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1.
报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在极低温 (5—10 K)条件下的各种光学性质. 磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. 对于空间间接光致发光(spacially indirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低. 这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.
关键词:
光致发光
二维电子气
带电激子
Ⅱ型量子阱 相似文献
2.
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,
关键词:
光致发光
二维电子气
带电激子
Ⅱ型量子阱 相似文献
3.
报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-II QW)在极低温至室温(14—296K)条件下的各种光学性质. 反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. PL光谱及其直线偏振度Pl都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场. 这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built
关键词:
光致发光
二维电子气
带电激子
Ⅱ型量子阱 相似文献
4.
报道了具有特殊界面结构(界面包含三个Zn—Te或Te—Zn化学键)的非掺杂ZnSe/BeTe II 型量子阱在低温(5—10 K)条件下的空间间接光致发光(PL)光谱的实验结果. PL光谱显示了一个较弱的双峰结构和较低的线性偏振度,并且这两个峰的线性偏振度相反. 此外,这个PL光谱也强烈地依赖于一个外加电场的变化. 这些结果表明样品的两个发光峰是分别来自两个界面的发光跃迁,并且特殊界面结构降低了空间间接PL的发光效率和线性偏振性,以及界面附近的内秉电场. 随着激发强度的增加,PL谱的高能端发光峰显示了一个
关键词:
Ⅱ型量子阱
光致发光
界面结构 相似文献
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6.
利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。稳态光谱表明:在82~141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算。82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证。 相似文献
7.
在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关.
关键词:
带电激子
量子线
束缚能
磁场 相似文献
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9.
用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。 相似文献
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利用准玻色子方法发展的激子动力学方程是研究半导体纳米结构中激子超快动力学的有效理论手段. 为了将这种方法应用于半导体量子阱, 需要知道量子阱中的激子波函数及其在动量空间的表示, 从而得到激子动力学方程中所必须的系数. 详细讨论了理想和实际量子阱中的激子波函数, 特别是其在动量空间的表示, 并进一步讨论了激子动力学方程中所必须系数的计算方法. 通过求解这些系数, 对量子阱中因激子密度变化而引起的太赫兹脉冲作用下激子能级间跃迁过程中的非线性效应进行了理论预测, 得到了与实验符合很好的结果. 相似文献
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双层二维电子气,中间被10nm厚的绝缘层隔开.两层二维导体中的载流子(电子或空穴)间将发生什么样的相互作用?最近,来自美国California Institute of Technology凝聚态物理部的D.Nandi等,在低温强磁场的条件下,完成了相关实验.结果表明,由于存在库仑相互作用,在其中一层中的电子,有可能同另一层中的空穴结合成对,形成激子凝聚态.于是,如果我们在电子导体的回路中产生一个原初电流,激子内部的拖 相似文献
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近年来,半导体量子阱中激子的玻色一爱因斯坦凝聚研究取得了很大进展.实验上利用耦合量子阱间接激子中电子和空穴在空间上的分离,显著提高了激子的冷却速度和寿命,成功地把激子冷却到1K以下,观察到了激子的准凝聚状态,并且在强激光照射下,发现了随光照强度增强而增大的激子发光环和环上形成的有规则斑点图案,引起了广泛的兴趣和重视.理论研究表明,发光环的出现是电子和空穴在量子阱中的反常输运行为造成的,但环上形成规则斑点的物理机理目前尚不清楚.文章介绍了这方面的实验背景和形成激子环的物理图像,指出了理论研究中存在的问题,并对解决问题的方案进行了讨论. 相似文献
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在多维球坐标体系中,我们对施主为束缚离子激子用二维方法求解薛定谔方程.研究表明,该方法对于半定量分析简便易行,并获得了一个重要的质量比σc=0.512. 相似文献
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本文首次研究了ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳,实验结果表明,ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为1.1MW/cm2和6:1.根据测量得到的ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论,归结ZnSe-ZnTe多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ZnSe-ZnTe多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化. 相似文献
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研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0 .47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不 同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1.5T)下由迁移率谱和 多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d 2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换
关键词:
InAlAs/InGaAs单量子阱
SdH振荡
二维电子气
磁致子带间散射 相似文献