一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

硅PN结反向击穿冷阴极研究

本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10~(-6),这个数值已达到国际水平。     

点状PN结中的光电转换

用Ｎ型硅单晶材料制作了点状ＰＮ结光电二极管，对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算，在同样的光辐射下，点状ＰＮ结光岂二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的２００倍以上。分析表明，在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换，更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状ＰＮ结光照电流的测量，可以 确定在衬底材料光一少了的扩散长度。     

小面积PN结的光电特性

用Ｐ型硅材料制作了小面积ＮＰ结光电二极管，测试了二极管的光电特性．若按杂质扩散区的受光面积计算，在同样的光照下，小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的１００倍以上．究其原因，在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内，光生载流子对光电流的贡献．因此，当杂质扩散区为一个点时，光敏感区的面积趋于恒定值πＬ，有效光吸收区体积趋于（ＺπＬ）／３．     

PN结温度传感器原理及应用

介绍了采用PN结温度传感器进行温度测量的原理,在此基础上给出了PN结的信号调理电路,分析了各部分电路的特性,给出了由STC89系列单片机组成的测温电路系统及其程序流程,并指出了减小测量误差的方法。     

迭加原理的错误及纠正（二）

本文纠正了“失加原理”的错误，建立了新的光伏理论。     

PN结光生伏特效应的理论研究

根据等效电流源原理,分析了经典光伏理论产生错误的原因,从理论上奠定了修正经典光伏理论的基础。     

物理定律在光电池中的应用

本文应用物理学基本定律修正了经典光伏理论,并建立了新的光伏模型。     

硅光电池中叠加原理的实验验证

在分析硅光电池的电特性时,一般认为光生电压等效于无光照时PN结的正向偏压,即有叠加原理成立。但未见有人对此作过实验验证,本文报道了对三种不同的硅光电池的测量结果,证明叠加原理基本是正确的,但也存在一些问题需要进一步研究。     

窄禁带半导体的P-N结的间接隧道电容

采用通过深能级杂质的间接隧道过程与热激发、俘获过程之间的细致平衡,推导出间接隧道过程所引起的电容的理论表达式.这一电容仅出现在零偏压附近,不是电压的单调上升函数,有极大值及负值出现.作了数值计算,所得 C-V曲线的形状与窄禁带 Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的实测的C-V曲线的形状相似.     

加载短路钉微带天线的理论分析

从微带天线腔模法出发,结合叠加原理,提出了加载短路钉微带天线中,同轴馈线内部导线和加载的短路钉上电流比的概念。并利用此概念来分析加载短路钉微带天线内部的电磁场分布和谐振特性、阻抗特性以及辐射特性等。本文给出了加载单个短路钉矩形微带天线的分析,并将本文结果和Zeland软件的仿真结果进行对比,加载短路钉可以以较小天线尺寸实现较低谐振频率,验证了本文方法的有效性。     

N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响

为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的电容-电压特性曲线

改进了电容测量技术,能测量低阻抗P-N结的电容.测量Hg_(1-x)Cd_xTe(0.195     

MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制

分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1.5nm、3～ 4nm及 12～ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。     

电磁问题中统一的电路模型及路与场的相互作用

电磁问题中有很大一类是研究天线和散射理论,即由封闭电路系统向空间开放系统的能量转换.本文给出了激励源和加载网络统一的普遍电路模型;并具体给出了广义矩阵型Ohm's定律,使路和场的相互作用统一于其中.文中指出源和加载网络作为路对场有耦合作用,从而会影响近场与辐射方向图.