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深度同步辐射光刻初探 总被引:1,自引:0,他引:1
LIGA技术被认为是制作微机械最有前途的方法,而LIGA技术较为关键的一步是深度同步辐射光刻。报道了深度同步辐射光刻的进展,刻蚀出了外圆直径为38μm~39μm,叶长约8μm,高约25μm的扇叶状微结构元件。 相似文献
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同步辐射光刻技术是X射线光刻技术的重要发展,适用于深亚微米乃至纳米图形的超微细加工,特别是LIGA的出现大大拓展了同步辐射光刻的应用领域,使它不仅适合于超大规模集成电路等平面微结构的加工,也适合于具有复杂构造的三维立体结构和器件的制作,文章简要介绍了NSRL光刻光束线和实验站概况及研究工作进展。 相似文献
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351nm波长的准分子激光器由光波导管作为激光均束器,直接输出正六角形均匀分布的照明光束,能在大面积激光投影光刻中实现无缝扫描。同目前常用的微透镜阵列器相比制作简单,无须光阑就能直接获取所需要的六角形光束,减少了能量损失。通过合理的假设和理论推算,依据管内最大反射次数就能适当地选取光波导管的长度,既保证了足够的反射次数以维持良好的均匀性,同时又避免了不必要的管长所带来的更多反射损耗。利用ZEMAX光学设计软件模拟和分析了由光波导管输出的照明光。结果表明,输出的六角形光束的相对光通量为96%,近似于平顶的能量分布,呈现出了极好的均匀性。 相似文献
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同步辐射光刻技术是X射线光刻技术的重要发展,适用于深亚微米乃至纳米级图形的超微细加工,特别是LIGA技术的出现大大拓展了同步辐射光刻的应用领域.使它不仅适合于超大规模集成电路等平面微结构的加工,也适合于具有复杂构造的三维立体结构和器件的制作.文章简要介绍了NSRL光刻光束线和实验站概况及研究工作进展. 相似文献
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结合转镜扫描高速摄影系统,本文对信息量和信息率两个指标描述系统性能的价值作了评价,讨论了实际系统中影响它们的复杂因素,以及简化计算它们的必要性和可能性。 相似文献
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为了实现掩膜面的均匀照明,采用非球面技术对浸没式光刻照明系统中会聚镜进行了设计,并对影响系统远心度的误差源进行了分析。设计的会聚镜数值孔径的一致性偏差在0.2%以内,像方远心度小于0.2 mrad,以系统的远心度变化0.1 mrad,数值孔径一致性变化0.1%,点列图变化20 μm,焦距变化0.1 mm为公差基础值,计算出会聚镜的厚度公差为±0.02 mm~±0.05 mm,单面倾斜10″~20″。该浸没式光刻照明系统中会聚镜的设计合理,制定的公差可行,能够满足硅片面上照明非均匀性小于3%的要求。 相似文献
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第4代同步辐射光源及自由电子激光装置中束线光学系统对光学元件性能提出了苛刻的要求。使用压电变形镜是实现超高面形精度调控和实施波前补偿的有效途径,也是目前亟需突破的国产化技术瓶颈。针对这一问题,研制了长度为200 mm、含36个单元压电促动器的压电变形镜。通过数值模拟优化了变形镜结构参数,利用国产工艺完成了变形镜样机的制作,并对其面形调控能力进行初步探究。测试结果表明:所研制变形镜样机的平面面形误差可降低至1.38 nm(rms),斜率误差降低至240 nrad(rms),实现了平面面形的nm级调控。 相似文献
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Upgrading design of the 3B1A beamline for x-ray nanometre lithography of microelectronic devices at BSRF 下载免费PDF全文
Beijing Synchrotron Radiation Facility is a partly dedicated synchrotron radiation source operated in either parasitic or dedicated mode. The 3B1A beamline, extracted from a bending magnet, was originally designed as a soft x-ray beamline for submicro x-ray lithography with critical lateral size just below 1μm in 1988 and no change has been made since it was built. But later the required resolution of x-ray lithography has changed from sub-micrometre to the nanometre in the critical lateral size. This beamline can longer more meet the requirement for x-ray nano lithography and has to be modified to fit the purpose. To upgrade the design of the 3B1A beamline for x-ray nano lithography, a mirror is used to reflect and scan the x-ray beam for the nano lithography station, but the mirror's grazing angle is changed to 27.9mrad in the vertical direction, and the convex curve needs to be modified to fit the change; the tiny change of mirror scanning angle is firstly considered to improve the uniformity of the x-ray spot on the wafer by controlling the convex curve. 相似文献
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介绍了同步辐射压弯镜重力引起的面型斜率误差及评价标准。根据梁的弯曲理论,提出了力矩加多点力补偿重力的方法,以上海光源XAFS光束线(BL14W)中的压弯镜为例,计算出力矩加两点力、力矩加三点和力矩加四点力补偿的最小斜率均方根误差分别为0.092,0.041,0.022 μrad。补偿结果的对比表明,当镜子两端有力矩补偿时,各补偿力相应减小,力矩加两点力、力矩加三点力和力矩加四点力补偿的面型斜率误差分别为没有力矩补偿时的52%,61%,68%。力矩加多点力补偿重力的方法明显优于多点力补偿重力的方法。 相似文献
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为了提高同步辐射中压电变形镜的控制自由度和面形精度,解决压电致动单元数量过多引起的解算电压受噪声影响异常波动(过拟合)问题,建立了变形镜模型并进行仿真控制。通过有限元仿真获得36组压电响应方程,构建面形与电压的数学模型;为补偿重力造成的镜面畸变,以获得的椭圆面形分析并比较了使用最小二乘法和Tikhonov正则化两种电压解算方案的控制效果。结果表明:采用Tikhonov正则化算法反演后,面形控制误差相比最小二乘法降低了21.7%,相邻极板间电压波动极大值从1.019 kV下降为0.174 kV,反演结果符合工程实际要求;系统对测试噪声具有鲁棒性,相比最小二乘法有更加优越的应用价值。 相似文献
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Structured mirror array for two-dimensional collimation of a chromium beam in atom lithography 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Direct-write atom lithography,one of the potential nanofabrication techniques,is restricted by some difficulties in producing optical masks for the deposition of complex structures.In order to make further progress,a structured mirror array is developed to transversely collimate the chromium atomic beam in two dimensions.The best collimation is obtained when the laser red detunes by natural line-width of transition 7S3 → 7P40 of the chromium atom.The collimation ratio is 0.45 vertically(in x axis),and it is 0.55 horizontally(in y axis).The theoretical model is also simulated,and success of our structured mirror array is achieved. 相似文献
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研制了上海光源同步辐射空间干涉仪,用于储存环束团横向截面尺寸及发射度的精确测量。对干涉仪工艺设计中的光路参数、关键设备选型、数据处理方法及数据采集处理软件结构进行了分析讨论。结合束流实验完成了系统调试及运行参数优化,结果表明,CCD增益系数与曝光时间设置对测量精度有显著影响,增益系数设为0 dB,曝光时间设为200 ms时,随机测量误差可控制在μm量级。对上海光源储存环横向束斑尺寸进行了精确测量,结果表明:空间相干度曲线近似为高斯分布,可以采用单一空间频率的相干度测量值进行快速束斑尺寸计算;水平束斑尺寸实测值为52.4 μm,与理论值预期值53.0 μm相比,差异小于2%;系统测量误差约为5.5%,主要误差来源为相干度随机测量误差。 相似文献
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