多粒子空穴态密度中泡利原理效应

本文提出了一个严格求解多粒子空穴态密度中泡利原理效应的方法,并以激子模型为例给出了等间隔单粒子能级密度模型中的态密度的精确表示以及泡利原理修正值,结果表明,严格的泡利修正值要比以往用的Kalbach近似值大一倍多,相应地,激子态间隔跃迁平衡激子数也出现明显变化.     

轴对称谐振子势下形变核的能态密度

在严格考虑泡利不相容原理的前提下,我们导出了任意单粒子哈密顿量的多粒子、多空穴能态密度的精确的、一般的公式.在半经典的Thomas-Fermi近似下,对于轴对称的谐振子,我们得出了一个计算形变核的能态密度的完全的解析表达式.由此,我们计算了g_1p1h,g_1p2h,g_2p1h和g_2p2h能态密度以及与此相应的能态密度的累计数N_1p1h,N_1p2h,N_2p1h和N_2p2h.并与三维球线性谐振子势的计算结果作了比较.结果表明,在中重核中,形变参数对能态密度的影响是很重要的.     

无限深势阱中粒子的态密度

对于自由粒子在有限容器中的能态密度,热力学统计教材一般根据半经典量子图像,由驻波条件和德布罗意关系,以动量分立值为基础出发得到;然而根据量子理论,无限深势阱中的粒子存在能量本征态,而非动量本征态.本文以能量本征态为统计对象推导了有限体积中的自由粒子的能态密度,结果与教材一致.但是我们的处理方式显得更为自然.     

相对论经典理想气体Г空间微观态密度的计算

针对“Г空间量子态数的直接计算“一文关于无法用通式表示一般相对论自由粒子系统的态密度的结论，本文应用玻耳兹曼关系间接计算得到了包括非相对论和极端相对论情况下的一般相对论理想气体（自由粒子系统）的Г空间态密度的通式表达式。     

多粒子多空穴能态密度的谐振子模型计算

在严格考虑了泡利不相容原理的前提下,导出了任意单粒子哈密顿量下多粒子多空穴态的能态密度的一般性精确公式;并应用半经典的Thomas-Fermi近似,计算了三维线性谐振子下的能态密度;计算了g_1p至g_10p,g_1h至g_7h以及g_1p－1h至g_6p－6h能态密度;讨论了泡利不相容的影响,与微子模型中通用的等间隔模型的能态密度进行了比较.由计算结果看出,激子模型中通用的等间隔单粒子能级密度模式在由核子诱发的核反应中,是一很好的近似.     

单粒子势模型下价核子的密度分布

依据实验事实，利用单粒子势模型，计算了一些核态外层价核子的密度分布.计算给出了价核子在核外部分布的概率和贡献，以此作为晕核态的判断标准.通过研究均方根半径随结合能变化的规律，指出了晕核态存在的条件，尤其是质子晕核态存在的条件.这些对判断和寻找晕核态有现实的指导意义. 关键词： 单粒子势模型 价核子 密度分布 中子晕核态 质子晕核态     

能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用

通过对半导体杂质饱和电离，灰锡半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用。     

非常规条件下的SERS效应

关于表面增强Raman散射效应的研究大体上分为两类：一类是关于不同的吸附分子，一类是关于不同的衬底材料。比较容易观测到表面增强Raman散射效应的分子大都是一些含有π键，孤电子对和环结构的分子。而具有饱和结构的分子则难于观察到表面增强Raman散射效应。表面增强Raman散射效应使用的衬底材料主要是Ag，Au和Cu，其他如Pt，Pd，CA，Co等金属上也有弱的表面增强Raman散射效应。本文介绍“非常规”吸附质和衬底条件下的SERS现象。     

在Fock态制备中信号光场密度算符距离的演化

应用密度算符的距离来分析在基于交叉相互作用Ｆｏｃｋ态制备中信号光场的态是如何演化并坍缩到Ｆｏｃｋ态上的，结果证明，这种距离的概念在描述体系动力学行为时十分有用。     

高温超导体赝隙金属态下的霍尔效应

本文从自由载流子（双极化子的双成分模型出发，在考虑到赝隙随温度变化带来的影响之后，从理论上得出了在特定的掺杂度下霍尔系数对温度的依赖关系．导致霍尔系数随温度变化的因素主要有两个，一个是赝隙的存在导致态密度随温度的变化，另一个是双极化子的分解引起自由载流子的密度随温度的变化．通过对ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ和Ｌａ１．８Ｓｒ０．２ＣｕＯ４的霍尔系数的理论值与实验值的比较发现，对于大于Ｔｃ的任何温度，理论与实验都能定量符合     

杂质态束缚极化子效应对量子线中三次谐波振荡的影响

本文就杂质束缚极化子效应对量子线中三次谐波振荡的影响作了理论计算.利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了该系统中三次谐波振荡的解析表达式.最后以典型的GaAs量子线为例作了数值计算.     

重离子在半导体器件中引起的单粒子效应

重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一 ,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段 .概述了单粒子效应研究的历史和现状,讨论了单粒子效应研究的基本方法 ,最后简要介绍了在兰州重离子加速器上已开展的单粒子效应研究工作. Single event effects (SEE ′s) have been observed in semiconductor device in space since 1975. It has been verified from many spaceflight tests that single event effect induced by cosmic ray is one of the important sources of anomalies and malfunctions of spacecraft. Initially, a brief outline of space radiation environment is given. The history and recent trends were described, and basic methods and necessary facilities for SEE testing were also discussed. Finally, the research ...     

d波超导体NIS结中的时间反演对称态的破缺与准粒子寿命效应

考虑到d波超导表面时间反演对称态的破缺与准粒子的有限寿命效应,在BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论框架下,通过求解BogoliubovdeGennes(BdG)方程,计算正常金属d波超导隧道结中的准粒子输运系数与隧道谱.研究表明:1)d波超导表面时间反演对称态的破缺会导致零偏压电导峰位移,位移的程度取决于分解d波超导表面时间反演对称态中s波分量的强度;2)准粒子的寿命效应与粗糙界面散射效应都能压低零偏压电导峰,其中粗糙界面散射还会阻碍零偏压电导峰的位移.这些结果能较好地解释Tc氧化 关键词：     

大能量损失几何条件下末态屏蔽效应和交换效应的理论研究

用BBK（Brauner, Briggs, Klar）模型和修正后的BBK模型在大的能量损失几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算和研究,并把计算结果与Catoire等的实验测量结果以及Stevenson等的最新实验测量结果进行了比较,对作者早期文章的理论推论进行了验证,并对交换效应作了系统的研究. 关键词： binary峰 recoil峰 屏蔽效应 交换效应     

第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用

人们对半导体中的电子空穴对在库仑互作用下形成的激子态及其有关的物理性质进行了深入研究．激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响，并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用．与半导体体材料相比，在量子化的低维电子结构中，激子的束缚能要大得多，激子效应增强，而且在较高温度或在电场作用下更稳定．这对制作利用激子效应的光电子器件非常有利．近年来量子阱、量子点等低维结构研究获得飞速的进展，已大大促进了激子效应在新型半导体光源和半导体非线性光电子器件领域的应用．     

压缩真空态的激发态下介观耦合电路的量子效应

通过量子化电容耦合电路和对角化电路哈密顿量,研究了介观电路在压缩真空态的激发态下的量子力学效应.     

压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应

对应变GaN/Al_xGa_1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响.对GaN为衬底的闪锌矿应变异质结,分别计算了(001)和(111)取向时杂质态的结合能随压力、杂质位置、电场强度以及组分的变化关系.结果表明,杂质态结合能随流体静压力呈近线性变化.电场对杂质态的Stark效应则随杂质位置不同而呈现谱线蓝、红移动.此外,还讨论了在不同压力情况下,Al组分对杂质结合能的影响.当杂质处于GaN材料中且距界面较远时,Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大,且压力加剧增幅的增加;当杂质处于Al_xGa_1-xN材料中,Al组分的增加削弱了杂质与电子间的库仑相互作用,故而结合能降低. 关键词： xGa_1-xN异质结')" href="#">GaN/Al_xGa_1-xN异质结 杂质态 压力 Stark效应     

尾流效应对快速双原子分子离子在固体中电荷态及分子轴取向的影响

研究了快速双原子分子离子在固体中穿行时,尾流效应对各离子电荷态以及库仑爆炸过程的影响.借助于线性介电响应理论和局域介电函数,离子之间的动力学相互作用势可以表示成对称的屏蔽库仑势和非对称的尾势.通过对分子离子上所有束缚电子的总能量进行变分和求解单个离子的运动方程,自洽地确定出分子离子中每个离子的电荷态.数值结果表明,由于尾流效应的影响,在初始穿行阶段,分子离子中导航离子的电荷数随穿行深度的增加而单调递增,而尾随离子的电荷数则随穿行深度的增加而振荡.但当穿行深度很大时,两个离子的电荷数都趋于具有相同速度的孤立离子的电荷数.此外,还发现分子轴的取向朝入射速度方向偏转     

电动效应作用下微通道内粒子运动的数值模拟

本文采用有限体积法数值模拟了轴向方波电场和直流电场作用下,具有不同电泳淌度粒子的运动情况.结果表明,在半个方波电场周期内,具有不同电泳淌度的粒子在相同的时间内达到各自的稳定速度,周期变化的方波电场使微粒子在微通道内做往复的运动;在直流电场作用下,两个不同电泳淌度的粒子会在轴向方向上产生位移差.定义从溶液中分离粒子的最短距离与微通道高度的比值为分离效率,数值模拟结果表明,分离效率随横向电场强度和粒子电泳淌度的增加而减小.     

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型, 发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型, 仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合. 然后使用该模型, 仿真研究了处于截止态 (V_D=5V) 的 H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 器件在同等条件的重离子注入下, 产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大, 但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加. 关键词： 单粒子脉冲电流 漏极收集电荷 总剂量效应