Q·f 值,它的微波介电性能:Q·f=9828GHz,ε_r=91,τ_f=9ppm/℃,用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为928.4MHz 下,插入损耗为2.469dB,满足插入损耗应小于3dB 的要求。参10     

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0005416化学法制备纳米粉的热力学条件[刊]/赵麦群//西安理工大学学报.—1999,15(4).—42～45(D)0005417两种造粒方法对陶瓷 PTC 元件性能的影响[刊]/章登     

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0210304钙钛矿型铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备〔刊〕/王歆//压电与声光.-2002,24(1).-57～60(L) 介绍了溶胶-凝胶薄膜制备法,研究了浸涂法和旋涂法对薄膜质量的影响因素和控制理论,阐述薄膜干燥法与裂纹形成机理,基片因素对晶体结构的影响等问题。讨论溶胶-凝胶法制膜过程中,铁电薄膜全钙钛矿的形成和晶粒的定向生长。参10