CF4气体ICP等离子体中的双温电子特性

使用朗谬尔探针方法研究了低压CF4气体感应耦合等离子体（ICP）的放电特性.结果表明 ，CF4等离子体的电子呈现双温分布：一类是密度低、能量高的快电子，另一类是密度高 、能量低的慢电子.快电子温度The、慢电子温度Tce以及它们的平均 电子温度Te随射频输入功率的增加而下降；而它们的密度nhe，nce和ne随功率的增加而上升.从电子与气体粒子碰撞能量平衡的角度解释了双温电子特性与射频输入功率之间的关系. 关键词： 感应耦合等离子体 CF4气体 朗谬尔探针 电子温度     

低温氩等离子体中的单探针和发射光谱诊断技术

使用静电探针和发射光谱分析方法，测量了实验室圆柱形辉光等离子体轴向I-V曲线和发射光谱.通过电子能量概率函数方法、Fermi-Dirac模型、低气压放电的Schottky扩散理论，分别计算了等离子体的电子温度、电子激发温度和电子密度.研究了利用等离子体发射光谱计算电子激发温度、低气压放电理论估算电子密度的方法与静电探针诊断方法的内在联系，讨论了不同方法的使用特点.所研究的方法在某些特殊环境的等离子体参数诊断中具有较好的参考和应用价值. 关键词： 静电探针 发射光谱 电子能量概率函数 Fermi-Dirac模型     

三探针方法脉冲放电等离子体特性

基于三探针方法开展了脉冲放电等离子体特性研究,实现了单次脉冲放电等离子体参数的时变特性诊断。采用金属罩屏蔽、示波器锂电池供电等方法降低了电磁信号干扰,利用Labview编制了特定的程序进行三探针诊断数据处理。根据脉冲放电等离子体具有多电荷态离子成分、离子超声速运动等特点,对三探针理论进行相应修正。诊断结果表明,整个放电脉冲内高压引出界面电子温度Te处于2~4eV之间,离子密度ni处于1017~1018 m-3量级之间,与Langmuir单探针诊断结果吻合。     

宽带高幅驱动静电探针与湍流扰动的传播途径

在KT—5C装置上用高输出能力的宽频带功率源驱动静电探针调制等离子体湍流振动，研究了等离子体边界湍流扰动的传播特性。在实验中用静电探针和磁探针探测到该功率源驱动的扰动沿磁力线传播，得出湍流扰动既可通过静电涨落形式传播，又可通过电磁落落选径传播。     

静电探针测量强流电子束电离气体产生的等离子体密度

 用电离理论和核物理学中讨论电子束通过介质后的能量损耗方法分别估算了强流电子束电离中性气体产生的等离子体的密度。在实验中将静电探针应用于测量强流电子束电离氮气产生的等离子体的密度,得出等离子体密度随气压变化的曲线。实验结果表明在1～15帕气压范围内,等离子体密度在量级,与理论结果相符,证明静电探针用于诊断强流相对论电子束电离中性气体产生的等离子体的密度是可行的。     

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利用自行设计的快速移动静电探针对大气压下以氩气为工质的大尺度磁分散电弧等离子体进行诊断,分析了探针电压与电流的波形,绘制探针伏安特征曲线(U-I曲线),得到了发生器轴线方向等离子体波动特性以及电子温度沿轴线的变化趋势.发现等离子体发生器中心具有回流区,得到了电弧等离子体的大致体积.     

混沌动力学方法在等离子体尾迹流场研究中的应用

用混沌动力学方法对多道扫描静电探针的离子饱和电流信号进行分析,研究了等离子体尾迹流场.通过对相关维、Renyi熵和最大Lyapunov指数的分析,得到了近尾流场的分层结构.利用最大Lyapunov指数,观测到了在x>10D以后的远尾流场与自由流场相似.结合探针信号的自相关函数,研究流场湍流结构,发现近尾可能存在大涡拟序结构,而在远尾则没有湍流.观察到了流场具有一定的间歇特征,认为这种间歇性与湍流有关.结果还表明,混沌动力学的分析方法对信号中非周期成分十分敏感,在研究等离子体尾迹流场这一类非线性系统时,它具有明显的优越性 关键词： 混沌动力学 尾迹 等离子体湍流 静电探针     

低温低密度等离子体密度及分布函数测量

一、引言 近来,尽管等离子体诊断技术有了很大发展,古老的朗缪尔探针由于结构简单,使用方便且有较好的时间空间分辨,至今仍作为基本诊断工具而广泛使用。但是,简单的朗缪尔探针理论只适用于中等密度(L》r》λD,L是平均自由程,r是探针半径,λD是德拜长度),对于低密度等离子体(r≤λD),朗缪尔探针理论复杂得失去了实用价值。本文将给出两个适合于低密度情况下的简单公式,并介绍一种实验中所用的静电能量分析器。     

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在一次稳定放电过程中利用快速扫描气动探针系统得到电子温度、密度、等离子体电位、极向电场以及它们的涨落、粒子通量、能量通量在径向的分布。研究了HL-2A装置边缘的静电涨落及其输运。实验结果指出,在等离子体边缘涨落量不服从玻耳兹曼关系,存在由于等离子体空间电位的梯度所产生的径向电场剪切层。分析了涨落对边缘约束的影响。     

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采用Langmuir探针法结合发射光谱法对螺旋波诱导的低压氢等离子体进行诊断,根据Druyvesteyn 方法和日冕模型分析电子能量几率函数(EEPF)、有效电子温度(Teff)、电子密度(ne)及激发态氢原子密度(nH*)随实验参数的变化规律.结果表明:随射频功率(Prf)、气压(p)和约束磁场(B)的增大,EEPF峰位由高能向低能移动,Teff 下降;当Prf从25W增大至35W左右时,ne发生跳跃增长,而nH*始终随Prf增大线性增长;随p增大,ne和nH*都呈现先增加后减小的变化规律;随B增强,ne线性增长,而nH*先增大后减小.     

萃取/反相萃取分离富集-氢化物无色散原子荧光法测定复杂地质样品中的痕量碲

采用MIBK萃取/反相萃取分离富集的方法,建立了氢化物无色散原子荧光法测定复杂地质样品中的痕量碲的新方法。实验了HCl-NaBr-MIBK体系萃取Te(Ⅳ)的能力,研究了Te(Ⅳ)在KMnO₄-HCl-MIBK体系中的反相萃取行为。当萃取条件为3.6 mol·L-1HCl-100 g·L-1NaBr时,Te(Ⅳ)可被MIBK完全萃取;用HCl-KMnO₄氧化MIBK相中的Te(Ⅳ),水相反相萃取Te(Ⅵ),成功分离了氢化物原子荧光法测定Te的Au,Ag,Pt,Pd,Cu,Pb,Co,Ni,Cd,As,Sb,Bi,Hg,Tl和Se等干扰元素,方法检出限为1.14×10-4 μg·g-1,相对标准偏差为6.84%,对国家标准物质样品分析的结果与所给参考值吻合,可用于复杂地质样品中痕量Te的测定。     

等离子体化学气相沉积TiN中参数的研究

一、引言 等离子体化学气相沉积(PCVD)薄膜是广泛应用的新技术。它沉积温度低,可沉积薄膜种类多,包括各种作为功能材料和结构材料的无机非金属薄膜。刘大明等对PCVD的动力学过程进行过研究。PCVD设备及工艺较简单,绕镀能力强,并且利用非平衡电离     

ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究

用时间分辨光谱研究了很大的Te组分范围内的ZnS_1-xTe_x（x=00 05—085）合金的发光动力学特性，结果表明：不同形态的Te等电子中心具有不同的辐射复 合寿命，从几个ns到几十个ns的范围内变化，当x＝015左右时，寿命达到最大值（约 40ns）.其物理机理源于不同的Te等电子中心具有不同的局域化特性.当Te组分较小时，等 电子中心从Te₁逐渐演变到Te₂，Te₃或Te₄ 时，相应发光寿命增加，表现出不断增强 的激子发光局域化特性；而当Te组分较大时，Te原子团变得较大，其局域势与基体原子势的 相互作用增强，等电子中心的局域化特性减弱，而基体价带扩展态特征变得明显起来，相应 发光寿命逐渐减小.还研究了激子束缚能随Te组分的变化以及发光强度随温度的变化关系， 所得结果进一步支持了时间分辨光谱研究所得到的结论. 关键词： ZnS 等电子中心 时间分辨光谱 局域态     

分子筛组装单质半导体碲的拉曼光谱

无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型     

A 125Te and 23Na NMR investigation of the structure and crystallisation of sodium tellurite glasses

125Te static nuclear magnetic resonance (NMR) and 23Na and 125Te magic angle spinning (MAS) NMR have been used, in conjunction with X-ray diffraction, to examine the structure and crystallisation behaviour of glasses of composition xNa2O.(1-x)TeO2 (0.075 x 0.4). The MAS NMR 23Na spectra from the glasses are broad and featureless but shift by approximately +5 ppm with increased x, i.e. as the system becomes more ionic. The static 125Te NMR spectra show an increase in axial symmetry with increasing x, indicating a shift from predominantly [TeO4] to [TeO3] structural units. The 23Na and 125Te spectra from the crystallised samples have been fitted to obtain information on the sites in the metastable crystal phases, which are the first to form on heating and which are therefore more closely related to the glass structure than thermodynamically stable crystal phases. New sodium tellurite phases are reported, including a sodium stabilised, face centred cubic phase related to delta-TeO2; a metastable form of Na2Te4O9 containing 3 sodium and 4 tellurium sites; and a metastable form of Na2Te2O5 containing 2 sodium sites. There is evidence of oxidation of TeIV to TeVI occurring in glasses with high values of x and, at x=0.40 and 0.50 (outside the glass forming range), some sodium metatellurate (Na2TeO4) is formed at the same time as sodium metatellurite (Na2TeO3). The 125Te shift is very sensitive to environment within the sodium tellurite system, covering more than 320 ppm, with anisotropies varying from 640 to 1540 ppm. The lack of features in the 125Te spectra of the glass phases, combined with the large shift range and high but variable anisotropy, means than it is not possible to obtain a unique fit to any presumed species present. Furthermore, the chemical shift anisotropy parameters for three of the four Te sites in the Na2Te4O9 phase are found to lie outside the range used for previous simulations of glass spectra.     

A b initio calculation of the growth of Te nanorods and Bi2Te3 nanoplatelets

In this paper the growth mechanism of a Te/Bi2Te3 novel structure is studied by ab-initio calculations. The results show that the growth of Te nanorods is determined by the adsorption energy of Te atoms on different crystalline Te surfaces. The adsorption energy of Te on the Te （001） surface is 3.29 eV, which is about 0.25 eV higher than that of Te on the Te （110）. This energy difference makes the preferential growth direction along the 〈 001 〉 direction. In addition, the higher surface energy of Bi2Te3 （110） and the lattice misfit between crystalline Bi2We3 and Te along 〈 001 〉 direction are considered to explain the growth of the Bi2Te3 nanoplatelets, in which Volmer-Weber model is used. The theoretical results are in agreement with experimental observation.     

Present and Future Cryogenic Experiments on Double-Beta Decay

Thermal detectors are introduced and their possible impact on neutrinoless double-beta-decay (20) search is discussed. The thermal experiment MIBETA is described, reporting the up-to-date limits on ¹³⁰Te and ¹²⁸Te. A new generation experiment, consisting in a large expansion of MIBETA and known as CUORE, is presented and discussed.     

Structuring effect of heteroepitaxial CdHgTe/CdZnTe systems under irradiation with silver ions

The characteristics of a damaged layer of p-Cd _x Hg_{1 ? x} Te/CdZnTe (x ～ 0.223) heterostructures after implantation by 100-keV silver ions with the implantation dose Q = 3.0 × 10¹³ cm^?2 have been obtained using X-ray diffraction, atomic force microscopy, and electron microscopy. It has been found that, as a result of the ion implantation and subsequent annealing (75°C), a uniform array of nanostructures is formed on the surface of Hg(Cd)Te/Zn(Cd)Te samples. The X-ray diffraction patterns of the structurized Hg(Cd)Te/Zn(Cd)Te sample indicate the formation of polycrystalline Hg(Cd)Te phases of cubic structure with a composition x ～ 0.20 and also oxide Ag₂O in the subsurface (<100 nm) region of the host material. The observed effects of transformation of the defect-impurity system and structuring of the surface of the heteroepitaxial film of the low-energy-gap semiconductor have been explained using a deformation model.     

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用软X射线脉冲高度分析(PHA)阵列系统获得了等离子体的电子温度剖面和电子速率分布的时间演化。测量结果表明,电子温度剖面在OH阶段较平缓,接近抛物线1.0×[1-(r/a)2]2分布;而在ECRH(功率0.8MW)阶段,等离子体中心(z＝0)电子温度上升了0.6keV,边缘(z＝30cm)处只上升了0.1keV,反映出ECRH功率沉积在等离子体中心区域;在ECRH期间有大量的高能电子产生,因而电子速率分布在ECRH期间显著改变;等离子体中心的高能电子的数量和能量都比等离子体边缘的增加更大,ECRH(～0.8MW)期间等离子体中心(z＝0)产生的高能电子的能量可达17keV。分析表明：在ECRH(纵场Bt=1.3T)放电期间,ECRH加热效果显著,ECRH的功率主要沉积在等离子体中心附近;电子温度剖面在ECRH阶段较OH阶段峰化;ECRH期间有大量的高能电子产生,电子速率分布被改变成为非麦克斯韦分布。     

A new method to study complex materials in solid state chemistry: application to chalcogenide materials

We show that a combined application of Mössbauer spectroscopy and other experimental tools such as X‐ray photoelectron spectroscopy, X‐ray absorption spectroscopy and nuclear magnetic resonance provides a coherent picture of the local electronic structure in chalcogenide materials. In order to develop this idea we propose an analysis of the Sn, Sb and Te local electronic structures for three different systems of materials. The first example concerns the In–Sn–S system. We show that Li insertion in In₁₆Sn₄S₃₂ leads to changes of the Sn oxidation states from Sn(IV) to Sn(II). The second example concerns materials of the Tl–Sb–S system. We show that variations of the ¹²¹Sb Mössbauer isomer shift and surface of the first peak of the X‐ray absorption spectra at the Sb L_III edge can be linearly correlated because of the main influence of the Sb 5s electrons. This is explained by changes in the local environment of the Sb atoms. The last example concerns the crystalline phases of the Tl–Sn–Te system. The formal oxidation numbers of the Te atoms are determined from ¹²⁵Te Mössbauer spectroscopy and X‐ray photoelectron spectroscopy. They are related to the different types of bonds involving the Te atoms in the Tl–Sn–Te compounds.