ICP-AES法测定高纯氧化铕中稀土杂质元素

研究了锌粉还原 5709萃淋树脂分离富集 ICP AES法测定高纯氧化铕中14个稀土杂质元素的方法,用ICP AES法测定稀土元素工作曲线下限为(以氧化物计)镧为0.05mg·L-1,铈、镨、钇为0.25mg·L-1,钕、钐、铽、镝、钬为0.1mg·L-1,铒、铥、镱、镥、钇为0.05mg·L-1,回收率为90%～106%。方法简便、准确、快速,可用于99.99%氧化铕中14个稀土杂质元素的测定。     

ICP—AES法直接测定高纯氧化钐中14个稀土杂质元素

本文采用ICP-AES技术,对纯度为99.95%氧化钐中14个稀土杂质元素的直接测定进行了研究.对分析线的选择,工作功率,载气流量,观测高度,进样浓度等条件进行了试验.本法条件下,各分析元素的相对标准偏差均小于8%,标准加入回收率介于92%～108%之间.并对实际样品进行了测定、结果满意.     

化学光谱法测定5N氧化钆中14个稀土杂质元素

报道了化学光谱法测定５Ｎ高纯氧化钆中１４个稀土杂质元素，在Ｐ５０７萃淋树脂色层柱上分离氧化钆中稀土杂质元素，分别采用定量分离Ｌａ－Ｓｍ及Ｔｂ－Ｌｕ＋Ｙ和部份分离Ｅｕ的方法，并相应地采用碳粉吸附法和碳粉粉末法进行光谱测定。分离时间为３．５ｈ，测定下限为１．２μｇ／ｇ（ＲＥ）。     

高纯氧化铕中微量稀土杂质的化学光谱测定

将高纯Ｅｕ２Ｏ２通过Ｐ５０７萃淋树脂分离富集，分离掉大量基体Ｅｕ２Ｏ３剩下微量稀土杂质用碳粉吸附，加ＫＢＨ４作载体进行光谱测定，本方法可测定９９．９９９９％，纯度的Ｅｕ２Ｏ３中微量稀土杂质。     

ICP—MS测定高纯氧化镥中痕量稀土和非稀土杂质研究

本文报道了ＩＣＰＭＳ直接测定高纯（９９．９９９％～９９．９９９９％）氧化镥中痕量稀土和非稀土杂质的新方法。对ＩＣＰＭＳ测定中产生的谱干扰和基体效应进行了详细考查。试验结果表明：用Ｃｓ作内标，可有效地补偿因氧化镥引起的基体效应。方法的检出限在０．ｘ～０．０ｘμｇ／Ｌ范围；相对标准偏差（ＲＳＤ）（ｎ＝７）＜１０％。本法已应用于高纯氧化镥工艺流程分析和产品分析。     

高纯氧化镨中非稀土元素的原子发射光谱测定

本文以NaCl为载体,In为内标直流电弧激发直接光谱法测定高纯氧化镨中Sn、B、Cr、Sb、Bi、Mn、Co和Pb等,比较了在不同气氛中载体对上述杂质元素测定的影响。各元素的最低测定浓度为5×10~(-5)％～5×10~(-4)％。     

纯氧化钆中微量稀土杂质元素的光谱测定

本文采用交流电弧高浓度溶液干渣法测定纯氧化钆中14个稀土杂质元素。试样在氩/氧气氛中激发,直接光谱测定。方法相对标准偏差不大于5%。方法简单,经加入回收试验和大量实际试样的分析获得满意结果。     

等离子体质谱法测定高纯氧化铥中痕量稀土杂质元素的研究

本文提出了ＩＣＰ－ＭＳ内标补偿校正法直接测定５Ｎ－６高纯氧化铥中１４种痕量稀土杂质的方法，研究了ＩＰＣ－ＭＳ测定的谱干扰和基体效应。     

等离子体质谱(ICP-MS)测定高纯氧化镱中痕量稀土和非稀土杂质研究

本文报道ＩＣＰ－ＭＳ直接测定高纯（５Ｎ～６Ｎ）氧化镱中稀土和非稀土杂质的新方法．对ＩＣＰ－ＭＳ测定中的光谱干扰和基体效应进行了详细考察，结果表明：用镓作内标，可有效地补偿因氧化镱引起的基体效应．方法的检出限在０．０Ｘ－０．Ｘｎｇ／ｍＬ范围；相对标准偏差（ＲＳＤ）（ｎ＝７）＜１０％．已应用于高纯氧化镱的工艺流程及其产品分析．     

ICP-MS测定高纯氧化铒中稀土杂质的研究

从同位素的选择、基体效应,内标元素的选择及仪器工作等方面对实验参数进行了优化,重点研究了等离子体功率及仪器分辩率的改变对铒基体所形成的氢化物多原子离子干扰的影响。通过提高等离子体功率、改变仪器分辨率及数学方程校正等方法,减小和剔除了ErH对Ho和Tm测定的干扰。实验中选取Cs为内标元素,测定了不同含量的高纯氧化铒样品。分析结果与标准加入法结果进行了比较,之间无显著性差异。     

微柱分离-ICP-MS测定高纯氧化钐中稀土杂质

研究了微柱分离 ICP MS测定高纯氧化钐中痕量Dy,Ho,Er,Tm的方法,方法基于采用Cyanex272负载树脂微柱,选定上述杂质与大量基体分离的实验条件,分离周期为32min。最终建立了微柱分离Sm后测定Dy,Ho,Er,Tm,其他稀土杂质用内标补偿ICP MS法直接测定的分析方法。方法测定下限为0.1～5.0μg·g-1,加标回收率为90%～115%,相对标准偏差为0.9%～5.1%。本法可满足快速测定99.999%氧化钐中14个稀土杂质的要求。     

直接光谱法测定高纯氧化钇中稀土杂质

目前,高纯氧化钇中稀土杂质的测定已有很多资料报导,但分析的灵敏度均不高,已发表的工作中大部分采用化学-光谱法或在气氛抑制氰带条件下测定高纯氧化钇中稀土杂质,但由于时间长,操作复杂,成本高等原因而限制了在某些单位的推广。我们对高纯氧化钇中稀土杂质的测定采用直流电弧粉末法,碳粉∶试样=1∶1,PGS-2平面光栅摄谱仪摄谱,灵敏度Nd、     

化学光谱法测定6N氧化铕中14个稀土杂质元素

本文利用有铕易被还原的特性，将铕还原为二价进行预分离，继以Ｐ５０７萃淋树脂柱进行二次分离，光谱测定富集物中１４个稀土杂质元素，本方法富集倍数高达２０，０００倍，化学光谱测定了下限为０．６５μｇ／ｇ（∑ＲＥ）可满足６氧化铕产品分析的要求。     

控制气氛光谱法测定高纯氧化铒中十四种稀土杂质

在PGS-2型二米光栅摄谱仪上、以控制气氛直流电弧粉末法测定了高纯氧化铒中十四种稀土杂质,采用正交设计试验确定了工作条件.测定下限对氧化镨、氧化钆、氧化铽、氧化镥为0.005％,氧化铈、氧化钐为0.003％,氧化铥为0.0017％,氧化钕为0.001％,氧化钬为0.0006％,氧化镧、氧化销、氧化镝、氧化镱为0.0005％,氧化钇为0.0003％。相对标准偏差对高含量为3.9～15.5％,对低含量为5.0～12.6％。     

同位素稀释火花源质谱法直接测定高纯氧化钆中的稀土杂质元素

本文采用同位素稀释火花源质谱法直接测定高纯氧化钆中Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｅｒ５个元素，再以该法测定的Ｎｄ和Ｅｒ为内标，同时测定Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｙ和Ｔｂ、Ｔｍ、Ｌｕ８个元素，方法的测定下限ΣＲＥ为８μｇ／ｇ，回收率为８５％～１１４％，相对标准偏差为４％～２１５。